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一粒金砂(初级)

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使用STM32F103ZE的FSMC控制不到SST39V3201的问题 [复制链接]

STM32F103ZE与SST39VF3201的IO连接如下:

STM32F103ZE                        SST39VF320X
FSMC_A0 - PF5/FSMC_A22             A0-A22
PD14/FSMC_D0 - PD15/FSMC_D15       D0-D15
PD5/FSMC_NWE(WEN)                  WE#
PB1/ADC_IN9/TIM3_CH4(SST_RSTN)     RST#
PF11(SST_WPN)                      WP#
PD4/FSMC_NOE(OEN)                  OE#
PD7/FSMC_NE1-NCE2(CEN)             CE#

直接使用IO模拟控制时序可以存取到外部flash,所以硬件应该没有问题.但是参照固件库中FSMC的NOR Flash的例子,依照它的步骤却无法控制到外部Flash.跟固件库中的区别是,我的flash用NE1片选,它的用NE2,但这个应该不是问题吧.然后我用for循环改变AddressSetupTime,AddressHoldTime和DataSetupTime的值,然后读取,也得不到正确的值.My god!!!!

我程序的流程如下:
1.设置系统时钟,AHB=72Mhz
2.使能用到的IO控制器和FSMC控制器
3.配置IO,RST#和WP#设成IO推挽输出,其他设成复用推挽输出.
4.调用FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure)初始化FSMC_BCR1和FSMC_BTR1
5.使能Bank1的控制器
6.存取外部Nor Flash(失败)

是不是有什么步骤忽略掉了?拜请高人赐教.
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                                 原来之前有过这样的讨论了,真希望若干天前的我能够看到   详情 回复 发表于 2008-12-10 18:19
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沙发
 

首先请用示波器看看是否有输出信号,然后看看各项时序对

                                  
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用示波器看了时序

时序是有点问题

我模拟IO读4个半字的CE和OE时序:

   __    ____    ____    ____    ____ 
     |__|    |__|    |__|    |__|    

FSMC读4个半字的CE和OE时序:

   __   ____   _   ____   ____   _   ____
     |_|    |_| |_|    |_|    |_| |_|    

Why???为什么有两个紧跟在一起的低电平,疑惑中.......
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你是否能把这两个信号与其它信号的关系显示出来

                                 最好能有示波器的截图。
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示波器截图

                                 示波器只有两个通道,所以只看这两个控制线,其它都是数据线和地址线,看它控制线的时序应该都是不对的了,寄存器里好象也没有可以调整这个波形的参数.OE和CE总是读第一个16位数据时,有一个低电平,然后读第二个16位数据时,会连续出现两个低电平,读第三个16位数据时又只有一个低电平,周而复始.图片上上面的是CE,下面的是OE
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一粒金砂(初级)

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请问你操作外置RAM的程序是什么样的?

连续两个CE的低电平在下面这样的语句中就是正常的:
 var -= 12; // 读出var的数值,减去12后再写回
 var++;     // 读出var的数值,加一后再写回

这里的读和写是连续进行的,所以会有2个连续CE低电平。
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没用到外置RAM

我的板上没有用到外置的RAM,只外置了nor flash,我的参数如下:

    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime=5;
    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_AddressHoldTime=0;
    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_DataSetupTime=7;
    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_BusTurnAroundDuration=0;
    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_CLKDivision=0x00;
    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_DataLatency=0x00;
    FSMC_NORSRAMTimingInitStructure.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_B;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM1;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_NOR;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;
    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
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只用读语句

我用如下语句从外置flash读数据

     result=*(unsigned short *)(AddressInFlash)
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即使读Flash,如果要读的位置不是双字节对齐的,也要读两遍

请看看你的操作地址是多少。

目前我不知道你的问题的现象是什么?如果是读出来的数据不对,你需要检查输出的时序是否满足外部器件的要求。
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问题解决了

    非常感谢版主无私的帮助,输出的时序确实没有问题,在访问奇地址时需要读两遍,所以波形才会象上图一样.
    问题出在我对FSMC控制地址线的理解上,我的STM32的A0接的是SST39V3201的A0脚,我按照之前使用LPC2214的经验,认为A0脚将输出字节地址的最低位,所以例如我向外部flash的0x2000地址写0xAAAA,就应该从0x2000地址读出0xAAAA,但是读到的却一直是0xFFFF,一直不成功.
    其实,STM32F103ZE的FSMC访问16位宽的外部flash时,它会自动将赋给它的地址的最低位省略,也就是地址右移一位再输出,输出的是16位的地址.所以要访问到外部flash中0x2000地址的值,赋给FSMC的地址应该人为先左移一位,使用0x4000就可以读出0xAAAA.
    STM32F103ZE的数据手册上相关的论述如图所示,我觉得ST应该要完善下文档吧,实在太不详细太不明不白了.最后再次感谢版主.
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谢谢楼主的批评,这个问题已经反映给写文档的同事改进

请看以前的一个帖子的讨论,尤其是22楼的解释:当访问16位接口SRAM
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如果时间能够倒流

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