你知道射频领域未来的明星材料吗？

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你知道射频领域未来的明星材料吗？ [复制链接]

随着5G时代到来，射频领域对半导体器件性能、效率、小型化的要求越来越高，传统以硅 (Si)、锗 (Ge)为代表的第一代半导体材料逐渐无法满足5G时代的需求，因此，半导体材料发生了革命性的变革-第二代和第三代半导体材料诞生了。特别是，第三代半导体材料，由于其具有较大的带宽宽度，较高的击穿电压 (breakdown voltage)，耐压与耐高温性能良好，因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件，正是凭借着优异的性能，他们早已成为当前各国半导体公司竞相布局的焦点。

 

上面说了这么多，下面就给大家具体介绍一下，第二代和第三代半导体材料有哪些：

 

• 第二代半导体是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表；

• 第三代半导体材料是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为

 

 

这里，给大家主要推荐砷化镓 (GaAs)和氮化镓 (GaN)。为什么主推这两种材料呢？射频半导体厂商Qorvo在“射频领域的明星材料：砷化镓和氮化镓”中给出了主要理由。请点击“射频领域的明星材料：砷化镓和氮化镓”浏览。

 

 

led2015

GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体。GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一，是智能手机零组件中，功率放大器 (PA) 的基石。

alan000345

led2015 发表于 2019-10-30 23:33 GaN 是未来最具增长潜力的化合物半导体。GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一，是智能手机零组件中，功 ...

你好厉害啊，说的好到位。