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用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些... [复制链接]

 

用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上。这种情况可以从哪些角度去改善?

RF+需要输出1.7M 峰峰值200V的正弦波信号驱动压电陶瓷换能器
1.从硬件的角度,MOS的驱动要考虑MOS的驱动电平、内阻、栅极电容、驱动波形是否陡峭?还可以从哪些角度进行改善?内阻和栅极电容是选型的问题。那驱动电平和驱动波形是电路设计的问题。这个MOS用5V方波驱动是没有问题的吧!怎么使得驱动波形更接近方波而不会发生波形的失真呢?以上这些是否可以改善温升的问题?

2.从嵌入式角度,栅极驱动器是经过DDS给信号的,DDS是经过MCU控制的,因此嵌入式可以从哪些角度进行温升的改善?


3.从结构的角度,进行通风孔对流、散热片导热到外壳、加微型高速的风扇,或者加铜管、液冷?除了这些还可以进行怎样的处理?

MOS规格书:chrome-extension://ibllepbpahcoppkjjllbabhnigcbffpi/https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20171123/C114889_15114107965411137412.pdf

 

 


 

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从嵌入式角度,栅极驱动器是经过DDS给信号的,DDS是经过MCU控制的,因此嵌入式可以从哪些角度进行温升的改善? 信号源出来的信号是要放大处理,不能直接去接G极, 信号源经光耦隔离,74LS06缓冲,推小功率三极管放大 (2907,2222),三极管驱动IRF530,用530去驱动你的功放电路,这样才是工业级的使用方式,   详情 回复 发表于 2024-1-21 13:35
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MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上

这种情况是肯定不对的

 

 

 
 
 

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本帖最后由 qwqwqw2088 于 2023-12-4 10:40 编辑

开关频率多大,太高会增加开关损耗,发热也会相应的增加

另外,可以用示波器测量一下MOS驱动上升下降沿,判断一下,开关过程时间太长是会让MOS管发热严重的

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那像这种1MHZ频率输出的  怎么判断是驱动时间太长了  根据MOS波形  详情 回复 发表于 2023-12-9 09:47
 
 
 

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至于什么“从结构的角度”

用MOS管的,一般要增加散热的,这是基本

特别楼主的这些栅极驱动器的场合

 
 
 

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真的需要1.7M 200V吗

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你有更好的方法吗?  详情 回复 发表于 2023-12-12 14:14
是的 不然负载达不到谐振的状态  详情 回复 发表于 2023-12-12 14:13
 
 
 

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发热有两种,一个是开关损耗,其实很多情况是这样,一个是内阻上的发热,这个就和大电流有关了

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像这种选型MOS内阻的时候  需要考虑达到怎样的级别  还有ID  详情 回复 发表于 2023-12-9 09:47
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qwqwqw2088 发表于 2023-12-4 07:49 开关频率多大,太高会增加开关损耗,发热也会相应的增加 另外,可以用示波器测量一下MOS驱动上升下降沿 ...

那像这种1MHZ频率输出的  怎么判断是驱动时间太长了  根据MOS波形

 
 
 

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秦天qintian0303 发表于 2023-12-4 11:34 发热有两种,一个是开关损耗,其实很多情况是这样,一个是内阻上的发热,这个就和大电流有关了

像这种选型MOS内阻的时候  需要考虑达到怎样的级别  还有ID

 
 
 

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Nubility 发表于 2023-12-4 09:23 真的需要1.7M 200V吗

是的 不然负载达不到谐振的状态

 
 
 

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Nubility 发表于 2023-12-4 09:23 真的需要1.7M 200V吗

你有更好的方法吗?

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要是真的需要这么高频率而且幅度这么大的信号,你可能要搞一个电脑的水冷散热器来给元件散热了  详情 回复 发表于 2023-12-12 14:55
 
 
 

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QWE4562009 发表于 2023-12-12 14:14 你有更好的方法吗?

要是真的需要这么高频率而且幅度这么大的信号,你可能要搞一个电脑的水冷散热器来给元件散热了

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你是怎么得出需要水冷的?  详情 回复 发表于 2023-12-14 10:20
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Nubility 发表于 2023-12-12 14:55 要是真的需要这么高频率而且幅度这么大的信号,你可能要搞一个电脑的水冷散热器来给元件散热了

你是怎么得出需要水冷的?

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物理定律  详情 回复 发表于 2023-12-14 11:06
 
 
 

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QWE4562009 发表于 2023-12-14 10:20 你是怎么得出需要水冷的?

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执古之道,以御今之有,能知古始,是谓道纪

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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我认为 真正原因是MOSFET处于半通状态,要么是导通电压不够大,没能全部导通,要么就是没有能关断,用示波器检查GS的电压的大小和波形,高电压时一般在12-15VDC,低电压是0,

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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用示波器看DS的电压就要看直流电压是多少了。DS间的波形同样是方波,这样输出才是正确的,没有接上负载时,MOSFET管是不会怎么发热的。

象振动台的功率放大器是用IRF260M的管子做输出,直流电压就是200V左右了,把功放开启后,没有输入信号,没有交流输出电压时,管子是不怎么发热的。

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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一个检查管子的质量有问题没有,

二个驱动级的电流足够大不,

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驱动电流你是怎么测试?  详情 回复 发表于 2024-1-2 18:05
 
 
 

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振动试验仪器 发表于 2023-12-28 20:08 一个检查管子的质量有问题没有, 二个驱动级的电流足够大不,

驱动电流你是怎么测试?

 
 
 

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一粒金砂(中级)

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MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上,我的理解一是管子质量问题,二是驱动电流过大,三是散热问题。

 

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驱动电流你是怎么测试?串联万用表?还是用直流源?  详情 回复 发表于 2024-1-17 18:30
 
 
 

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五彩晶圆(中级)

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舰艇林 发表于 2024-1-15 11:11 MOS发热严重,表面测量温度达到90℃以上,我的理解一是管子质量问题,二是驱动电流过大,三是散热问题。 ...

驱动电流你是怎么测试?串联万用表?还是用直流源?

 
 
 

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纯净的硅(中级)

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MOS管的驱动电流,在G极会串联一个小电阻,有用几或十几欧姆的小电阻,用直流电压档电阻上电压,由电压可以计算驱动电流了。

 
 
 

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