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JasonYoo

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五彩晶圆（高级）
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发表于2006-8-14 13:25 只看该作者
 

219GHz0135LmCMOS低噪声放大器 [复制链接]

随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上,使得利
用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能.越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0135LmCMOS工艺实现的219GHz单片低噪声放大器.放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成.在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB.

1594.rar

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