单片机系统常用电子元器件的检测方法

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通二极管检测方法
　　二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表一。






表一 二极管简易测试方法

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二极管选用时要注意的几个问题
（1）正向特性
         
         另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
（2）反向特性
         二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
（3）击穿特性
         当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
（4）频率特性
         由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

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普通发光二极管的检测
??（1）用万用表检测。利用具有×10kΩ挡的指标式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0，则易损坏。这种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。
??如果有两块指标万用表（最好同型号）可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极（P区），余下的“+”笔接被测发光管的负极（N区）。两块万用表均置×10Ω挡。正常情况下，接通后就能正常发光。若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
??（2）外接电源测量。用3V稳压源或两节串联的乾电池及万用表（指标式或数位式皆可）可以较准备确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在1.4～3V之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V，且不发光，说明发光管已坏。

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红外发光二极管的检测
??由于红外发光二极管，它发射1～3μm的红外光，人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW，不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。红外LED的正向压降一般为1.3～2.5V。正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常，而无法判定其发光情况正常否。为此，最好准备一双光敏器件（如2CR、2DR型硅光电池,或光敏接收三极管）作接收器。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外LED加上适当正向电流后是否发射红外光。其测量电路如图11所示。

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二极管、三极管器件损坏的迹象与特点
二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击 穿；另一种是PN结的特性变差，用万用表R×1k测 ，各PN结均正常，但上机后不能正常工作，如果用R×10或R×1低量程档测，就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量，较准确的方法是：将万用表置R×10或R×1档（一般用R×10档，不明显时再用R×1档）在路测二、三极管的PN结正、反向电阻，如果正向电阻不太大（相对正常值），反向电阻足够大（相对正向值），表明该PN结正常，反之就值得怀疑，需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上，用万用表低阻值档在路测量，可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。

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三极管检测经验(一):三极管材料与极性的判别

晶体管材料与极性的判别
1．从晶体管的型号命名上识别其材料与极性
    国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A~D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A~D来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP型极性）。其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。
2．从封装外形上识别晶体管的引脚
   在使用晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。

3．用万用表判别晶体管的极性与材料
对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于一般小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。
在测量中会发现：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）连接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为发射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。
PNP型晶体管，可以将红表笔接基极B，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。
NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极E。
通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料（区分出是硅管还是锗管）及好坏。一般锗管PN结（B、E极之间或B、C极之间）的正向电阻值为200~500Ω，反向电阻值大于100kΩ；硅管PN结的正向电阻值为3~15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。

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三极管检测经验(二):三极管性能的检测
1．反向击穿电流的检测
   普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档，NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。
正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ（用R×10档测）以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ（用R×10k档测），实测值一般为500kΩ以上。
若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大；若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。
也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。

2．放大能力的检测
   晶体管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。
若万用表无hFE档，则也可使用万用表的R×1k档来估测晶体管放大能力。测量PNP管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E，红表笔接晶体管的集电极C，再在晶体管的集电结（B、C极之间）上并接1只电阻（硅管为100kΩ锗管为20 kΩ），然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。
测量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的发射极E，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。
也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大能力。测量时，先将测试表的hFE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hFE键，再从表中读出hFE值即可。

3．反向击穿电压的检测
   晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V（BR）测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的V（BR）键，再从表中读出反向击穿电压值。
对于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测试电路的A端、B端相连（PNP管的E极接A点，C极接B点；NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。

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三极管检测经验(三):特殊晶体管的检测
1．带阻尼行输出管的检测
   用万用表R×1档，测量发射结（基极B与发射极E之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20~50Ω。
   用万用表R×1k档，测量行输出管集电结（基极B与集电极C之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极B，红表笔接集电极C）为3~10kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表R×1k档，测量行输出管C、E极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6~7 kΩ），反向电阻值为无穷大，若测得C、E极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管C、E极之间短路或阻尼二极管击穿损坏。若测得C、E极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
   带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力（交流电流放大系数β值）不能用万用表的hFE档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极C与基极B之间并接1只30 kΩ的电位器，然后再将行输出管各电极与hFE插孔连接。适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。

2．带阻晶体管的检测
   因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解管内电阻器的阻值。
测量时，将万用表置于R×1k档，测量带阻晶体管集电极C与发射极E之间的电阻值（测NPN管时，应将黑表笔接C极，红表笔接E极；测PNP管时，应将红表笔接C极，黑表笔接E极），正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极B与集电极C之间短路后，则应有小于50kΩ的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。
   也可以用测量带阻晶体管BE极、CB极及CE极之间正、反向电阻值的方法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。

3．普通达林顿管的检测
   普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极B与发射极E之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1k或R×10k档来测量。
   测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C与基极B之间的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接集电极C）值与普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近，为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大。而发射极E与基极B之间的的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接发射极E）是集电极C与基极B之间的正、反向电阻值的2~3倍，反向电阻值为无穷大。集电极C与发射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。若测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0，则说明该管已击穿损坏。若测得达林顿管的BE极或BC极之间的、反向电阻值为无穷大，则说明该管已开路损坏。

4．大功率达林顿管的检测
   大功率达林顿管在普通达林顿管的基础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路，在测量时应注意这些元器件对测量数据的影响。
   用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管集电结（集电极C与基极B之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（NPN管的基极接黑表笔时）应较小，为1~10kΩ，反向电阻值应接近无穷大。若测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明该管已击穿短路或开路损坏。
   用万用表R×100档，测量达林顿管发射极E与基极B之间的正、反向电阻值，正常值均为几百欧姆至几千欧姆（具体数据根据B、E极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。例如，BU932R、MJ10025等型号大功率达林顿管B、E极之间的正、反向电阻值均为600Ω左右），若测得阻值为0或无穷大，则说明被测管已损坏。
   用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管发射极E与集电极C之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接发射极E，红表笔接集电极C；测PNP管时，黑表笔接集电极C，红表笔接发射极E）应为5~15kΩ（BU932R为7kΩ），反向电阻值应为无穷大，否则是该管的C、E极（或二极管）击穿或开路损坏。

5．光敏三极管的检测
   光敏三极管只有集电极C和发射极E两个引脚，基极B为受窗口。通常，较长（或靠近管键的一端）的引脚为E极，较短的引脚的C极。达林顿型光敏三极管封装缺圆的一侧为C极。
   检测时，先测量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于R×1k档。红表笔和黑表笔分别接光敏三极管的两个引脚。正常时，正、反向电阻均为无穷大。若测出一定阻值或阻值接近0，则说明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。
测量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻测量状态下，若将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口靠近光源，正常时应有15~30kΩ的电阻值。则说明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。

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如何用万用表测量可控硅
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成（见图1）。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
1、单、双向可控硅的判别：
先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2、性能的差别：
将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。
对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。
对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

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如何用万用表检测电容器的好坏
1、用万用表判断电解电容器的正、负引线
　　一些耐压较低的电解电容器，如果正、负引线标志不清时， 可根据它的正接时漏电电流小(电阻值大)，反接时漏电电流大的特性来判断。具体方法是：用红、黑表笔接触电容器的两引线，记住漏电电流(电阻值)的大小 (指针回摆并停下时所指示的阻值)，然后把此电容器的正、负引线短接一下，将红、黑表笔对调后再测漏电电流。以漏电流小的示值为标准进行判断，与黑表笔接触的那根引线是电解电容器的正端。这种方法对本身漏电流小的电解电容器，则比较难于区别其的极性。
2、用万用表电阻档检查电解电容器的好坏
　　电解电容器的两根引线有正、负之分，在检查它的好坏时， 对耐压较低的电解电容器(6V或 l0V)，电阻档应放在R×100或 R×1Ｋ档，把红表笔接电容器的负端，黑表笔接正端，这时万用表指针将摆动，然后恢复到零位或零位附近。这样的电解电容器是好的。电解电容器的容量越大，充电时间越长，指针摆动得也越慢。
3、用万用表检查可变电容器
　可变电容有一组定片和一组动片。用万用表电阻档可检查它动、定片之间有否碰片，用红、黑表笔分别接动片和定片，旋转轴柄，电表指针不动，说明动、定片之间无短路(碰片)处；若指针摆动，说明电容器有短路的地方。
4、用万用表电阻档粗略鉴别5000PF以上容量电容的好坏
　用万用表电阻档可大致鉴别5000PF以上电容器的好坏(5000PF以下者只能判断电容器内部是否被击穿)。检查时把电阻档量程放在量程高档值，两表笔分别与电容器两端接触，这时指针快速的摆动一下然后复原，反向连接，摆动的幅度比第一次更大，而后又复原。这样的电容器是好的。 电容器的容量越大，测量时电表指针摆动越大，指 针复原的时间也较长，我们可以根据电表指针摆动的大小来比较两个电容器容量的大小。

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场效应管的管脚识别及放大能力估测
1、结型场效应管的管脚识别：
　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极
　　用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
　　制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力
　　将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
　　由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
    本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
　　MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。

　　 目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。

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集成电路的检测方法
1、检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理
检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件，那么分析和检查会容易许多。
2、测试不要造成引脚间短路
电压测量或用示波器探头测试波形时，表笔或探头不要由于滑动而造成集成电路引脚间短路，最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量。任何瞬间的短路都容易损坏集成电路，在测试扁平型封装的CMOS集成电路时更要加倍小心。
3、严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备.虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不太了解的电视或音响设备时，首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音响等设备造成电源短路，波及集成电路，造成故障的进一步扩大。
4、要注意电烙铁的绝缘性能
不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，最好把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心，能采用6~8V的低压电路铁就更安全。
5、要保证焊接质量
焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不超过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。已焊接好的集成电路要仔细查看，最好用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源。
6、不要轻易断定集成电路的损坏
不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝大多数为直接耦合，一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化，而这些变化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时，也不一定都能说明集成电路就是好的。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。
7、测试仪表内阻要大
测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20KΩ/V的万用表，否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。
8、要注意功率集成电路的散热
功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。
9、引线要合理
如需要加接外围元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端

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继电器的主要参数及检测方法
1  吸合值、释放值
... 继电器的不吸动值、吸合值、保持值、释放值测试按图1所示的测试程序图进行。该测试程序为生产单位和使用单位共同遵守的统一方法，其最大优点是测试的参数重复性好，它并不表示实际使用中继电器要先磁化，后工作。

....按一般要求，交流继电器的吸合电压不大于其额定电压的85%，直流继电器的吸合电压不大于其额定电压的75%（有的为80%）。保持电压，直流继电器通常为30%-40%额定电压，交流继电器保持电压要大些。直流继电器的释放电压通常不小于10%额定电压，极限低温下不小于5%额定电压。交流继电器的释放电压通常为30%左右额定电压极限低温下不小于10%的额定电压。
2  线圈电阻
... 线圈电阻的测量可用电压、电流法和电桥法。用电压、电流法测量时，应尽量避免或减小电压表、电流表内阻的影响，测试过程要尽量短，以避免线圈温升。线圈电阻对测量时的环境温度比较敏感，所以测试前1-2小时内产品要置于要测试的环境下并（最好）不对线圈施加激励。测试数值Ra应换算成基准温度（一般为20℃）下的值，换算公式为： ....Ra=R0[1+a(Ta-20)]
式中：Ta为环境温度（℃）
a为电阻温度系数（铜导线的温度系数是0.004/℃）
3  接触电阻
... 测量动断触点接触电阻时继电器处于不激励状态；测量动合触点接触电阻时继电器处于额定激励状态。接触电阻的测量采用电压电流表法。测量时，加到触点上的负载（阻性）应符合表7规定。测试部位在引出端离其根部4mm之内。负载应在触点达稳定闭合之后施加，触点断开之前切除。
表7   继电器国标规定测量接触电阻（或压降）的负载大小
应用类别                                           测试负载（阻性）
CA0 ≤30mV  ，  ≤10mA               10mA × 30mV
CA1 30mV~60V，0.01~0.1A          10mA × 100mV
CA2 5~250V  ，  0.1~1.0A             100mA × 24V
CA3 5~600V ，  0.1~100A             1A × 24V
注：含多种应用类别时，应以最低的应用类别的要求为准

4  绝缘性能
... 继电器绝缘电阻的测试一般都使用兆欧表，被测继电器应置于优质绝缘板上，测试电压应符合各产品技术要求规定，一般加电压2s之后的最小值即为被测值。
... 介质耐压测试时在最高电压（110%额定电压）下保持1~5s，有争议时应以额定电压保持1min为准。
5  时间参数
... 时间参数的测量电路如图2示所示，也可以用其他合适的电子仪器、仪表代替，但触点负载应为阻性，测动作、释放及回跳时间用10mA × 6v(阻性负载)，测稳定时间负载为50μA × 50mV（阻性负载）。仪器的分辩率为1μS。
... 测量动作时间应以额定工作电压的下限激励，测量释放时间应从额定工作电压的上限切除。

图2. 测量动作和释放时间及触点回跳时间的典型电路和典型波形图
6  外形尺寸
... 外形尺寸检查的依据是外形图，测量引出端位置尺寸时，应在距底板3毫米范围内测量，测量时所施外力不得造成继电器的任何损伤。
... 若无特殊规定，第6.1~6.5条测量均在正常气候条件下进行：温度15~35摄氏度，相对温度45%-75%，大气压力86.7~106.7Kpa.

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集成电路型光电耦合器测量与在线检测方法
    如6N137、HCPL2601等，输入侧发光管采用了延迟效应低微的新型发光材料，输出侧为门电路和肖基特晶体管构成，使工作性能大为提高。其频率响应速度比三极管型光电耦合器大为提高，在变频器的故障检测电路和开关电源电路中也有应用；
    这种类型的光电耦合器（6N137），输入端工作压降约为1.5V左右，但输入、输出最大电流仅为mA级，只起到对较高频率信号的传输作用，电路本身不具备电流驱动能力，可用于对MHz级信号进行有效的传输。同第一类光耦器件一样，对输入电压/电流有极性要求。当形成正向电流通路时，输出侧两引脚呈现通路状态，正向电流小于一定值或承受一定反向电压时，输出侧两引脚之间为开路状态。
此种类型光耦器件的构成电路，同第一类光耦器件构成的电路形式相类似，但电路传输的信号频率较高。其测量与检查方法也基本上是相似的。如果说第一类光耦为低速和普通光耦，那么第二类光耦合器，可称之为高速光耦，二者的区别，只是对信号响应速度的不同，在电路形式上则是相同的。
    在线测量，1、可用短接或开路2、3输入脚，同时测量输出6、5脚的电压变化； 2、减小或加大输入脚外接电阻，测量输出脚电压有无相应变化；3、从+5V供电或其它供电串限流电阻引入到输入脚，检测输出脚电压有无相应变化。来判断器件是否正常；

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三极管型光耦器件的测量与在线检测：
     一种为三极管型光电耦合器，如PC816、PC817(点击查看:光电耦合器PC817中文资料)、4N35等，常用于开关电源电路的输出电压采样和误差电压放大电路，也应用于变频器控制端子的数字信号输入回路。结构最为简单，输入侧由一只发光二极管，输出侧由一只光敏三极管构成，主要用于对开关量信号的隔离与传输；
     这类光电耦合器，输入端工作压降约为1.2V，输入最大电流50mA，典型应用值为10 mA；输出最大电流1A左右，因而可直接驱动小型继电器，输出饱合压降小于0.4V。可用于几十kHz较低频率信号和直流信号的传输。对输入电压/电流有极性要求。当形成正向电流通路时，输出侧两引脚呈现通路状态，正向电流小于一定值或承受一定反向电压时，输出侧两引脚之间为开路状态。
测量方法：
数字表二极管档，测量输入侧正向压降为1.2V，反向无穷大。输出侧正、反压降或电阻值均接近无穷大；
指针表的x10k电阻档，测其1、2脚，有明显的正、反电阻差异，正向电阻约为几十kΩ，反向电阻无穷大；3、4脚正、反向电阻无穷大；
两表测量法。用指针式万用表的x10k电阻档（能提供15V 或9V、几十μA的电流输出），正向接通1、2脚（黑笔搭1脚），用另一表的电阻档用x1k测量3、4脚的电阻值，当1、2脚表笔接入时，3、4脚之间呈现20kΩ左右的电阻值，脱开1、2脚的表笔，3、4脚间电阻为无穷大。
可用一个直流电源串入电阻，将输入电流限制在10mA以内。输入电路接通时，3、4脚电阻为通路状态，输入电路开路时，3、4脚电阻值无穷大。
3、4种测量方法比较准确，如用同型号光耦器件相比较，甚至可检测出失效器件（如输出侧电阻过大）。
上述测量是新器件装机前的必要过程。对上线不便测量的情况下，必要时也可将器件从电路中拆下，离线测量，进一步判断器件的好坏。
    在实际检修中，离线电阻测量不是很便利，上电检测则较为方便和准确。要采取措施，将输入侧电路变动一下，根据输出侧产生的相应的变化（或无变化），测量判断该器件的好坏。即打破故障电路中的“平衡状态”，使之出现“暂态失衡”，从而将故障原因暴露出来。光耦器件的输入、输出侧在电路中串有限流电阻，在上电检测中，可用减小（并联）电阻和加大电阻的方法（将其开路）等方法，配合输出侧的电压检测，判断光耦器件的好坏。部分电路中，甚至可用直接短接或开路输入侧、输出侧，来检测和观察电路的动态变化，利于判断故障区域和检修工作的开展。
    测量时的注意事项：光耦器件的一侧可能与“强电”有直接联系，触及会有触电危险，建议维修过程中为机器提供隔离电源！
    下图为常见三极管光耦器件的应用电路图。
  
光电耦合器在线检测示意图
    上图中的（1）电路，为变频器控制端子电路的数字信号输入电路，当正转端子FWD与公共端子COM短接时，PC817的1、2脚之间的电压由0V变为1.2V，4脚电压由5V变为0V。同理，当控制端子呈开路状态时，PC817的1、2脚之间电压为0V，而3、4脚之间电压为5V。图（1）电路可以看出光耦器件的各脚电压值，故障或正常状态测量输入、输出脚电压即可得出判断。
    上图（2）电路，测量1、2之间为0.7V（交流信号平均值），3、4脚之间为3V ，说明光电耦合器有了输入信号，但光耦器件本身是否正常？用金属镊子短接PC817的1、2脚，测量4脚的电压由原3V上升为5V（或有明显上升），说明光耦器件是好的。若电压不变，说明光耦损坏。

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如何识别真假锂电池
1、同等容量的电池，锂电池比镍氢、镍镉电池手感要轻；
2、用锂电池专用充电器对电池进行充电，若充电过程中电池发热，则是镍氢、镍镉电池，若温度无大的变化，则是
锂电池；
3、将电池正、负极“瞬间”短路后使用，如该电池“没电”则是锂电池，若仍“有电”则是镍氢、镍镉电池。

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电解电容损坏的迹象与特点
电解电容在电器设备中的用量很大，故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现：一是完全失去容量或容量变小；二是轻微或严重漏电；三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有：
（1）看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用；有的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续使用；
（2）摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换；
（3）电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变干，导致电容量减小，所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。

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电阻损坏的特点
电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是低阻值（100Ω以下）和高阻值（100kΩ以上）的损坏率较高，中间阻值（如几百欧到几十千欧）的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。

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判断三极管类型及引脚极性的判别口诀 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。 　　 一、 三颠倒，找基极 　　 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。 　　 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。　　 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。 　　 二、 PN结，定管型 　　 找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。 　　 三、 顺箭头，偏转大 　　 找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。 　　 四、 测不出，动嘴巴 　　 若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。

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如何识别五环电阻第一环

四环电阻的偏差环一般是金或银，一般不会识别错误，而五环电阻则不然，其偏差环有与第一环（有效数字环）相同的颜色，如果读反，识读结果将完全错误。怎样正确识别第一环呢？现介绍如下：
1、偏差环距其它环较远。
2、偏差环较宽。
3、第一环距端部较近。
4、有效数字环无金、银色。（解释：若从某端环数起第1、2环有金或银色，则另一端环是第一环。）
5、偏差环无橙、**。（解释：若某端环是橙或**，则一定是第一环。）
6、试读：一般成品电阻器的阻值不大于22MΩ，若试读大于22MΩ，说明读反。
7、试测。用上述还不能识别时可进行试测，但前提是电阻器必须完好。
应注意的是有些厂家不严格按第1、2、3条生产，以上各条应综合考虑。