如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

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磁性存储器（MRAM）目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用，而且它还以其低功耗和高耐用性（图1）的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。 (, 下载次数: 0)

电子设计的一个主要考虑因素是降低总功耗的同时提高可靠性。设计人员必须考虑增加功能，同时减少系统的功率预算，以实现更长久的电池寿命。但是与此同时，嵌入式软件正变得日益复杂，需要配备更多的存储器，但这一点对功耗也有了进一步要求。

一般来讲，智能电表将计费和使用数据存储在安全的NV存储器内。MRAMs具有出色的防篡改特点，并且单元结构可防止未经授权读取数据，因而很好地确保了安全性。传统类型的存储器将数据存储为电荷，未经授权者可通过扫描进行篡改。MRAM将数据作为极化状态进行存储，因此具有较少的暴露和被篡改的风险。

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与其他非易失性存储设备相比，MRAM的突出优点

1. 实时数据存储，无写入延迟或预备时间：EEPROM和NOR闪存都有写入延迟（5ms到10ms），导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候，FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2. 近无限耐久性: 例如，具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”（用户电力使用、峰值功率、收费信息）变得愈加频繁，设计也日趋复杂，损耗平衡会增加系统设计的难度。

3. 低写入功耗：如图1所示，MRAM的瞬时写

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入和低有效写入电流的特性，使得依靠电池运行的系统可更为轻松地延长其运行寿命。

4. 安全可靠的数据存储：收费信息是非易失性存储器上存储的最重要信息之一。例如，全球的电力提供商都会遇到很多关于收费真实性的难题。FRAM具有数据存储安全的固有优势，有助灵活实施和简化基于闪存或EEPROM的设计。

总结如下：

MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比，铁电存储器（FRAM）可降低系统成本，提高系统效率，降低复杂性，而且大大降低功耗。

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everspin早些年就用MRAM专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，且符合严苛的汽车行业AEC Q10可以0标准规范。型号多种，

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智能电表存储解决方案采用MRAM磁性存储芯片来解决存储问题，可以无限次涮新刷写，掉电数据不丢失，

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本帖最后由英尚微电子于 2018-5-3 14:47 编辑

everspin并行接口MRAM
Density       Org.                Part Number       Pkg.             Voltage       Temp
16Mb       1Mx16       MR4A16BYS35          54-TSOP          3.3V             0℃ to +70℃
16Mb       1Mx16       MR4A16BCYS35       54-TSOP          3.3V             -40℃ to +85℃
16Mb       1Mx16       MR4A16BMA35       48-BGA          3.3V             0℃ to +70℃
16Mb       1Mx16       MR4A16BCMA35       48-BGA          3.3V             -40℃ to +85℃
16Mb       2Mx8       MR4A08BYS35       44-TSOP          3.3V             0℃ to +70℃
16Mb       2Mx8       MR4A08BCYS35       44-TSOP          3.3V             -40℃ to +85℃
16Mb       2Mx8       MR4A08BMA35       48-BGA             3.3V             0℃ to +70℃
16Mb       2Mx8       MR4A08BCMA35    48-BGA             3.3V             -40℃ to +85℃

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磁性存储器（MRAM）目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。

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与其他非易失性存储设备相比，MRAM的突出优点
1. 实时数据存储，无写入延迟或预备时间：EEPROM和NOR闪存都有写入延迟（5ms到10ms），导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候，FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2. 近无限耐久性: 例如，具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”（用户电力使用、峰值功率、收费信息）变得愈加频繁，设计也日趋复杂，损耗平衡会增加系统设计的难度。

3. 低写入功耗：如图1所示，MRAM的瞬时写

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磁性存储器（MRAM）目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用，而且它还以其低功耗和高耐用性的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

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与其他非易失性存储设备相比，MRAM的突出优点
1. 实时数据存储，无写入延迟或预备时间：EEPROM和NOR闪存都有写入延迟（5ms到10ms），导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候，FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2. 近无限耐久性: 例如，具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”（用户电力使用、峰值功率、收费信息）变得愈加频繁，设计也日趋复杂，损耗平衡会增加系统设计的难度。

3. 低写入功耗：MRAM的瞬时写

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磁性存储器（MRAM）目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用，而且它还以其低功耗和高耐用性（图1）的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

英尚微电子 · 发表于2018-11-21 10:19

MRAM的突出优点
1. 实时数据存储，无写入延迟或预备时间：EEPROM和NOR闪存都有写入延迟（5ms到10ms），导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候，FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2. 近无限耐久性: 例如，具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”（用户电力使用、峰值功率、收费信息）变得愈加频繁，设计也日趋复杂，损耗平衡会增加系统设计的难度。

3. 低写入功耗：如图1所示，MRAM的瞬时写入

英尚微电子 · 发表于2018-11-28 10:02

MRAM目前的应用前景非常大，适合用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用，特别是需要无限次擦写的应用

英尚微电子 · 发表于2018-12-20 16:46

磁性存储器（MRAM）目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用，而且它还以其低功耗和高耐用性的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

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磁性存储器（MRAM）目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用，而且它还以其低功耗和高耐用性（图1）的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

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MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比，铁电存储器（FRAM）可降低系统成本，提高系统效率，降低复杂性，而且大大降低功耗。

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Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。是全球第一家量产MRAM的供货商，并透过持续提升技术与扩展MRAM产品组合来领导业界的发展。Everspin提供市场上最可靠、高效能、且具成本效益的非挥发性随机存取存储器，以协助客户开发独特且极具竞争力的产品。
主要从事：磁性随机存储器(MRAM)与传感器的开发和制造工作
目标市场：储存、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、消费、运输、和航空电子

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智能电表存储解决方案采用MRAM磁性存储芯片来解决存储问题，可以无限次涮新刷写，掉电数据不丢失，

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MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比，铁电存储器（FRAM）可降低系统成本，提高系统效率，降低复杂性，而且大大降低功耗。

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everspin并行接口MRAM
Density       Org.                Part Number       Pkg.             Voltage       Temp
16Mb       1Mx16       MR4A16BYS35          54-TSOP          3.3V             0℃ to +70℃
16Mb       1Mx16       MR4A16BCYS35       54-TSOP          3.3V             -40℃ to +85℃
16Mb       1Mx16       MR4A16BMA35       48-BGA          3.3V             0℃ to +70℃
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everspin并行接口MRAM
Density       Org.                Part Number       Pkg.             Voltage       Temp
16Mb       1Mx16       MR4A16BYS35          54-TSOP          3.3V             0℃ to +70℃
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