这样可以正常驱动mos管吗/

SRAM001

这样可以正常驱动mos管吗/ [复制链接]

 

光耦驱动mos管打开 给线圈通过2组超级电容 放电从电容正极通过线圈到mos管d级到s级回到电容负极   mos管栅极通过外加12v电源到s级 通过二极回到系统gnd    现在是可以打开无法关断  不知道这样可以用吗  超级电容一个电源  外部控制栅极电压一个电源 怎么改进下  后边是吧俩组电容分开充电 串联放电

SRAM001

现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-12 09:56
现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了

想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长，而L2或者L3直流电阻又相当小，导致电流过大而烧毁管子。

maychang

看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容，但数值仅100pF，不知道那是什么东西。

maychang

“ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电”
看不出电容如何“分开充电，串联放电”。

qwqwqw2088

烧MOS管，通过MOS管的电流大了吧，可以适当在增加一些限流电阻

SRAM001

maychang 发表于 2018-7-12 10:18
看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容，但数值仅100pF，不知道那是什么东西。

画图的时候  只是个图标 数值并没有改  

SRAM001

maychang 发表于 2018-7-12 10:15
想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长，而L2或者L3直流电阻又相当小，导致电流过大而烧毁管子。

时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放不掉 mos G级和s之间的电压

SRAM001

maychang 发表于 2018-7-12 10:19
“ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电”
看不出电容如何“分开充电，串联放电”。

通过 单片机控制  P   串联是俩个电容本身就在一起串联 通过mos管  进行释放电压

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-12 10:46
时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放 ...

把“12V的电源”和“超级电容产生的电源”公共点标注清楚，同时说清楚哪个是你的“超级电容”，“超级电容”由什么电源充电，单片机电源为何，单片机电源和“超级电容产生的电源”公共点在哪里，再来提问吧。

SRAM001

maychang 发表于 2018-7-12 10:15
想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长，而L2或者L3直流电阻又相当小，导致电流过大而烧毁管子。

我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极电流过大 瞬间？

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-12 13:21
我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极 ...

详见10楼。

SRAM001

maychang 发表于 2018-7-12 13:55
详见10楼。

好的

SRAM001

SRAM001 发表于 2018-7-12 14:43
好的

CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串接   给电容充电的是 V+和GND 为36v 最开始是 模拟搭 建个简易电路 mos管栅极没有串接10R的电阻 直接接12v测试的  瞬间mos管 源级漏级击穿  现在接上串接10R电阻 到目前还没有烧管 不知道啥原因  mos管是工作在低频上的 对10R的串接电阻应该没影响啊。

SRAM001

maychang 发表于 2018-7-12 13:55
详见10楼。

看最新 回复。

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

看不懂14楼图中C13C16右边部分。
如果Q2Q10均关断，V+与GND之间36V电压经D4D8给C13C16串联充电，这没有问题。但若Q2导通Q10关断，那么36V电压将经D8作用于C16两端，而Q10导通Q2关断，则36V电压将经D4作用于C13两端。恐怕C13或C16不能承受36V电压。若Q2Q10均导通，则更危险，36V电压将由V+短路到GND。

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

图中有P1.0和P1.1两个标号，似乎是单片机的两个引脚。单片机电源负端若是GND，那么P1.1是不可能控制源极接12V的MOS管Q7的。

maychang

SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

到现在你也没有说清楚烧毁的是哪支管子，姑且猜测是Q5或Q9。
Q5或Q9烧毁，应该与管子门极是否串联10欧电阻无关。有关的是D4和D8。如果D8导通，那么CGND这一点电位仅比与GND这一点电位高0.7V，Q5Q9源极比GND高0.7V，不会影响Q5Q9导通，11.3V电压作用于门极，也不会使MOS管Q5Q9损坏。但若D4D8关断，那就很难说了。Q5Q9门极电位完全可能比源极高得多而被击穿。

SRAM001

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？

SRAM001

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？ 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低