*** 请问如何选择 PMOS 的Vgs参数? ***

vcxz_1982

*** 请问如何选择 PMOS 的Vgs参数? *** [复制链接]

 

 

我想开关一些设备的供电电源, PCB板画好了, 负载在正极. (原本用可控硅关断接地).

 

锂电池: 输入电压3.2~4.2; 是个变化的过程, 我要用IO口控制PMOS, 低电平打开, 高电平断开; 这个IO口高电平是3.3v, 低电平0v.  请问我该选择 Vgs(th) 最小值是多少额? -3v的够吗?

 

5V直流电动机: 使用锂电池经过升压板输出电压5.0 ~ 5.5V. 我需要用一个高电平是1.8v的IO去控制电动机的电路断开. 也是低电平打开.  那这个PMOS的Vgs我该如何选择?

 

PMOS管能用到我这种产品里面吗? 我怎么看到有些资料, PMOS要输入负电压?

[ 本帖最后由 vcxz_1982 于 2012-6-7 12:39 编辑 ]

vcxz_1982

不知道这么理解对吗?

第一种: 1.8的IO, 要去控制5.0v~5.5v; 就必须选择Vgs> -4v的 (min=-4 max=-6) 这种类型的?
第二种: 3.3的IO, 要去控制5.0v~5.5v; 就必须选择Vgs> -2v的 (min=-2 max=-4) 这种类型的?
第三种: 3.3的IO, 要去控制3.3v~4.2v; 就必须选择Vgs> -2v的 (min=-2 max=-4) 这种类型的?

有2中IO控制控制5.5v的, 如果要避免购买2种类, 可以用下列2种方法:
1. 将3.3v接下拉电阻, 变成1.8的.
2. 选个通用的的阀值.

我这么理解对吧?

仙猫

建议图文配合说明，方能事半功倍，否则楼主自己写得累，别人或许还看得不知所云。

需注意的是，数据手册里MOSFET的阈值电压Vgs(th)是有条件，从截止到导通也是有过程的。
比如标注阈值最大为1.5V的管子可能条件是250μA，要使管子饱和还应再加高Vgs。
一般地，用单片鸡之类的低压输出做控制时，Vgs(th)要尽量选小一点的（绝对值），以便有足够的电压裕量使之导通。
好在这年头小Vgs(th)的MOSFET比比皆是，低于1V的也不少，有很大的选型余地。

dontium

既然楼主能提出这样的问题，说明你设计的电路还有进一步完善的地方。
那么，帖出来让大家看看也只会有好处的。

A。第一个问题，由你的叙述设想，这咱电路虽然可以，但不能直接将FET接于IO。

A。第二个问题。（仍由你的叙述设想），同第一个问题

A 。 关于PMOS管输入是正或负的电压。这是由它的导电类型及制作方法共同决定的。即：

要区分增强型、耗尽型；P沟道、N沟道

vcxz_1982

		断开的电压(高电平) Vgs		导通的电压(低电平) Vgs
电源类型	电压区间(S极)	1.8	3.3	0	选择Vgs(th)结论
锂电池电压	3.2		0.1	-3.2	>=-2v >=-3v 更好.
	4.2		-0.9	-4.2
升压板电压	5	-3.2	-1.7	-5	>=-4v导通, >=-5v更好
	5.5	-3.7	-2.2	-5.5

 

谢谢你的回复! 我上面这个表, 不知道我这结论对吗?

 

 

如果一个PMOS的手册, 这么写的.

Vgs(th): min= -2v, max= -4v;

 

那我将Vgs的压差(g<s) 分别控制在-1V -3V -5V, 这3种情况下谁会导通呢?

[ 本帖最后由 vcxz_1982 于 2012-6-8 09:09 编辑 ]

vcxz_1982

嗯.

我这里讨论的都是 增强型PMOS. 好像说这个市面上最多吧.

仙猫

原帖由 vcxz_1982 于 2012-6-8 08:49 发表

  ...

如果一个PMOS的手册, 这么写的.

Vgs(th): min= -2v, max= -4v;

 

那我将Vgs的压差(g<s) 分别控制在-1V -3V -5V, 这3种情况下谁会导通呢?

 

这里改用绝对值来表述不容易错。

假如 Vgs(th): |min|=2v，|max|=4v，测试条件|Id|=250μA;

那么

①．|Vgs|＜2V时，|Id|＜250μA，是否彻底截止另当别论；

②．2V≦|Vgs|≦4V时，|Id|说不清，开关电路应避免这种状态；

③．|Vgs|＞4V时，|Id|＞250μA，是否达到饱和另当别论

 

[ 本帖最后由 仙猫 于 2012-6-8 09:48 编辑 ]

vcxz_1982

原帖由 仙猫 于 2012-6-8 09:22 发表   这里改用绝对值来表述不容易错。 假如 Vgs(th): |min|=2v，|max|=4v，测试条件|Id|=250μA; 那么 ①．|Vgs|＜2V时，|Id|＜250μA，是否彻底截止另当别论； ②．2V≦|Vgs|≦4V时，|Id|＞250μA，说不清 ...

 

 

大致明白了.

 

最近看到有个 负载开关这东西, TWH8751 TWH8752 觉得还挺适合我的.

 

我的PCB板已经画好, 只能用3根阵脚(给可控硅用的), 现在不用可控硅了. 用pmos管, 觉得有点晕了. 不过我还是会买几个做下试验.

 

至少要知道三极管C8050  和 PMOS 和负载开关他们谁更加稳定.

 

再次表示感谢!