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半导体放电管的选型方法

1.反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压（150*1.41=212.2V）和直流偏压峰值（56.6V）之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压（150V）和最大信号电压（3V）之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。

2.转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3.若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH >（系统电压/源阻抗）。
最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68 A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。

4.半导体放电管处于导通状态（导通）时，所损耗的功率P应小于其额定功率PCM，Pcm＝KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波 K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

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电解电容替换时应考虑的问题
    １． 要尽可能地选用原型号电解电容器。
    ２． 一般电解电容的电容偏差大些，不会严重影响电路的正常工作，所以可以取电容量略大一些或略小一些电容器代替。但在分频电路、Ｓ校正电路、振荡回路及延时回路中不行，电容量应和计算要求的尽量一致。在一些滤波网络中，电解电容的容量也要求非常准确，其误差应小于±０．３％～０．５％。
    ３． 耐压要求必须满足，选用的耐压值应等于或大于原来的值。
    ４． 无极性电容一般应用无极性电容来代替，实在无办法到时可用两只容量大一倍的有极性电容逆串联后代替，方法是将两只有极性电解电容的正极相连

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如何选择合适的线性稳压器(LDO)芯片
本文主要介绍下下选择便携式设备中线性直流稳压器(LDO)芯片选用时应考虑的问题.在选择低压降线性调节器(LDO) 时，需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。但是，便携式应用需要考虑更多问题。接地电流或静态电流 （IGND 或 IQ）、电源波纹抑止比 (PSRR)、噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳 LDO 选择的要素。
输入、输出以及降低电压
选择输入电压范围可以适应电源的LDO。下表列出了便携式设备所采用的、流行的电池化学物质的电压范围。
在确定 LDO 是否能够提供预期输出电压时，需要考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和，即 VIN > VOUT + VDROPOUT。如果 VIN 降低至必需的电压以下，则我们说 LDO 出现"压降"，输出等于输入减去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以负载电流。
需要注意压降时的性能变化。驱动旁路晶体管的误差放大器完全打开或者出于"待发状态"(cocked)，因此不产生任何环路增益。这意味着线路与负载调节很差。另外，PSRR 在压降时也会显著降低。
选用可提供预期输出电压的 LOD 作为节省外部电阻分压器成本与空间的固定选项，外部电阻分压器一般用于设置可调器件的输出电压。利用可调 LDO 可以设置输出，以提供内部参考电压，其一般为 1.2V 左右，只需把输出连接到反馈引脚。请与厂商确认是否具备该功能。
负载电流要求
通考虑负载需要的电流量并据此选择 LDO。请注意：额定电流为比如 150mA 的 LDO 可能会在短时间内提供高出很多的电流。请查验最低输出电流限值规范，或者咨询有关厂商。
电池电压
电池的化学成分 电压范围
锂离子/锂聚合物 2.7～4.2V（额定3.6V）
NiMH/NICd 0.9～1.5V（额定1.2V）
AA/AAA 0.9～1.5V（额定1.5V）
封装与功耗
便携式应用本质存在空间限制，因此解决方案的大小至关重要。裸片可以最小化尺寸但是缺乏封装的诸多优势，如：保护、行业标准以及能够被现有装配架构轻松采用等特性。芯片级封装 (CSP) 能在提供裸片的尺寸优势的同时还可以带来封装的许多优势。
在无线手持终端市场需求的推动下，CSP产品正不断推陈出新。例如，采用0.84 x 1.348-mm CSP的德州仪器 (TI) 200mA RF LDO（参见图1）预计将于9月份上市，其采用可实现轻松装配以及高板级可靠性的技术。
其他小型封装包括流行的3x3mm SOT-23、小型2.13x2.3mm SC-70以及亚1毫米高度封装 (sub-1-mm-height PACkage)、ThinSOT及无引线四方扁平封装 (QFN)。由于在下侧采用了能够在器件与PC板之间建立高效散热接触的散热垫，QFN 因而可提供更好的散热特性。
请注意不要超过封装的最大功耗额定值。功耗可以采用PDISSIPATION = (VIN-VOUT)/(IOUT + IQ) 进行计算。一般来说，封装尺寸越小，功耗越小。但是QFN封装可以提供极佳的散热性能，这种性能完全可与尺寸是其1.5～2倍的众多封装相媲美。
LDO拓扑与IQ
为了最大化电池的运行时间，需要选择相对于负载电流来说静态电流IQ较低的LDO。例如，考虑到IQ 只增加0.02％的微不足道的电池消耗，在100mA负载情况下，一般采用200μA的IQ比较合理。
另外，还需要注意的是，由于电池放电特性，某些情况下压降会对电池寿命产生决定性影响。由于碱性电池放电速度较慢，其电源电压在压降情况下可以提供比NiMH电池更多的容量。必须在 IQ 和压降之间仔细权衡，以便在电池寿命期间获得最大的容量，因此，较低的IQ并不能始终保证长电池寿命。
需要注意IQ 在双极拓扑中的表现。IQ 不但随负载电流变化很大，而且在压降情况下会有所增加。
另外，需要注意在数据表中对IQ 是如何规定的。某些器件是在室温条件下规定的，或者只提供显示IQ与温度关系的典型曲线。尽管这些情况有用，但是并不能保证最大的静态电流。如果IQ 比较重要，则需要选择在所有负载、温度和工艺变量情况下都能保证IQ 的器件，并且需要选择MOS类旁路器件。
输出电容器
典型LDO应用需要增加外部输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的LDO，可以降低尺寸与成本，另外还可以完全消除这些元件。请注意，利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高PSRR、噪声以及瞬态性能。
陶瓷电容器通常是首选，因为它们价格低而且故障模式是断路，相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。请注意，输出电容器的等效串联电阻 (ESR) 会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10豪欧量级，而钽电容器ESR在100豪欧量级。另外，许多钽电容器的ESR随温度变化很大，会对LDO性能产生不利影响。如果温度变化不大，而且电容器和接地之间串联适当的电阻（一般200m），可以取代陶瓷电容器而使用钽电容器。需要咨询LDO厂商以确保正确的实施。
RF与音频应用
最后，考虑便携式应用中所采用的、专用电路的功率要求。
RF电路（包括LNA（低噪声放大器）、升压/降压转换器、混频器、PLL、VCO、IF放大器和功率放大器），需要采用具有低噪声和高PSRR的LDO。在设计现代收发系统时应非常小心，以保证低噪声和高线性。
电源噪声会增加VCO的相位噪声，而且会进入接收或发送放大器。在W-CDMA等流行手机技术对频谱再生和邻道功率提出严格要求的情况下，进入放大器的基/栅或收集器/漏极电源的极少量电源噪声就会产生邻道噪声或假信号。
为了满足手机、MP3、游戏以及多媒体PDA应用等便携式设备中的音频需求，可能需要300～500mA的LDO。而且，为了获得良好的音频质量，这种LDO在音频频率（20Hz~20kHz）时应该是低噪声并可提供高PSRR。

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如何选择开关电源电路中滤波电容
滤波电容在开关电源中起着非常重要的作用，如何正确选择滤波电容，尤其是输出滤波电容的选择则是每个工程技术人员都十分关心的问题。
　 50Hz工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间是毫秒数量级。为获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万μF，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。而开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，这时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。
　　普通的低频电解电容器在10kHz左右便开始呈现感性，无法满足开关电源的使用要求。而开关电源专用的高频铝电解电容器有四个端子，正极铝片的两端分别引出作为电容器的正极，负极铝片的两端也分别引出作为负极。电流从四端电容的一个正端流入，经过电容内部，再从另一个正端流向负载；从负载返回的电流也从电容的一个负端流入，再从另一个负端流向电源负端。
　　由于四端电容具有良好的高频特性，为减小电压的脉动分量以及抑制开关尖峰噪声提供了极为有利的手段。高频铝电解电容器还有多芯的形式，即将铝箔分成较短的若干段，用多引出片并联连接以减小容抗中的阻抗成份。并且采用低电阻率的材料作为引出端子，提高了电容器承受大电流的能力。

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如何选择开关电源电路中滤波电容

滤波电容在开关电源中起着非常重要的作用，如何正确选择滤波电容，尤其是输出滤波电容的选择则是每个工程技术人员都十分关心的问题。
　 50Hz工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间是毫秒数量级。为获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万μF，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。而开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，这时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。
　　普通的低频电解电容器在10kHz左右便开始呈现感性，无法满足开关电源的使用要求。而开关电源专用的高频铝电解电容器有四个端子，正极铝片的两端分别引出作为电容器的正极，负极铝片的两端也分别引出作为负极。电流从四端电容的一个正端流入，经过电容内部，再从另一个正端流向负载；从负载返回的电流也从电容的一个负端流入，再从另一个负端流向电源负端。
　　由于四端电容具有良好的高频特性，为减小电压的脉动分量以及抑制开关尖峰噪声提供了极为有利的手段。高频铝电解电容器还有多芯的形式，即将铝箔分成较短的若干段，用多引出片并联连接以减小容抗中的阻抗成份。并且采用低电阻率的材料作为引出端子，提高了电容器承受大电流的能力。

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AT89S52系列单片机型号含义及主要型号
AT89S52 DIP封装现主要有这些型号：AT89S52-24PC、AT89S52-24PI、AT89S52-24PU。
下面对AT89S52的型号标识进行解析：
1. 后缀的数字部分，表示支持的最高系统时钟。
例：AT89S52-24PU，“24”表示可支持最高为24MHz的系统时钟。
2. 后缀第一个字母，表示封装。“P”：DIP封装，“A”：TQFP封装，“J”：PLCC封装。
例：AT89S52-24PU，“P”表示DIP封装。
3. 后缀最后一个字母，表示应用级别。“C”：商业级，“I”：工业级（有铅）、“U”工业级（无铅）。
例：AT89S52-24PU，“U”表示无铅工业级。AT89S52-24PI，“I”表示有铅工业级。

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AVR单片机的主要特性及选型
　　高可靠性、功能强、高速度、低功耗和低价位 , 一直是衡量单片机性能的重要指标,也是单片机占领市场、赖以生存的必要条件。
　　早期单片机主要由于工艺及设计水平不高、功耗高和抗干扰性能差等原因,所以采取稳妥方案：即采用较高的分频系数对时钟分频,使得指令周期长,执行速度慢。以后的 CMOS单片机虽然采用提高时钟频率和缩小分频系数等措施,但这种状态并未被彻底改观(51以及51兼容)。此间虽有某些精简指令集单片机(RISC)问世,但依然沿袭对时钟分频的作法。
　　
AVR单片机的推出,彻底打破这种旧设计格局,废除了机器周期,抛弃复杂指令计算机(CISC)追求指令完备的做法;采用精简指令集,以字作为指令长度单位,将内容丰富的操作数与操作码安排在一字之中(指令集中占大多数的单周期指令都是如此),取指周期短,又可预取指令,实现流水作业,故可高速执行指令。当然这种速度上的升跃,是以高可靠性为其后盾的。
　　
AVR单片机硬件结构采取8位机与16位机的折中策略,即采用局部寄存器存堆(32个寄存器文件)和单体高速输入/输出的方案(即输入捕获寄存器、输出比较匹配寄存器及相应控制逻辑)。提高了指令执行速度(1Mips/MHz),克服了瓶颈现象,增强了功能;同时又减少了对外设管理的开销,相对简化了硬件结构,降低了成本。故AVR单片机在软/硬件开销、速度、性能和成本诸多方面取得了优化平衡,是高性价比的单片机。
　　
AVR单片机内嵌高质量的Flash程序存储器,擦写方便,支持ISP和IAP,便于产品的调试、开发、生产、更新。内嵌长寿命的EEProm可长期保存关键数据,避免断电丢失。片内大容量的RAM不仅能满足一般场合的使用,同时也更有效的支持使用高级语言开发系统程序,并可像MCS-51单片机那样扩展外部 RAM。
　　
AVR单片机的I/O线全部带可设置的上拉电阻、可单独设定为输入/输出、可设定（初始）高阻输入、驱动能力强（可省去功率驱动器件）等特性,使的得I/O口资源灵活、功能强大、可充分利用。
　　
AVR单片机片内具备多种独立的时钟分频器,分别供URAT、I2C、SPI使用。其中与8/16位定时器配合的具有多达10 位的预分频器,可通过软件设定分频系数提供多种档次的定时时间。AVR单片机独有的“以定时器/计数器（单）双向计数形成三角波,再与输出比较匹配寄存器配合,生成占空比可变、频率可变、相位可变方波的设计方法(即脉宽调制输出PWM)”更是令人耳目一新。
　　增强性的高速同/异步串口,具有硬件产生校验码、硬件检测和校验侦错、两级接收缓冲、波特率自动调整定位（接收时）、屏蔽数据帧等功能,提高了通信的可靠性,方便程序编写,更便于组成分布式网络和实现多机通信系统的复杂应用,串口功能大大超过MCS-51/96单片机的串口,加之AVR单片机高速,中断服务时间短,故可实现高波特率通讯。
　　面向字节的高速硬件串行接口TWI、SPI。TWI与I2C接口兼容,具备ACK信号硬件发送与识别、地址识别、总线仲裁等功能,能实现主/从机的收/发全部4种组合的多机通信。SPI支持主/从机等4种组合的多机通信。
　　
AVR单片机有自动上电复位电路、独立的看门狗电路、低电压检测电路BOD,多个复位源(自动上下电复位、外部复位、看门狗复位、BOD复位),可设置的启动后延时运行程序,增强了嵌入式系统的可靠性。
　　
AVR单片机具有多种省电休眠模式,且可宽电压运行（5-2.7V）,抗干扰能力强,可降低一般8位机中的软件抗干扰设计工作量和硬件的使用量。
　　
AVR单片机技术体现了单片机集多种器件(包括FLASH程序存储器、看门狗、EEPROM、同/异步串行口、TWI、SPI、A/D模数转换器、定时器/计数器等)和多种功能(增强可靠性的复位系统、降低功耗抗干扰的休眠模式、品种多门类全的中断系统、具输入捕获和比较匹配输出等多样化功能的定时器/计数器、具替换功能的I/O端口…… )于一身,充分体现了单片机技术的从“片自为战”向“片上系统SoC”过渡的发展方向。 综上所述,AVR单片机博采众长,又具独特技术,不愧为8位机中的佼佼者。


AVR系列单片机的选型
　　AVR单片机系列齐全,可适用于各种不同场合的要求。AVR单片机有3个档次:
　　低档Tiny系列AVR单片机: 主要有 Tiny11/12/13/15/26/28等;
　　中档AT90S系列AVR 单片机: 主要有AT90S1200/2313/8515/8535等; (正在淘汰或转型到Mega中)
　　高档ATmega系列AVR单片机: 主要有ATmega8/16/32/64/128（ 存储容量为8/16/32/64/128 KB）以及ATmega8515/8535等。
　　AVR器件引脚从8脚到64脚, 还有各种不同封装供选择。

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继电器选用时应考虑的问题
   1.先了解必要的条件
　　①控制电路的电源电压，能提供的最大电流；
　　②被控制电路中的电压和电流；
　　③被控电路需要几组、什么形式的触点。选用继电器时，一般控制电路的电源电压可作为选用的依据。控制电路应能给继电器提供足够的工作电流，否则继电器吸合是不稳定的。
　　2.查阅有关资料确定使用条件后，可查找相关资料，找出需要的继电器的型号和规格号。若手头已有继电器，可依据资料核对是否可以利用。最后考虑尺寸是否合适。
　　3.注意器具的容积。若是用于一般用电器，除考虑机箱容积外，小型继电器主要考虑电路板安装布局。对于小型电器，如玩具、遥控装置则应选用超小型继电器产品。

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如何选择积分电容

基本原则是：漏电流要小。
CBB电容
积分电容理论上说采用云母电容最好。精度、稳定度、温度影响等不比CBB差，而且没有吸收效应，应该试最为理想的器件。
但是，容量不容易做得太大（一般10P-10000P)，价格非常高
目前市场上常用的电容器损耗比较低的也就是CBB和云母。CBB的成品容量比较大，云母的比较小。

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数字集成电路74LS/74ASL/74HC/74HCT/74F系列芯片的区别
1、 LS是低功耗肖特基，其改进型为先进低功耗肖特基TTL，即74ALS系列，它的性能比74LS更好。HC是高速COMS，具有CMOS的低功耗和相当于74LS高速度的性能，属于一种高速低功耗产品。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路；
2、 LS是TTL电平，HC是COMS电平。
3、 LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求
4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。
5、 工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V；
6、 电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8和V2.4，而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的
7、 驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA；而CMOS的高低电平均为5mA；
8、 CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。
9、上述两者的工作频率都在30mHz以下，74ALS略高，可达50mHz。但它们的工作电压却大不相同：74LS系列为5V，74HC系列为2~6V。
10、扇出能力：74LS系列为20，而74HC系列在直流时则高达1000以上，但在交流时很低，由工作频率决定。
74LS属于TTL类型的集成电路，而74HC属于CMOS集成电路。
LS、HC 二者高电平低电平定义不同，HC高电平规定为0.7倍电源电压，低电平规定为0.3倍电源电压。LS规定高电平为2.0V，低电平为0.8V。 带负载特性不同。HC上拉下拉能力相同，LS上拉弱而下拉强。
输入特性不同。HC输入电阻很高，输入开路时电平不定。LS输入内部有上拉，输入开路时为高电平。
其实现在的很多器件都已优化了，并不完全局限于原来固有的缺点，所以设计时还应看一下厂家的手册为好。

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数字集成电路74LS/74ASL/74HC/74HCT/74F系列芯片的区别
1、 LS是低功耗肖特基，其改进型为先进低功耗肖特基TTL，即74ALS系列，它的性能比74LS更好。HC是高速COMS，具有CMOS的低功耗和相当于74LS高速度的性能，属于一种高速低功耗产品。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路；
2、 LS是TTL电平，HC是COMS电平。
3、 LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求
4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。
5、 工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V；
6、 电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8和V2.4，而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的
7、 驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA；而CMOS的高低电平均为5mA；
8、 CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。
9、上述两者的工作频率都在30mHz以下，74ALS略高，可达50mHz。但它们的工作电压却大不相同：74LS系列为5V，74HC系列为2~6V。
10、扇出能力：74LS系列为20，而74HC系列在直流时则高达1000以上，但在交流时很低，由工作频率决定。
74LS属于TTL类型的集成电路，而74HC属于CMOS集成电路。
LS、HC 二者高电平低电平定义不同，HC高电平规定为0.7倍电源电压，低电平规定为0.3倍电源电压。LS规定高电平为2.0V，低电平为0.8V。 带负载特性不同。HC上拉下拉能力相同，LS上拉弱而下拉强。
输入特性不同。HC输入电阻很高，输入开路时电平不定。LS输入内部有上拉，输入开路时为高电平。
其实现在的很多器件都已优化了，并不完全局限于原来固有的缺点，所以设计时还应看一下厂家的手册为好。

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晶体振荡器(晶振)选型时应考虑的一些重要指标及含义
   本文介绍了一些足以表现出一个晶体振荡器性能高低的技术指标,如总频差,频率稳定预热时间,频率老化率,压控范围等.了解这些指标的含义.
　 总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
　　 说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。                                          
　　fT=±(FMax-fmin)/(fmax+fmin)                                         
　　fTref ＝±MAX[｜(FMax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜]            
fT：频率温度稳定度(不带隐含基准温度)                                 
　　fTref：频率温度稳定度(带隐含基准温度)                                
　　FMax ：规定温度范围内测得的最高频率                                 
　　FMin：规定温度范围内测得的最低频率                                   
　　fref：规定基准温度测得的频率
                                         
　　说明：采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故fTref指标的晶体振荡器售价较高。
　　频率稳定预热时间：以晶体振荡器稳定输出频率为基准，从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间。
　　说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟)。
　　频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，可用规定时限后的最大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内最大的总频率变化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来表示。
　　说明：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
　　频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的最小峰值改变量。
　　说明：基准电压为＋2.5V，规定终点电压为＋0.5V和＋4.5V，压控晶体振荡器在＋0.5V频率控制电压时频率改变量为-110ppm，在＋4.5V频率控制电压时频率改变量为＋130ppm，则VCXO电压控制频率压控范围表示为：≥±100ppm(2.5V±2V)。
　　压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。                           
　　说明：VCXO频率压控范围频率响应为0～10kHz。频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
　　说明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%。简单的VCXO频率压控线性计算方法为(当频率压控极性为正极性时)：
　　频率压控线性＝±((FMax-fmin)/ f0)×100%
　　FMax：VCXO在最大压控电压时的输出频率
　　FMin：VCXO在最小压控电压时的输出频率
　　f0：压控中心电压频率
　　单边带相位噪声￡(f)：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。

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什么是好电容--电容选择中的一些误区
1.电容容量越大越好。
    很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻抗小。因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，电容提供电流能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小。从保证电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。
2.同样容量的电容，并联越多的小电容越好，
    耐压值、耐温值、容值、ESR(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于ESR自然是越低越好。ESR与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，ESR越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电阻，ESR越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻抗，采用多个小电容并联，效果并不一定突出。
3.ESR越低，效果越好。
    结合我们上面的提高的供电电路来说，对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相对容量的要求，对ESR的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收MOSFET的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。ESR的要求则高一点，因为这里要保证的是足够的电流通过量。但这里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。
4.好电容代表着高品质。
   “唯电容论”曾经盛极一时，一些厂商和媒体也刻意的把这个事情做成一个卖点。在板卡设计中，电路设计水平是关键。和有的厂商可以用两相供电做出比一些厂商采用四相供电更稳定的产品一样，一味的采用高价电容，不一定能做出好产品。衡量一个产品，一定要全方位多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。

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贴布(Tape)类的分类及常用材质,特点及应用范围
贴布类的部材种类繁多,性能也各异, 下面仅就经常用到的贴布规格按其功用大致分为以下五大类:
1.反射贴布. 2.扩散贴布 3.增光贴布 4.遮光及遮光反射贴布 5.双面胶
下面就各类贴布的特点,常用材质及使用范围一一加以说明.
4.1 反射贴布的特点,常用材质及使用范围
1. 反射贴布的特点:
具有反射光线的作用,本身不含背胶.从外观上看有白色及银色两种.
2. 常用材质及使用范围:
(1) E20系列 (材质呈双面白色)
E20#50( T=0.05mm) , E20#75(T=0.075mm), E20#100(T=0.1mm), E20#125(T=0.125mm), E20 #188(T=0.188mm)
广泛用於非白光

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常用背光源类型,特点及选型指南
常用的光源可大致分为: Chip,LED, LAMP, CCFL等四大类.
光源类的电器特性参数: Vf , If, IV ,λ(色度偏差)等.
1. Chip类
(1) 是结构最原始的一种光源,.
与PCB的组装方式: 是要通过银胶来粘接, 并且正极要*打线的方式与PCB的正极导通,并且要点胶保护.
(2)特点: 体积小, 成本低, 亮度值与其它类光源相比,相对较低, 多用於A TYPE及B TYPE

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低通抗混叠滤波器的选择
抗混叠滤波器的选择 Bessel ,Buttorworth or Chebyshev Fcut-off =500Hz 信号最高频率500Hz，AD采样采用1KHZ，12位转换精度，抗混叠滤波器选择 Bessel ,Buttorworth or Chebyshev 哪种较好?　　
　　Chebyshev ：转折比较抖，幅频特性在下降前有上升段，相位特性最差，瞬态响应严重上冲。
　　Bessel ：转折最缓，幅频特性在下降前无上升段，相位特性最好，瞬态响应无上冲。　　
　　Buttorworth：介于两者之间，幅频特性在下降前无上升段，相位特性较好，瞬态响应轻微上冲，使用最为广泛。　　
　　您可根据实际需要，确定选择何种特性的LPF。

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高频三极管2SC1970,2SC1971及2SC1972的联系与区别
2SC1970与2SC1971,2SC1972都是高频(VHF)晶体管，外形一样，但是功率不一样。鉴别时，可用数字表测，中间脚为发射极的为2SC1971，2SC1972.中间脚为集电极的为1970。
C1970 NPN 40V0.6A PQ=1.0W/175MHz
C1971 35V 2.0A PQ=7.0W/175MHz
C1972 35V 3.5A PQ=15W/175MHz

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开关二极管及整流二极管的选用经验
　 1、开关二极管的选用
      开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。
　　 中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。要根据应用电路的主要参数（例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。
　 2．整流二极管的选用
      整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
　　 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
　　 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
　　 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。

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几种常用二极管的选用经验
本文主要介绍一下几种常用二极管的选用经验,如检波二极管,整流二极管,稳压二极管及开关二极管等.
　 1．整流二极管的选用
     整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
　　 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
　　 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
　　 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。

    2．检波二极管的选用
    检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
　　3．稳压二极管的选用
    稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。
　　 选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。
　　4、开关二极管的选用
     开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。
　　 中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。要根据应用电路的主要参数（例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。
　　5、变容二极管的选用
    选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

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稳压二极管选用时的几点注意事项
稳压二极管用途广泛，使用极多,以下是稳压二极管选用及应用时的几点注意事项：
1.温度对半导体器件的特性影响较大，当环境温度超过 50℃ 时，温度每升高 1℃，应将最大耗散功率降低1％。

2.可将多只稳压二极管串联使用，但由于二极管参数的离散性比较大，不得并联使用。

3.稳压二极管管脚必须在离管壳 5mm 以上处进行焊接，最好使用 30W 以下的电烙铁进行焊接。若使用 40～75W 电烙铁焊接时，焊接时间应不超过 8～10s。尽量使用内装焊料的焊锡丝焊接，不要使用大块焊锡加松香的方法。

4.为了使稳压二极管的电压温度系数得到补偿，可以将稳压二极管与硅二极管（包括硅稳压二极管）串联使用，所串的正向二极管不得超过三个，也可与特殊的温度补偿管串联使用。

5.为了获得较低的稳定电压，可以选择适当的稳压二极管以相反极性方向串联，再加以适当的工作电流来获得。即将稳压二极管正向使用。