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纯净的硅(中级)

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系统内快闪编程或用作EEPROM的作用 [复制链接]

本帖最后由 Aguilera 于 2018-6-13 22:21 编辑

        MSP430 能够对闪存内任何位置、系统内任何单个位、字节或字进行编程。即使从快闪执行代码,并且即使程序正从已编程的数据段中执行代码,快闪仍可进行系统内编程。在编程之前不必擦除数据段,但 1s 只能通过编程转换成 0s。在完整的数据段上执行擦除操作,并且将所有数据段中的 bits 擦除为 1s。在从快闪执行代码时,可以进行系统内闪存编程或擦除,在执行操作的过程中,程序计数器将在器件数据表中指定的持续时间内自动停止。或者,也可以将程序计数器移到 RAM 中,并在快闪进行系统内编程或擦除期间执行应用程序。

       在这种情况下,代码将继续从 RAM 中全速执行。信息存储器与主内存闪存区域均可用于存储数据或代码,或者同时存储这两者。唯一的区别在于:信息内存由 128 字节的较小数据段组成,而主内存则由 512 字节的数据段组成。尽管器件数据表中规定了限制 Vcc 的最小值,但不需要较高的电压来对快闪进行编程。如欲了解有关 MSP430 闪存的更多信息,敬请参阅用户指南中有关快闪的章节、web 上的应用报告以及特定器件的数据表。



 
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