MOS发热问题

A001

MOS发热问题 [复制链接]

 

为什么六个MOS管很烫。

maychang

R7R8R9用1千欧，再并联上一支电容，不发热才怪。
计算一下：此电阻和并联的电容(还要加上MOS管密勒电容)时间常数是多少？

A001

大神能直接说解决办吗，别调戏小民了

dontium

maychang 发表于 2016-6-4 20:42
R7R8R9用1千欧，再并联上一支电容，不发热才怪。
计算一下：此电阻和并联的电容(还要加上MOS管密勒电容)时 ...

那个电阻在S极上，只是对驱动有影响。如果速度低的话，倒也没什么的。现在很多MOS管的G极电容大于1千P

dontium

楼主看一下你用这个器件的特性，再看看你的电路图，


下面的是IPD50N04：

maychang

dontium 发表于 2016-6-4 21:06
那个电阻在S极上，只是对驱动有影响。如果速度低的话，倒也没什么的。现在很多MOS管的G极电容大于1千P

是的，我测量MOS管输入电容可达数千pF，这还没有计算密勒电容，计算密勒电容的话可能要达到10nF以上。
这样计算，电容(和电阻并联的电容加MOS输入电容加密勒电容)和1千欧电阻时间常数达10us以上，恐怕已经覆盖死区时间了。

dontium

maychang 发表于 2016-6-4 21:22
是的，我测量MOS管输入电容可达数千pF，这还没有计算密勒电容，计算密勒电容的话可能要达到10nF以上。
...

我感觉电机驱动时，它的频率会很低的，过渡时间虽然很长，但相对电机驱动脉宽可以不计。

我在怀疑它前面的驱动IC，只看到个 “ 5V ” ，如果驱动电平最高5V的话，它根本驱动不了图中所标的MOS管。

maychang

A001 发表于 2016-6-4 21:02
大神能直接说解决办吗，别调戏小民了

解决办法是重新设计驱动电路。
你的驱动电路，P沟管门极放电靠1千欧电阻，这个电阻太大。但减小此电阻，会使功耗太大。另外，三极管发射极串联680欧电阻，在开关电路中完全没有必要，只会增加P沟管驱动脉冲上升沿时间。

A001

dontium 发表于 2016-6-4 21:06
那个电阻在S极上，只是对驱动有影响。如果速度低的话，倒也没什么的。现在很多MOS管的G极电容大于1千P

但也有试过去掉那电容，温度一样很高。低速时是没问题就高速很快就发烫。

maychang

dontium 发表于 2016-6-4 21:25
我感觉电机驱动时，它的频率会很低的，过渡时间虽然很长，但相对电机驱动脉宽可以不计。

我在怀疑它前 ...

不错，你的怀疑有道理。
楼主贴图不全，也不曾说明驱动芯片电源电压。

A001

dontium 发表于 2016-6-4 21:25
我感觉电机驱动时，它的频率会很低的，过渡时间虽然很长，但相对电机驱动脉宽可以不计。

我在怀疑它前 ...

驱动是参照这设计的，IC是5V供电

dontium

A001 发表于 2016-6-4 21:27
但也有试过去掉那电容，温度一样很高。低速时是没问题就高速很快就发烫。

楼主位说了低速时没问题了吗？？

dontium

驱动明显不足，

maychang

A001 发表于 2016-6-4 21:27
但也有试过去掉那电容，温度一样很高。低速时是没问题就高速很快就发烫。

“大神能直接说解决办吗，别调戏小民了”
医生没为你作检查就开方，这个医生是不负责任的医生。

“低速时是没问题就高速很快就发烫”
这要怪你叙述不全不详细。

A001

A001

A001

PRM36000没问题，PRM64000时很快发烫。

A001

dontium 发表于 2016-6-4 21:46
驱动明显不足，

如果是驱动不足如何解决，我加个MOS管前IR2 103行不行

A001

dontium 发表于 2016-6-4 21:46
驱动明显不足，

这并没指出是驱动不足，它只是说内置50K的漏电保护。

A001

这给出的最大14V供电，我能用12吗