SRAM001

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？ 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

SRAM001

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？

SRAM001

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？ 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-13 08:28
没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个 ...

D8如果断开，12V和GND分属两个不同的电源，这一点毫无疑问。但这样更麻烦，因为两个不同的电源之间电压未知，可能两个电源之间电压相当高(两个电源回路之间还有Q2、Q10等管子联系)，高于MOS管门极源极之间击穿电压(厂家通常保证20V不击穿)。

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-13 08:28
没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个 ...

欲分析此电路Q5Q9损坏的原因，最好把整个电路要实现的功能搞清楚。为何要使用两个超级电容？为何要使用Q2和Q10(此两支管子一支导通另一支截止，可以让V+单独为一个超级电容充电，但充电电压超过了超级电容耐压)？甚至为何使用D8这支二极管(为防止超级电容对V+放电，仅使用D4即可)？

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-13 08:28
没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个 ...

还有：L2和L3是什么？参数？目的？光耦输入信号频率？占空比？
这些问题不搞清楚，Q5或Q9为何损坏很难分析。

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-13 08:28
没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个 ...

有一种可能：此电路设计有误，并不能实现其功能。这种情况，无论你怎么“调试”，也没有用。