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关于共源放大电路的几个问题。 [复制链接]

 

共源放大电路的静态部分如图所示,图中R1接的是一个5w的电阻,上12v调静态工作点,gs电压在三点几伏,接50v时发现R1过载坏了,mos管也坏了,分析了一下原因,感觉是R1的功率太小了。r1的取值是论文里的,从5欧到100欧都有,我选了一个做实验。

有个问题,R1的功率是不是要取非常大,因为rds导通后电阻很小,vcc50到源级等效电阻只有R1,电流过大导致R1过载,可以这样理解吗。

还是gs电压没控制好太大了导致的Id电流过大使R1过载了呢

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我以前搞高频功放也烧过晶体管,烧毁的过程与你的很像,都是开机瞬间就烧。将烧毁的晶体管打开(那种陶瓷封装的)可以见到里面邦定的金丝被熔断,开机瞬间的浪涌导致晶体管瞬间导通或击穿。用30V3A电源好很多是因为此电源的限流作用,限制了流过晶体管的电流。真正要解决问题还是要在电路上改进。   详情 回复 发表于 2021-6-18 10:04
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奇怪,这是干啥用的放大电路?
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自己做的一个放大超声激励信号的  详情 回复 发表于 2021-6-8 10:54
 
 

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IRF530的体二极管画反了,你可能把Q1的DS接反了

而且IRF530可以承受最大电流10A

50V串联5ohm可以限制电流,但是还要注意电阻的功耗可以达到500w

所以有可能是电阻功率太小发生短路从而使IRF530承受高于10A电流导致mosfet烧毁

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MOS管的电流Id是可以有Vgs控制的吗,我调试的时候很小心,Vgs控制的很小,但是确实每次都是R1坏了,用的5w的金属膜电阻,阻值直接变成了几k  详情 回复 发表于 2021-6-8 11:17
那这个5欧的电阻取值有问题,那应该取多少能给个建议吗  详情 回复 发表于 2021-6-8 11:02
 
 
 
 

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『关于共源放大电路的几个问题』

放大电路,信号输入和信号输出在哪里?

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信号从c4进,从c3出  详情 回复 发表于 2021-6-8 10:58
 
 
 
 

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使用正电源,又使用P沟MOS管。

 

『r1的取值是论文里的』

楼主看哪篇论文?原文是使用P沟MOS管吗?

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『分析了一下原因,感觉是R1的功率太小了』

使用P沟MOS管,24V电源施加在MOS管内部的体二极管和R1上,其电流已经足以使R1烧毁。

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图画错了,用的N沟道的irf530和540,这个只是直流偏置电路,还没接交流信号  详情 回复 发表于 2021-6-8 10:54
 
 
 
 

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maychang 发表于 2021-6-7 10:04 『分析了一下原因,感觉是R1的功率太小了』 使用P沟MOS管,24V电源施加在MOS管内部的体二极管和R1上,其 ...

图画错了,用的N沟道的irf530和540,这个只是直流偏置电路,还没接交流信号

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既然是 “图画错了”,那么MOS管损坏的原因就不大好说了。 10楼cruelfox说得对,这么简单的偏置,不宜用在大功率的场合。  详情 回复 发表于 2021-6-8 15:34
 
 
 
 

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cruelfox 发表于 2021-6-7 09:04 奇怪,这是干啥用的放大电路?

自己做的一个放大超声激励信号的

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不能这么做。这么简陋的固定偏置方式不能用在大功率的场合。你先把输出幅度、负载阻抗、工作频率、输入信号幅度 这几个指标定下来再设计。  详情 回复 发表于 2021-6-8 10:59
 
 
 
 

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maychang 发表于 2021-6-7 10:00 『关于共源放大电路的几个问题』 放大电路,信号输入和信号输出在哪里?

信号从c4进,从c3出

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小宇文 发表于 2021-6-8 10:54 自己做的一个放大超声激励信号的

不能这么做。这么简陋的固定偏置方式不能用在大功率的场合。你先把输出幅度、负载阻抗、工作频率、输入信号幅度 这几个指标定下来再设计。

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se7ens 发表于 2021-6-7 09:58 IRF530的体二极管画反了,你可能把Q1的DS接反了 而且IRF530可以承受最大电流10A 50V串联5ohm可以限制 ...

那这个5欧的电阻取值有问题,那应该取多少能给个建议吗

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maychang 发表于 2021-6-7 10:02 使用正电源,又使用P沟MOS管。   『r1的取值是论文里的』 楼主看哪篇论文?原文是使用P沟MOS ...

http://www.doc88.com/p-17016087547166.html论文参考的这篇

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这等论文,说实在话,价值不大。 此论文不过是把教材中的内容抄上几段,又参考其它论文中的内容抄上几段。 不如你把你的具体要求,如10楼cruelfox所说,输出幅度、负载阻抗,工作频率、输入信号幅度…&h  详情 回复 发表于 2021-6-8 15:42
 
 
 
 

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se7ens 发表于 2021-6-7 09:58 IRF530的体二极管画反了,你可能把Q1的DS接反了 而且IRF530可以承受最大电流10A 50V串联5ohm可以限制 ...

MOS管的电流Id是可以有Vgs控制的吗,我调试的时候很小心,Vgs控制的很小,但是确实每次都是R1坏了,用的5w的金属膜电阻,阻值直接变成了几k

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图修改了,之前原理图画错了,引脚没错

屏幕截图 2021-06-08 112644.png (69.82 KB, 下载次数: 0)

屏幕截图 2021-06-08 112644.png
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cruelfox 发表于 2021-6-8 10:59 不能这么做。这么简陋的固定偏置方式不能用在大功率的场合。你先把输出幅度、负载阻抗、工作频率、输入信 ...

http://www.doc88.com/p-17016087547166.html参考的这个

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小宇文 发表于 2021-6-8 10:54 图画错了,用的N沟道的irf530和540,这个只是直流偏置电路,还没接交流信号

既然是 “图画错了”,那么MOS管损坏的原因就不大好说了。

10楼cruelfox说得对,这么简单的偏置,不宜用在大功率的场合。

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我放了个仿真图,您在帮忙看一下能不能看出问题,有个疑问,管子的d级为什么会有40几伏的电压,是管子没有完全导通吗  详情 回复 发表于 2021-6-8 15:44
 
 
 
 

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这是我仿真的图,好像没啥问题

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按照你那篇论文,该功率放大器对失真度有一定要求。那么,为何采用这种电感负载加变压器耦合的方式?不如采用变压器有中心抽头的推挽方式。  详情 回复 发表于 2021-6-8 16:20
这个电路设计,总体考虑欠周全。 直流电源电压50V,IRF530耐压100V,没有足够余量。应该至少留出20%~30%余量,即MOS管耐压至少需要120V~130V,或者更大些。电流余量也嫌小  详情 回复 发表于 2021-6-8 16:15
 
 
 
 

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小宇文 发表于 2021-6-8 11:10 http://www.doc88.com/p-17016087547166.html论文参考的这篇

这等论文,说实在话,价值不大。

此论文不过是把教材中的内容抄上几段,又参考其它论文中的内容抄上几段。

不如你把你的具体要求,如10楼cruelfox所说,输出幅度、负载阻抗,工作频率、输入信号幅度……先确定下来,然后大家帮你考虑。

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maychang 发表于 2021-6-8 15:34 既然是 “图画错了”,那么MOS管损坏的原因就不大好说了。 10楼cruelfox说得对,这么简单的 ...

我放了个仿真图,您在帮忙看一下能不能看出问题,有个疑问,管子的d级为什么会有40几伏的电压,是管子没有完全导通吗

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我这个是放大超声激励信号的,频率在0.25k到4.5MHz(项目要求的),我打算做个输出100vpp的,输入在5v,输出阻抗50欧。(去年打算用变压器来着,也在这向您请教过,但是没弄出来,就找论文换了个方案)

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去年的事情,我不记得了。 变压器的通频带是比较狭窄的。你的项目要求4.5MHz~0.25kHz,最高最低相差18000倍,变压器确实做不出来。    详情 回复 发表于 2021-6-9 17:22
 
 
 
 

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