NMOS的驱动时为啥要在GS间并联一个电阻呢?

小太阳yy

NMOS的驱动时为啥要在GS间并联一个电阻呢? [复制链接]

 

 

这个电阻起到啥作用呢？

 

 

 

maychang

【这个电阻起到啥作用呢？】

据我猜测，此电阻目的是释放掉MOS管门极与源极之间电容存储的电荷，避免门极被击穿，也避免MOS管误导通。

fjdeepblue

如果没有这个电阻，上电时，如果CONTROL信号悬空，由于MOS管的密勒电容，可能造成MOS管意外导通

小太阳yy

maychang 发表于 2024-1-19 15:56 【这个电阻起到啥作用呢？】 据我猜测，此电阻目的是释放掉MOS管门极与源极之间电容存储的电荷，避免门 ...

在网上又看到了另外一种设计，用NMOS做反接的设计，给MOS G极用电荷泵设计，来实现MOS的驱动，然后在MOS的GS两端加了三极管的设计，这个三极管是干嘛用的呢？

 

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-20 11:19 在网上又看到了另外一种设计，用NMOS做反接的设计，给MOS G极用电荷泵设计，来实现MOS的驱动，然后在MOS ...

【用NMOS做反接的设计，给MOS G极用电荷泵设计，来实现MOS的驱动】

没有看到4楼图中有电荷泵，不知道此图如何用电荷泵实现MOS的驱动。

电荷泵至少需要一个电容，而且需要脉冲驱动使电容充电放电，这两条图中都没有。

小太阳yy

maychang 发表于 2024-1-20 11:25 【用NMOS做反接的设计，给MOS G极用电荷泵设计，来实现MOS的驱动】 没有看到4楼图中有电荷泵，不知道 ...

  右侧是一个集成的芯片，当需要MOS导通时，红框里的位置会输出一个高电平，使MOS导通，我想的时当电路反接的时候，上图中的三极管会保证G极是对地连通的，保证反接的情况下 MOS是稳定关闭的

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-20 11:19 在网上又看到了另外一种设计，用NMOS做反接的设计，给MOS G极用电荷泵设计，来实现MOS的驱动，然后在MOS ...

【然后在MOS的GS两端加了三极管的设计，这个三极管是干嘛用的呢？】

从图中Vbat方向可以知道：NPN三极管和该三极管发射极上串联的二极管都是处于反向状态，所以该三极管不可能导通，无论该三极管集电极对地的正电压有多高。

如果方框OVERDRIVE端对地为负，那么该NPN三极管集电极为负发射极为正，处于集电极发射极颠倒状态。三极管在颠倒状态仍有一定电流放大倍数，只不过电流放大倍数很小，一般只有几倍。但是，此时发射极上串联的二极管仍处于反向，其中不可能有电流。

所以，严重怀疑此电路的正确性。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-20 11:34   右侧是一个集成的芯片，当需要MOS导通时，红框里的位置会输出一个高电平，使MOS导通，我想的时当 ...

6楼图中OVERDRIVE端为正时，NPN三极管不可能导通，因其发射结反偏。所以，该三极管不能“保证G极是对地连通的”。

小太阳yy

maychang 发表于 2024-1-20 11:50 6楼图中OVERDRIVE端为正时，NPN三极管不可能导通，因其发射结反偏。所以，该三极管不能“保证G极是 ...

正常情况下三极管NPN不是导通的，我的意思是当输入电源接反的情况下，这个电路是针对输入电源反接保护的

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-20 12:39 正常情况下三极管NPN不是导通的，我的意思是当输入电源接反的情况下，这个电路是针对输入电源反接保护的 ...

【我的意思是当输入电源接反的情况下，这个电路是针对输入电源反接保护的】

如果Vbat反接，6楼电路确实可以令MOS管关断，那个Automotive System得不到供电。

那么4楼所说“电荷泵”，想必是位于Automotive System内部，没有显示出来。

小太阳yy

maychang 发表于 2024-1-20 13:33 【我的意思是当输入电源接反的情况下，这个电路是针对输入电源反接保护的】 如果Vbat反接，6楼电路确 ...

对  那些电路实在芯片内部的，我想说的时是不是可以不用该三极管，直接在GS并联一个电阻是不是也是可以起到同样的效果呢？

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-20 13:39 对  那些电路实在芯片内部的，我想说的时是不是可以不用该三极管，直接在GS并联一个电阻是不是也是 ...

【我想说的时是不是可以不用该三极管，直接在GS并联一个电阻是不是也是可以起到同样的效果呢？】

直接在MOS管G、S间并联一个电阻不行，还需要OVERDRIVE信号不会被短路到地，这样就需要至少两个电阻。

秦天qintian0303

这应该只是给控制端一个初始状态  

小太阳yy

maychang 发表于 2024-1-20 13:56 【我想说的时是不是可以不用该三极管，直接在GS并联一个电阻是不是也是可以起到同样的效果呢？】 直接 ...

我的理解是，当输入电源反接时，为了快速的泄放掉GS的电，保证MOS不管不会被导通，我的意思是把三极管换成一个电阻，也同样能起到泄放GS的电的作用，是不是就不可不用三极管了，或者说用三极管放电速度更快？

小太阳yy

小太阳yy 发表于 2024-1-22 13:47 我的理解是，当输入电源反接时，为了快速的泄放掉GS的电，保证MOS不管不会被导通，我的意思是把三极管换 ...

我明白了 不能用电阻替代三极管，三极管能保证MOS管的G是处在接地的稳定状态。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-22 13:47 我的理解是，当输入电源反接时，为了快速的泄放掉GS的电，保证MOS不管不会被导通，我的意思是把三极管换 ...

输入电源反接，G、S初始状态应该是不带电荷的，所以也没有“快速的泄放”这回事。也就没有必要用三极管，用电阻足矣。电源反接仅一次，不必“快速”。

用三极管使MOS管门极迅速放电，用在某些较老的开关电源控制芯片电路中。例如TL494，其输出是两路互补的PWM信号，但每一路却是单端的，MOS管门极下拉靠电阻，很慢。用个三极管后可以大为加快MOS管门极放电。

 

小太阳yy

maychang 发表于 2024-1-22 13:54 输入电源反接，G、S初始状态应该是不带电荷的，所以也没有“快速的泄放”这回事。也就没有必要 ...

考虑实在正反接快速切换的情况下。

maychang

小太阳yy 发表于 2024-1-22 17:24 考虑实在正反接快速切换的情况下。

不考虑电源快速正接反接情况，因为这种情况不可能出现。

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