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配电用断路器的选择原则与方法

配电用断路器是指在低压电网中专门用于分配电能的断路器,包括电源总断路器和负载支路断路器。在选用这一类断路器时,需特别注意下列选用原则:
(1)断路器的长延时动作电流整定值≤导线容许载流量。对于采用电线电缆的情况,可取电线电缆容许载流量的80%。
(2)3倍长延时动作电流整定值的可返回时间≥线路中最大起动电流的电动机的起动时间。
(3)短延时动作电流整定值I1为:
I1=1.1(Ijx+1.35kIed)
式中:Ijx———线路计算负载电流(A);
k———电动机的起动电流倍数;
Ied———电动机额定电流(A)。
(4)瞬时电流整定值I2为:
I2=1.1(Ijx+klkIedm)
式中:kl———电动机起动电流的冲击系数,一般取kl=1.7～2;
Iedm———最大的一台电动机的额定电流。
(5)短延时的时间阶段,按配电系统的分段而定。
一般时间阶段为2～3级。每级之间的短延时时差为0.1～0.2s,视断路器短延时机构的动作精度而定,其可返回时间应保证各级的选择性动作。选定短延时阶梯后,最好按被保护对象的热稳定性能加以校核。

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前置放大器元器件选择原则

由于运算放大器集成电路体积小巧、性能卓越，因此目前许多前置放大器都采用这类运算放大器芯片。我们为音响系统设计前置放大器电路时，必须清楚知道如何为运算放大器选定适当的技术规格。在设计过程中，系统设计工程师经常会面临以下问题。

是否有必要采用高精度的运算放大器？

输入信号电平振幅可能会超过运算放大器的错误容限，这并非运算放大器所能接受。若输入信号或共模电压太微弱，设计师应该采用补偿电压(Vos)极低而共模抑制比(CMRR)极高的高精度运算放大器。是否采用高精度运算放大器取决于系统设计需要达到多少倍的放大增益，增益越大，便越需要采用较高准确度的运算放大器。
运算放大器需要什么样的供电电压？

这个问题要看输入信号的动态电压范围、系统整体供电电压大小以及输出要求才可决定，但不同电源的不同电源抑制比(PSRR)会影响运算放大器的准确性，其中以采用电池供电的系统所受影响最大。此外，功耗大小也与内部电路的静态电流及供电电压有直接的关系。
输出电压是否需要满摆幅？

低供电电压设计通常都需要满摆幅的输出，以便充分利用整个动态电压范围，以扩大输出信号摆幅。至于满摆幅输入的问题，运算放大器电路的配置会有自己的解决办法。由于前置放大器一般都采用反相或非反相放大器配置，因此输入无需满摆幅，原因是共模电压(Vcm)永远小于输出范围或等于零(只有极少例外，例如设有浮动接地的单供电电压运算放大器)。

增益带宽的问题是否更令人忧虑？

是的，尤其是对于音频前置放大器来说，这是一个非常令人忧虑的问题。由于人类听觉只能察觉大约由20Hz至20kHz频率范围的声音，因此部分工程师设计音频系统时会忽略或轻视这个“范围较窄”的带宽。事实上，体现音频器件性能的重要技术参数如低总谐波失真(THD)、快速转换率(slew rate)以及低噪声等都是高增益带宽放大器所必须具备的条件。

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继电器选择与使用注意事项
1、继电器额定工作电压的选择
　　继电器额定工作电压是继电器最主要的一项技术参数。在使用继电器时，应该首先考虑所在电路(即继电器线圈所在的电路)的工作电压，继电器的额定工作电压应等于所在电路的工作电压。一般所在电路的工作电压是继电器额定工作电压的0.86。注意所在电路的工件电压千万不能超过继电器额定工作电压，否则继电器线圈容易烧毁。另外，有些集成电路，例如NE555电路是可以直接驱动继电器工作的，而有些集成电路，例如COMS电路输出电流小，需要加一级晶体管放大电路方可驱动继电器，这就应考虑晶体管输出电流应大于继电器的额定工作电流。
2、触点负载的选择
　　触点负载是指触点的承受能力。继电器的触点在转换时可承受一定的电压和电流。所以在使用继电器时，应考虑加在触点上的电压和通过触点的电流不能超过该继电器的触点负载能力。例如，有一继电器的触点负载为28V(DC)×10A，表明该继电器触点只能工作在直流电压为28V的电路上，触点电流为10A，超过28V或10A，会影响继电器正常使用，甚至烧毁触点。
3、继电器线圈电源的选择
　　这是指继电器线圈使用的是直流电(DC)还是交流电(AC)。通常，初学者在进行电子制作活动中，都是采用电子线路，而电子线路往往采用直流电源供电，所以必须是采用线圈是直流电压的继电器。

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压敏电阻选用方法及注意事项
　我国规定压敏电阻用字母“MY”表示，如加J为家用，后面的字母W、G、P、L、H、Z、B、C、N、K分别用于稳压、过压保护、高频电路、防雷、灭弧、消噪、补偿、消磁、高能或高可靠等方面。压敏电阻虽然能吸收很大的浪涌电能量，但不能承受毫安级以上的持续电流，在用作过压保护时必须考虑到这一点。压敏电阻的选用，一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。
　　1.所谓通流容量，即最大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过± 10％时的最大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品最大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用2－20KA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，并联后的压敏电不变，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。
　　2.所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。指在规定电流下的电压值，大多数情况下用1mA直流电流通入压敏电阻器时测得的电压值，其产品的压敏电压范围可以从10－9000V不等。可根据具体需要正确选用。一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC，式中，Vp为电路额定电压的峰值。VAC为额定交流电压的有效值。ZnO压敏电阻的电压值选择是至关重要的，它关系到保护效果与使用寿命。如一台用电器的额定电源电压为220V，则压敏电阻电压值V1mA=1.5Vp=1.5××220V=476V，V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V，因此压敏电阻的击穿电压可选在470－480V之间

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电容降压式电源电路的电容的选用方法
　  在常用的低压电源中，用电容器降压（实际是电容限流）与用变压器相比，电容降压的电源体积小、经济、可靠、效率高，缺点是不如变压器变压的电源安全。通过电容器把交流电引入负载中，对地有220V电压，人易触电，但若用在不需人体接触的电路内部电路电源中，本弱点也可克服。

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几款常用的无刷电机驱动芯片型号
  IC产品分为两个系列：单相无刷电机驱动IC和三相无刷电机驱动IC，均拥有内部的RC频率，并包含过电压保护电路、低电压保护电路、正反转、故障警示、VR、IO及PWM速度控制方式，以及缓启动时间可调整等功能，具有典型马达运作的功能，可以有效率的控制无刷直流电机运作。
型号：单相电机驱动系列--L13031;L13032;L13033;L13034
三相电机有霍尔驱动系列--L33033;L33034;L3303;L33036
三相电机无霍尔驱动系列--L8850;L8851;L8852;L8853

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三极管的选用经验
晶体管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的晶体管。
1．一般高频晶体管的选用
   一般小信号处理（例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。

2．末级视放输出管的选用
   彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管。
21in（in=0.0254m）以下的中小屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管,其耗散功率应大于或等于750mW,最大集电极电流应大于或等于50mA,最高反向电压应大于200V,一般可选用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型号的晶体管。
25英寸以上的大屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管，其耗散功率应大于或等于1.5W，最大集电极电流应大于或等于50mA，最高反向电压应大于300V，一般可选用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型号的晶体管。

3．行推动管的选用
   彩色电视机中使用的行推动管，应选用中、大功率的高频晶体管。其耗散功率应大于或等于10W，最大集电极电流应大于150mA，最高反向电压应大于或等于250V。一般可选用3DK204、2SC1569、2SC2482、2SC2655、2SC2688等型号的三极管。

4．行输出管的选用
   彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管，其最高反向电压应大于或等于1200V，耗散功率应大于或等于50W，最大集电极电流应大于或等于3.5A（大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应大于或等于60W，最大集电极电流应大于5A）。
21英寸以下小屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD869、2SD870、2SD871、2SD899A、2SD950、2SD951、2SD1426、2SD1427、2SD1556、2SD1878等型号的晶体管。
25英寸以上的大屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD1433、2SD2253、2SD1432、2SD1941、2SD953、2SC3153、2SD1887等型号的晶体管。

5．开关三极管的选用
   小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等型号的小功率开关晶体管。
大电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压大等于100V，耗散功率高于30W，最大集电极电流大于或等于5A，可选用3DK200、DK55、DK56等型号的大功率开关晶体管。
开关电源等电路中使用的开关晶体管，其耗散功率大于或等于50W，最大集电极电流大于或等于3A，最高反向电压高于800V。一般可选用2SD820、2SD850、2SD1403、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型号的高反压大功率开关晶体管。

6．达林顿管的选用
   达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动、高增益放大等电路中。
继电器驱动电路与高增益放大电路中使用的达林顿管，可以选用不带保护电路的中、小功率普通达林顿晶体管。而音频功率输出、电源调整等电路中使用的达林顿管，可选用大功率、大电流型普通达林顿晶体管或带保护电路的大功率达林顿晶体管。

7．音频功率放大互补对管的选用
   音频功率放大器的低放电路和功率输出电路，一般均采用互补推挽对管（通常由1只NPN型晶体管和1只PNP型晶体管组成）。选用时要求两管配对，即性能参数要一致。
低放电路中采用的中、小功率互补推挽对管，其耗散功率小于或等1W，最大集电极电流小于或等于1.5A，最高反向电压为50~300V。常见的有2SC945/2SA733、2SC1815/2SA1015、2N5401/2N5551、S8050/S8550等型号。选用时应根据应用电路具体要求而定。
后级功率放大电路中使用的互补推挽对管，应选用大电流、大功率、低噪声晶体管，其耗散功率为100~200W，集电极最大电流为10~30A，最高反向电压为120~200V。常用的大功率互补对管有2SC2922/2SA1216、2SC3280/2SA1301、2SC3281/2SA1302、2N3055/MJ2955等型号。

8．带阻晶体管的选用
   带阻晶体管是录像机、影碟机、彩色电视机中常用的晶体管，其种类较多，但一般不能作为普通晶体管使用，只能“专管专用”。
选用带阻晶体管时，应根据电路的要求（例如输入电压的高低、开关速度、饱和深度、功耗等）及其内部电阻器的阻值搭配，来选择合适的管型。

9．光敏三极管的选用
   光敏三极管和其它三极管一样，不允许其电参数超过最大值（例如最高工作电压、最大集电极电流和最大允许功耗等），否则会缩短光敏三极管的使用寿命甚至烧毁三极管。
另外，所选光敏三极管的光谱响应范围必须与入射光的光谱牧场生相互匹配，以获得最佳的响应特性。

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开关三极管的选用
   小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等型号的小功率开关晶体管。
大电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压大等于100V，耗散功率高于30W，最大集电极电流大于或等于5A，可选用3DK200、DK55、DK56等型号的大功率开关晶体管。
开关电源等电路中使用的开关晶体管，其耗散功率大于或等于50W，最大集电极电流大于或等于3A，最高反向电压高于800V。一般可选用2SD820、2SD850、2SD1403、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型号的高反压大功率开关晶体管。

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行推动三极管及行输出三极管的选用
行推动管的选用
     彩色电视机中使用的行推动管，应选用中、大功率的高频晶体管。其耗散功率应大于或等于10W，最大集电极电流应大于150mA，最高反向电压应大于或等于250V。一般可选用3DK204、2SC1569、2SC2482、2SC2655、2SC2688等型号的三极管。

行输出管的选用
     彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管，其最高反向电压应大于或等于1200V，耗散功率应大于或等于50W，最大集电极电流应大于或等于3.5A（大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应大于或等于60W，最大集电极电流应大于5A）。
21英寸以下小屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD869、2SD870、2SD871、2SD899A、2SD950、2SD951、2SD1426、2SD1427、2SD1556、2SD1878等型号的晶体管。
25英寸以上的大屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD1433、2SD2253、2SD1432、2SD1941、2SD953、2SC3153、2SD1887等型号的晶体管。

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一般高频晶体三极管的选用方法

        一般小信号处理（例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。

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如何选择最佳线性稳压器
   为特定的应用选择合适的稳压器，需要考虑输入电压的类型和范围（例如稳压器前面的DC/DC变换器或开关电源的输出电压）。其它重要考虑因素是：需要的输出电压、最大负载电流、最小压差、静态电流和功耗。通常，稳压器的附加功能可能很有用，例如待机引脚或指示稳压失效的错误标志。
   为了选择合适类型的LDO，需要考虑输入电压源。在电池供电应用中，当电池放电时，LDO必须维持所需的系统电压。如果DC输入电压是由经过整流的AC电源提供，那么压差并不重要，因此标准稳压器可能是更好的选择，因为其更价格较低并且可以提供较大的负载电流。但是如果需要较低功耗或较精密的输出电压，则 LDO是合适的选择。
当然，稳压器应该在最坏工作环境达到规定精度的条件下能够为负载提供足够大的电流。
LDO结构
   在图1中，调整管是PMOS晶体管。然而，稳压器可能使用各种类型的调整管，因此可以根据所使用的调整管类型对LDO分类。不同结构和特性的LDO具有不同的优点和缺点。四种类型调整管示例如图3所示，包括NPN双极型晶体管、PNP双极型晶体管、复合晶体管和PMOS晶体管。

图3 调整管示例  
   对于给定的电源电压，双极型调整管可提供最大的输出电流。PNP优于NPN，因为PNP的基极可以与地连接，必要时使晶体管完全饱和。 NPN的基极只能与尽可能高的电源电压连接，从而使最小压降限制到一个VBE结压降。因此，NPN管和复合调整管不能提供小于1V的压差。然而它们在需要宽带宽和抗容性负载干扰时非常有用（因为它们具有低输出阻抗ZOUT特性）。
   PMOS和PNP晶体管可以快速达到饱和，从而能使调整管电压损耗和功耗最小，从而允许用作低压差、低功耗稳压器。PMOS调整管可以提供尽可能最低的电压降，大约等于RDS(ON)×IL。它允许达到最低的静态电流。PMOS调整管的主要缺点是MOS 晶体管通常用作外部器件—特别当控制大电流时—从而使IC构成一个控制器，而不能构成一个自身完整的稳压器。
一个完整稳压器的总功耗是    PD = (VIN – VOUT) IL + VINIGND
   上面关系式的第一部分是调整管的功耗；第二部分是电路控制器部分的功耗。有些稳压器的接地电流，特别是那些用饱和双极型晶体管作调整管的稳压器，会在上电期间达到峰值。
确保LDO动态稳定性
   适合普通应用的传统LDO稳压器设计存在稳定性问题。这个问题是由于反馈电路的性能、多种可能的负载、环路中元件的变化和难于获得具有一致性参数的精密补偿。下面将讨论这些考虑因素。LDO通常使用一个反馈环路在输出端提供一个与负载无关的恒定电压。因为对于任何高增益反馈环路来说，环路增益传递函数中极点和零点的位置都决定其稳定性。
   基于NPN管的稳压器具有低阻抗射极负载输出，倾向于对输出容性负载很不敏感。然而，基于PNP管和PMOS管的稳压器具有较大的输出阻抗（在基于PNP 管的稳压器中具有高阻抗集电极负载）。此外，环路增益和相位特性强烈依赖负载阻抗，因此对于稳定性问题需要特别考虑。
基于PNP管的LDO和基于PMOS管的LDO的传递函数具有几个影响稳定性的极点：
•主极点（图4中的P0）由误差放大器决定；它是由放大器的gm通过内部补偿电容CCOMP一起控制和确定的。主极点对上述所有LDO结构都是共同的。
•第二极点（P1）由输出电抗（指输出电容和负载电容以及负载阻抗）决定。这使得应用问题更难处理，因为这些电抗会影响环路的增益和带宽。
•第三极点（P2）由调整管附近的寄生电容决定。在相同条件下，PNP功率晶体管的单位增益频率（fT）比NPN晶体管的fT低很多。

图4 LDO的幅频响应。
如图4所示，每个极点产生每10倍频程20dB的增益下降并且伴随90 °的相移。因为这里所讨论的LDO有多个极点，所以如果单位增益频率处的相移达到－180 °，线性稳压器会变得不稳定。图4还示出了容性负载对稳压器的影响，其等效串联电阻（ESR）会在传递函数中增加一个零点（ZESR）。该零点有助于补偿其中一个极点，并且如果该极点出现在单位增益频率以下时有助于稳定环路并且保持相应频点的相移低于－180 °。
   ESR对于维持稳定性可能是至关重要的，特别对于使用纵向PNP调整管的LDO。然而，由于电容器的寄生特性，所以ESR不总是好控制。电路可能需要ESR集中在某个窗口范围内以确保LDO工作在对于所有输出电流都稳定的区域（见图5）。

图5 稳定性随输出电流IOUT和负载电容的ESR变化。
   虽然原则上选择具有合适ESR的合适电容器（要求频率响应曲线在穿过0 dB之前下降得足够快，并且在达到相关极点P2之前向低于0 dB增益方向减小得足够满）非常困难。实际考虑还会增加更多的困难：ESR随着产品型号变化；大批量生产使用的最小电容值需要进行基准测试，包括最小环境温度和最大负载的极端条件。电容器类型的选择也很重要。最合适的电容器是钽电解电容器，尽管具有大容量的钽电解电容器尺寸很大。多层陶瓷电容类型无法为普通的LDO提供足够的电容，但是它们这种稳定的低电容适合于新型LDO。铝电解电容器的尺寸很小，但其ESR在低温时会变差，并且在－30 °C以下无法正常工作。

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如何为你的设计选用合适的电容器
1. 所有无源组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.

2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:
A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃
B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).
C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.
D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)
E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.
F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.
G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.
H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型 (即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.

3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.
A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).
B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.
C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.

4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.
A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.
B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证, 一般称为X2电容.
C. 聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.
D. 金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.
E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低, 可适用于一般直流或低频电路工作.
F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.

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二进制串行计数器CD4020,CD4040,CD4060的联系与区别
       CD4020是14位二进制串行计数器。所有的计数器为主从触发器。计数器在时钟下降沿进行计数，CR为高电平时，对计数器进行清零。由于在时钟输入端使用斯密特触发器，对脉冲上升和下降时间无限制，所有输入和输出均经过缓冲。
  
         CD4040是12位二进制串行计数器，所有计数器位为主从触发器。计数器在时钟下降 沿进行计数，CR为高电平时，对计数器进行清零。由于在时钟输入端使用斯密特触发器，对脉冲上升和下降时间无限制。所有输入和输出均经过缓冲。
  
         CD4060由一振荡器和14级二进制串行计数器位组成，振荡器的结构可以是RC或晶振电路，CR为高电平时，计数器清零且振荡器使用无效。所有的计数器位均为主从触发器。在CP1(和CP0)的下降沿计数器以二进制进行计数。在时钟脉冲线上使用斯密特触发器对时钟上升和下降时间无限制。

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如何选用线性稳压器
线性稳压器通常被设计工程师作为辅助措施,并且经常被选用于产品开发的后期阶段。设计工程师比较关注的是如何使复杂的基频(BB) 或射频( RF )ASIC 发挥作用,而不是其所选线性稳压器的功率/性能。
---线性稳压器的选择依据通常性能列表中的主要规格,而不是位于数据表封面以内的非常关键的核心和性能参数。规格经常很容易令人误解 - 封面上所列的规格只代表主要参数,但如果不与其他连接参数相结合时,便失去了价值。例如,接地电流是这些参数中的一个。出现这种情形的原因是,线性稳压器市场的竞争性质让器件制造商认识到, 需要让时间有限的工程师们更加关注自己的器件。此外,在信息提供方式方面,也没有真正的标准化。不同的数值范围、温度和负载只会使设计工程师在比较部件时导致混淆。
线性稳压器
---现代线性稳压器为满足具有挑战性的要求提供了许多独特的结构。基本上,线性稳压器是一个运算放大器加一个通路晶体管。运算放大器使用两个参考点,一个是内部带隙基准,另一个是输出端的电阻分压电路。在稳压过程中,电阻分压网络的电压值向运算放大器提供与带隙基准相比较的反馈。
---比较的结果决定了通路晶体管增加或减少导通电流。这是具有两个主极点的闭环系统,这两个主极点分别是误差放大器/通路晶体管的内部极点,以及输出电流需求和输出电容器的 ESR 构成的外部极点。这两个主导极点的处理将影响器件的性能,并会对闭环的稳定性构成主要影响（见图1）。
线性稳压器分类
---更高的效率是设计工程师持续的要求。这个要求就转化为对Iq(静态工作电流) 和正向电压降的降低。随着制造商提高线性稳压器的标准性能,也为其他特性带来了负面影响。
---通用线性稳压器的设计可以提供最佳的整体性能。
---彼此互相影响的性能指标会被折中处理。
---封装选择则主要取决于成本和广泛的市场接受能力。
数字线性稳压器
---数字线性稳压器设计用于支持系统的主数字核心。现代 DSP 和微控制器必须具有快速的效率以及通常较高的电流要求。
---需要无线标准的新兴市场需要大量的滤波,这为数字处理核心的软件负载带来很大的压力,这将转化为对电源管理器件的高要求和快速响应。这些功能驱使着那些对于数字负载非常重要的主要特性的发展。（图2）线路和负载调整率/瞬态响应是其中首要的功能。这些参数尽管在数据表中通常不太容易找到,但可以通过两种方式来确定：V/I的偏差百分比或实际V/I偏差值。这些值应以一种负载电流为参考基准或以输入电压的变化为参考基准。
---电池供电的和低功率的系统具有长期的非工作时间,数字线路稳压器被设计成在这期间进入休眠状态,而在需要时可快速启动。在休眠模式期间,线性稳压器的所有主操作（包括带隙基准）将关闭。重要的是,快速开启时不能导致过冲。线性稳压器的过冲以及克服过冲的能力取决于Iq值,随着Iq值的降低,保持或改进这种能力将会更难。
---我们所需的就是能够快速驱动内部电容节点,并且具有可用电流来实现这一点。随着我们进一步降低驱动内部电容节点的可用电流,线性稳压器的反应能力将随之降低。
---假定我们设计了一个反应能力足够快的电路,但存在过冲现象,则克服过冲的一种方法就是通过采用电容器来阻滞过冲。结果,这将增加电容负载,并且提高Iq值的需求。
模拟/射频线性稳压器
---模拟线性稳压器主要围绕着空中接口的要求驱动。
---空中接口是便携式通信的最薄弱环节,因为信号对噪声和信号衰减极为敏感。因此当考虑模拟线性稳压器时,很重要的一点是,器件本身不会在所需的信号中进一步增加噪声,并且抑制其他电源的噪声。模拟稳压器需要良好的抗噪声性能(以有效值VRMS来度量)以及噪声抑制能力(以电源抑制比PSRR的dB值来度量）。
降低噪声
---带隙参考和通路晶体管是主要噪声源。增加外部旁路电容器可以降低此噪声,但这会增加成本以及波形系数。也可以在硅片内增加内部电容器,因为晶体管级别的噪声实际上是以下两个因素构成的：热噪声和闪烁噪声。原因是电子相互碰撞,和Si02级别中的电子捕获。
---PSRR 是器件抑制另一个稳压组件或噪声源产生噪声的能力,这在模拟环境中相当重要,因为模拟 IC 器件比数字 IC 器件对噪声更敏感。
---噪声本身与接地电流具有直接相关性,因为它受晶体管驱动的影响。Mosfet 中的驱动电流越低,闪烁噪声和热噪声越差。较低的驱动又将转换为较低的 Iq 值。
---因此,在选择线性稳压器时,必须查看产品详细资料以评估您的独特应用所需的整体性能

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DC-DC变换器芯片选择要求与原则
对于DC-DC来说，主要考虑转换的效率，纹波,输入输出电压等.
在选择DC/DC变换器时，电路设计要注意输出电流、高效率、小型化，输出电压要求：
1. 如需求的输出电流较小，可选择FET内置型；输出电流需要较大时，选择外接FET类型。
2. 关于效率有以下考虑：如果需优先考虑重负荷时的纹波电压及消除噪音，可选择PWM控制型；如果同时亦需重视低负荷时的效率，则可选择PFM/PWM切换控制型。
3. 如要求小型化，则可选择能使用小型线圈的高频产品。
4. 在输出电压方面，如果输出电压需要达到固定电压以上，或需要不固定的输出电压时，刚可选择输出可变的VDD/VOUT分离型产品。
DC-DC工作方式PFM与PWM比较 ：
PWM控制、PFM控制和PWM/PFM切换控制模式这三种控制方式各有各的优点与缺点： DC/DC变换器是通过与内部频率同步开关进行升压或降压，通过变化开关次数进行控制，从而得到与设定电压相同的输出电压。
PFM控制时，当输出电压达到在设定电压以上时即会停止开关，在下降到设定电压前，DC/DC变换器不会进行任何操作。但如果输出电压下降到设定电压以下，DC/DC变换器会再次开始开关，使输出电压达到设定电压。PWM控制也是与频率同步进行开关，但是它会在达到升压设定值时，尽量减少流入线圈的电流，调整升压使其与设定电压保持一致。
与PWM相比，PFM的输出电流小，但是因PFM控制的DC/DC变换器在达到设定电压以上时就会停止动作，所以消耗的电流就会变得很小。因此，消耗电流的减少可改进低负荷时的效率。PWM在低负荷时虽然效率较逊色，但是因其纹波电压小，且开关频率固定，所以噪声滤波器设计比较容易，消除噪声也较简单。
若需同时具备PFM与PWM的优点的话，可选择PWM/PFM切换控制式DC/DC变换器。此功能是在重负荷时由PWM控制，低负荷时自动切换到PFM控制，即在一款产品中同时具备PWM的优点与PFM的优点。在备有待机模式的系统中，采用PFM/PWM切换控制的产品能得到较高效率。
高频的优点 ：
通过实际测试PWM与PFM/PWM的效率，可以发现PWM/PFM切换的产品在低负荷时的效率较高。至于高频方面，通过提高DC/DC变换器的频率，可以实现大电流化、小型化和高效率化。但是，必须注意的是只有通过线圈的特性配合才可以提高效率。因为当DC/DC变换器高频化后，由于开关次数随之增加的原因，开关损失也会增大，从而导致效率会有所降低。因此，效率是由线圈性能提升与开关损失增加两方面折衷决定的。通过使用高效率的产品，相对可使用较低电感值的线圈，可以使用小型线圈，即使使用的是小型线圈也可得到相同的效率及输出电流。
外接器件选择：
除了需要关注DC/DC变换器本身的特性外, 外接组件的选择也不能忽视。外接组件中的线圈、电容器和FET对于开关电源特性有着很大影响。这里所谓的特性是指输出电流、输出纹波电压及效率。
线圈：如果需要追求高效率，最好选择直流电阻和电感值较小的线圈。但是，如果电感值较小的线圈用于频率较低的DC/DC，就会超过线圈的额定电流，线圈会产生磁饱和现象，引起效率恶化或损坏线圈。而且如果电感值太小，也会引起纹波电压变大。所以在选择线圈时，请注意流向线圈的电流不要超过线圈的额定电流。在选择线圈时，需要根据输出电流、DC/DC的频率、线圈的电感值、线圈的额定电流和纹波电压等条件综合决定。
电容：输出电容的容量越大，纹波电压就越小。但是较大的容量也意味着较大的电容体积，所以请选择最适合的容量。
三极管：作为外接的三极管，与双极晶体管相比，因FET的开关速度比较快，所以开关损耗会较小，效率会更高一些。

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LDO 器件选择经验
LDO选择4个要素：压差、噪声、静态电流、共模抑制比。
仅仅从省电来说，主要看静态电流，有的LDO静态电流很小，1UA左右，就是LDO工作时，自身的耗电，这个参数在省电中很关键，越小肯定越好，但不可能为0，LDO的耗电有两个指标：一个为静态电流，一个为SET_OFF电流，要区分哦！！还有压差，这个好理解，压差为0就是很理想的LDO。
我现在用的是S-1206系列，日本的，用日货，没有办法，SOT23，路过的朋友介绍一个国货给我，质量要好的，还有R1180X系列，好像也是日本的。以上都是5ua以下的IQ值。
但是做RF的LDO，就需要考虑：噪声抑制了，因为RF这玩意对噪声的敏感度太高了。
电源抑制比PSRR (Power supply ripple rejection ratio))是反映输出和输入频率相同的条件下，LDO输出对输入纹波抑制能力的交流参数。和噪声(Noise)不同，噪声通常是指在10Hz至100kHz频率范围内，LDO在一定输入电压下其输出电压噪声的均方值(RMS),PSRR的单位是dB，公式如下：PSRR=20 log(△vin/△vout)
电源影响信号路径性能

并不意外的是,电源影响模拟信号完整性,这最终会影响整体的系统性能。提高信号路径性能的一种简单方法是选择正确的电源。在选择电源时,影响模拟信号路径性能的一个关键参数是电源线上的噪声或纹波。电源线上的噪声或纹波可以耦合到运算放大器的输出中,增加锁相环(PLL)或压控振荡器(VCO)的抖动,或者降低ADC的SNR。低噪声和低纹波的电源还能改善信号路径性能。
电源线上的噪声或纹波的来源具有多样性。在系统内的高速数据和高频信号本身会产生噪声,PCB的印制线和连接线如果设计不当,可以形成发射天线的效应。数字IC,例如微控制器和现场可编程门阵列(FPGA)以及复杂可编程逻辑器件(CPLD)具有很快的边沿跳变速度,电流的大小变化很大,将产生电磁干扰辐射到系统中。IC硅片在内部产生热噪声,这是由于在温度高于绝对0摄氏度时分子的随机运动和碰撞产生的。
有三种常用的方法来使信号路径中的噪声和纹波最小：非常仔细的系统PCB布局、恰当的电源旁路处理以及正确的电源选择。尽管PCB的具体设计取决于系统,但就一般而言,PCB的布局需要考虑包括正确的器件布局、使信号路径连接线的长度最小以及采用实体的地等。
对电源轨进行旁路处理是一种常用的方法,这种方法通常在模拟IC产品手册中被推荐用于滤出噪声。信号路径IC可以具有分离的模拟、数字和PLL电源输入,建议每个采用自己独立的旁路处理。PLL电源和模拟电源对噪声和纹波最敏感。旁路电容、阻容(RC)滤波器以及EMI抑制滤波器使进入信号路径的电源噪声最小化。
正确的电源选择可以降低对信号路径IC的噪声和纹波影响。在选择一种电源时,设计师首先在开关变换器和线性稳压器之间作一个基本选择。开关转换器提供较高的频率,更高的频率意味着较低的整体系统功耗。线性稳压器提供一种易于使用的解决方案,同时降低电源轨的噪声/纹波。使用线性稳压器降低噪声和纹波可以改善信号路径性能。
毫无疑问，在便携式无线产品里，即需要自身工作耗电电流小的，又需要PSRR大的LDO，但是目前市面上的LDO产品，能兼顾到这两个指标的产品很少，本人找到一个S1167的LDO，工作自身耗电为9UA,PSRR为70dB，应该说是比较兼顾这两个指标的，但是是日本货。
单单是考虑到PSRR,而IQ在45左右都无所谓的话，用AS1361是不错的，PSRR可到90dB以上。

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常用接近开关特点及选型介绍
接近开关(Proximity Switch)又称接近传感器，在许多自动化机械、产业机械、半导体设备、工具机等，是不可缺少的角色之一，它负责侦测物体的存在与否，以便让控制器了解目前机构的有无、位置或者是它也可以被设计成计数感测，在输送带上计算物品通过的数量，它的用途非常广泛，特性也非常优异，如：动作周期快速、非接触感测、小型化设计、耐环境、低价格等，许多制造商便积极投入研发生产，种类及外型琳琅满目，有长方型、四方型、圆柱型、圆孔型、沟型、多点型等，动作形态又分常开(NO)及常闭(NC)，一般接近开关都是非接触型，依原理可分成以下5种类型:

1.磁气型接近开关(Magnetic sensor) ：
它的原理和磁簧开关原理相同，感测器内磁簧管是由二片铁性簧片，平行放置重叠形成一间隙，这两片细长扁平簧片会镀上贵金属以确保其最佳功能，贵金属一般是使用铑或金，这两片簧片是被完全密封在一支充入惰性气体之玻璃管上，当有磁场接近时(一般是用永久磁铁)，磁性足够大时就会相吸，接点将从OFF至ON，此磁簧管构造上没有机械式零件或电子零件，因此不会有卡住或电路损坏等不良发生，接点寿命可每次精确且高速作动达数百万次，此类型感测器通常为一组(感测器与磁铁)，最常用在门窗开关检测。

2.霍尔接近开关
       霍尔元件是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。

3.感应型接近开关(Inductive sensor) ：
感性接近传感器由检测元件

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比较器可以用运算放大器代替吗？
        在开环或高增益配置中用运算放大器代替比较器是十分常见的，虽然最好是使用专门优化的比较器，但是用运算放大器 代替比较器也是可以的。运算放大器是一种为在负反馈条件下工作设计的电子器件，设计重点是保证这种配置的稳定性，压摆率和最大带宽等其他参数是放大器在功耗与架构之间的折衷选择；相反，比较器是为无负反馈的开环结构内工作设计的，这些器件通常不是通过内部补偿的，因此速度即传播延迟以及压摆率（上升和下降时间）在比较器上得到了最大化，速度约在ns数量级，而运放翻转速度一般为us数量级(特殊的高速运放除外)。总体增益通常也比较小。
        用运算放大器代替比较器不会使性能得到优化，而且功耗速度比将会很低。如果反过来，用比较器代替运算放大器，情况则会更坏。通常情况下比较器不能代替运算放大器，在负反馈条件下，比较器很可能会出现工作不稳定的情况。 运放输出级一般采用推挽电路，双极性输出。而多数比较器输出级为集电极开路结构，所以需要上拉电阻，单极性输出，容易和数字电路连接。总之，我们可以说，比较器和运算放大器是不能互换的，低性能设计除外。

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怎样选择合适的电容器
1.      所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特征最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特征的选择.

2.      以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特征差异:
A.     使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃
B.     使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 小型为7mm, 超小型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).
C.     电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.
D.     低漏电流量特征: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时.  (相当于Tantalum钽质电容特征)
E.      Low ESR低内阻特征: 用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.
F.      Bipolar 双极性特征: 用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.
G.     Non-polar无极性特征: 用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.
H.     以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型 (即钽质芯片电容), 无极性特征等分类.

3.      以陶瓷电容器为例, 其材料特征区分为3类.  Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用,  Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特征选用.
A.     Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数),  UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数),  SL无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).
B.     Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特征接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.
C.     需注意100 pF-680 pF范围内,  Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.

4.    以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特征, 可配合不同之电路应用. 其共同特征为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.
A.    聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为   1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.
B.    金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证, 一般称为X2电容.
C.    聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特征良好, 可适用于中低频谐振电路工作.
D.    金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特征, 可适用于一般脉波电路工作. 代号MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特征.
E.    聚乙烯 (代号PE分为有电感特征PEI及无电感特征PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低, 可适用于一般直流或低频电路工作.
F.      所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特征, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.

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怎样选择合适的TVS管?
   处理瞬时脉冲对元件损害的最好办法是将瞬时电流从感应元件引开。 TVS二极管在线路板上与被保护线路并联，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS二极管便产生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流透过二极管被引开，避开被保护元件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管自动回覆高阻状态，整个回路进入正常电压。许多元件在承受多次冲击后，其参数及性能会产生退化，而只要工作在限定范围内，二极管将不会产生损坏或退化。从以上过程可以看出，在选择TVS二极管时，必须注意以下几个参数的选择：
1.最小击穿电压VBR和击穿电流IR 。 VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR )时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V BR 。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，V WM =0.85VBR；对于10％的VBR来说，V WM =0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

2.最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。 VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

3.最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流I PP 。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。 V C 、IPP反映了TVS的突波抑制能力。 VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。 VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

4. Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

5.电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。 C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小(如LCTVS、低电容器TVS，电容器不大于3pF)，而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。
TVS的选用技巧
（1）确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
（2）TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
（3）TVS的最大钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
（4）在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
（5）对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
（6）根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。
（7）温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55℃～+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃～+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。