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一粒金砂(高级)

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求助高手:大家帮忙看看这个模拟电路到底是什么问题 [复制链接]

如图所示,VCC=+5V;VDC=+29V左右,单片机给PE0一个宽度为 1us  的脉冲信号使得 TIP42 开通,但是测量开通后 TIP42 和二极管D2连接那端的信号起码有的 10us 宽度,这非常影响我后面接个1:1:1变压器出来的信号。查了资料,TIP42开通时0.4us,关断是0.7us。
我想问一下大家:

1、为什么宽度 1us 的信号经过 TIP42后就变宽了??现在我弄不清楚哪里出了问题

2、我应该怎样改我的电路才能使出来的信号宽度接近 1us  ??

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看不到变压器的感値,初步认为,这个电路首先会有延时的,延时的消除就是缩短信号路径,其次,分析电路工作,微分信号进来后,Q1在一定延时情况下上升沿能够到达,之所以在Q1输出测量到接近10微秒的脉宽,可能是因为即使信号源已经变成低电平,Q1关断,对于变压器输入来说只是阻抗的变化,变压器里面存储的能量没有及时泄放出去,10微秒就是能量泄放的时间,所以脉宽变宽了。  详情 回复 发表于 2009-7-20 09:10
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裸片初长成(初级)

沙发
 
问题可能出在Q1截止时集电极处于高阻态(T1线圈参数不明,R7的“10E”算多大阻值?),测高阻态的电位是没多大意义的。
建议测一下Q1基极,就知道真正的脉冲宽度了。
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一粒金砂(高级)

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原帖由 仙猫 于 2009-7-17 23:14 发表
问题可能出在Q1截止时集电极处于高阻态(T1线圈参数不明,R7的“10E”算多大阻值?),测高阻态的电位是没多大意义的。
建议测一下Q1基极,就知道真正的脉冲宽度了。




  我测了一下  Q1基极,它对地电压一直 都是VDC值,没有任何的脉冲宽度出现。


T1是1:1的变压器,就是次级出来的电压(GA1~KA1两端电压和GB2~KB2两端电压)等于初级D2端的电压,值也跟VDC相同。  10E电阻是10欧的阻值。
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裸片初长成(初级)

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对了Q1基极脉冲幅度太小(只有0.7V),不太容易测,改测Q2集电极吧。
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一粒金砂(高级)

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原帖由 仙猫 于 2009-7-18 10:17 发表
对了Q1基极脉冲幅度太小(只有0.7V),不太容易测,改测Q2集电极吧。



测Q2的集电极也都是一只VDC=29V这样的直流电压信号,也是一样没能测到脉宽
:(
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裸片初长成(初级)

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注意负载的反方向的影响

T1(1:1:1)变压器是个紧耦合器件,后面的两路输出的容性负载对前面电路的(反射)影响值得注意,尤其Q3又是个集电极输出电路(阻抗相对甚高,还工作在开关状态)。

为了分析,可否做这样的仿真试验,试一下:
1、或者把实际(等效阻性)负载并接在两个电容上;
2、或者大幅度改变并接电容的容量进行仿真测试。
后面的方法似更有助于问题的分析。

另有两个问题:
1、如果电路是完整的,那么Q3似乎只在加电(初始化启动)中有作用,正常工作器件相当于开路,在这个问题分析中可略掉。
2、从电路看,是两路直流输出的电路,能否说明一下这个脉宽变动对你的设计的影响?


[ 本帖最后由 xiaoxif 于 2009-7-18 15:26 编辑 ]
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个人签名为什么总用3/4号仿宋? 答:大点清楚‘,仿宋是工程图的标准字体。
 
 
 

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纯净的硅(初级)

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看不到变压器的感値,初步认为,这个电路首先会有延时的,延时的消除就是缩短信号路径,其次,分析电路工作,微分信号进来后,Q1在一定延时情况下上升沿能够到达,之所以在Q1输出测量到接近10微秒的脉宽,可能是因为即使信号源已经变成低电平,Q1关断,对于变压器输入来说只是阻抗的变化,变压器里面存储的能量没有及时泄放出去,10微秒就是能量泄放的时间,所以脉宽变宽了。
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一粒金砂(高级)

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原帖由 xiaoxif 于 2009-7-18 15:21 发表
T1(1:1:1)变压器是个紧耦合器件,后面的两路输出的容性负载对前面电路的(反射)影响值得注意,尤其Q3又是个集电极输出电路(阻抗相对甚高,还工作在开关状态)。

为了分析,可否做这样的仿真试验,试一下:
...



变压器两路输出接的是两个可控硅,接上后脉冲宽度是窄了一点点。我这个电路主要是测量在给PE0多窄的的脉冲宽度下,可控硅触发导通一下又自行关断,但给最小1us宽度,由于Q1出来脉冲变宽了,所以可控硅就一直开通了,所以也就不知道给可控硅门极G一个1us的脉冲时,可控硅是否导通或是否导通一下又自行关断
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