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一粒金砂(初级)

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急问:NMOS做开关,源极可否下拉电阻接地,导通时电压可以达到VDD=48V么 [复制链接]

如题,我想要用NMOS做快速开关,源极下拉电阻接地,漏极接VDD=+48V,导通时将源极电压拉至+48V,不知道可不可以实现
如果可以的话,下拉电阻大概应该是多少,多谢多谢

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  NMOS管要导通的话,要求栅极电压要比源极电压高。你这是高侧开关用法,用PMOS管的话容易控制,否则要有复杂点的驱动电路  详情 回复 发表于 2009-6-2 23:18
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一粒金砂(初级)

沙发
 
那要看你G端的电压是多少,如果Vgs不足以让MOS导通,那S端就不会有电压。
当然电阻接地时可以,当然电阻一定要大,不然会有电阻上会流比较大的电流从而造成浪费
 
 

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值得思考
 
 
 

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如果用TPS2816是否可以驱动啊,vcc=12V
 
 
 

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一般的mos 12v是可以的 ,但是每个mos都有本身的参数,你看看datasheet里面的VGS的要求才能确定。
 
 
 

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对,下拉电阻一定要大
 
 
 

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  NMOS管要导通的话,要求栅极电压要比源极电压高。你这是高侧开关用法,用PMOS管的话容易控制,否则要有复杂点的驱动电路
 
 
 

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