怎样用MOS管做开关？

xiaopengpeng

怎样用MOS管做开关？ [复制链接]

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:02 编辑

我想用MOS管做开关，实现自动转换，当电压<5时，走一个通道；当电压>5v时走另一个通道，实现自动切换。各位版主，高手，大侠，牛人们帮我出个主意吧

dontium

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:02 编辑

3．4．2　MOS 开关一、原理开关是电子线路中的一个基本器件，它的作用是实现电路“通”与“断”的切换。由第１章介绍的ＰＮ结开关特性可知，二极管可视作一简单开关。它只是一个二端器件，缺乏控制端，在电路中只能根据其两端电平高低自动实现通断。而ＭＯＳ开关可视作一个三端网络，图３－４－４为它的示意图。图中，１、２分别为开关的输入端和输出端，３为电压控制端。电路设计者可用电压v３来控制开关的通断状态，使之在电路中使用更为灵活。开关最重要的特性是它的导通电阻 rＯＮ和关断电阻rＯＦＦ。据第１章介绍，理想情况下，rＯＮ为零而rＯＦＦ为无穷大，实际上并非如此。导通与关断电阻与端口条件有关，而非常数。在数字电路中，开关的通与断和逻辑中的真（1）与假（0）相对应，因此开关可接成各种逻辑运算电路。通常将这种开关称为逻辑开关或逻辑门（ＬｏｇｉｃＧａｔｅ）。在模拟电路中，开关用来控制模拟信号的传送。为了以示区别，通常将前者称为数字开关，后者称为模拟开关（ＡｎａｌｏｇＳｗｉｔｃｈ）。本节将重点介绍模拟开关的原理及应用，而逻辑开关（数字开关）的应用及其产生的各种逻辑门电路将在下一节中详细介绍。图３－４－５是由Ｎ沟道ＥＭＯＳ管作为模拟开关的示意图。图中，栅极画在居中位置上，表明漏、源极可对换。加在栅极上的电压vＧ用来控制开关的通断，要求vＧ高电平时开关通，低电平时开关断。输入信号电压vＩ和输出负载RＬ分别 134 第3 章　场效应管加在ＭＯＳ管的漏源极上。为了便于理解，假设ＭＯＳ管的VＧＳ（ｔｈ）＝２Ｖ，其值不随 vＢＳ而变化。vＩ的变化范围自－５Ｖ到＋５Ｖ，则要使ＭＯＳ管可靠地通断，且保证导通时工作在非饱和区，vＧ的高电平必须大于７Ｖ，低电平必须小于负３Ｖ。为了说明这个问题，将图３－４－５所示模拟开关分解成两个电路来等效，如图３－４－６所示。当vＩ为正值时，可认为端ａ为漏极，端ｂ为源极，如图３－４－６（ａ）所示。可见，即使vＩ增大到＋５Ｖ，只要vＧ大于＋７Ｖ，栅漏极间电压vＧＤ仍大于VＧＳ（ｔｈ），保证管子导通，且工作在非饱和区。vＩ为负值时，可认为端ａ为源极，端ｂ为漏极，如图３－４－６（ｂ）所示。可见，即使vＩ减小到－５Ｖ，只要vＧ小于－３Ｖ，栅源极间电压vＧＳ仍小于VＧＳ（ｔｈ），保证管子截止。