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gmchen 发表于 2017-6-16 15:54
自激振荡器形式的电路见到过,也是高频功率输出,不过不是驱动压电陶瓷的。主要问题还是前面讨论的效率不 ...

自激振荡, 频率由振子的固有频率决定, 只要调工作点和反馈比就行了, 只要能接受功率管的损耗, 没问题.
然而目前他励的问题是: 压电片有一个固有频率, 外面再来一个电感与Co谐振, 是一个双峰回路, 把电感做成可调的, 弄个示波器看波形调电感, 那固然好, 但是他励的目的是免调. 这要跟踪相位就很难搞了.
19年前, 我搞对讲机, 里面的电感都是空芯的, 调试员把PCBA装进调试台上, 用无感起子去调电感. 现在我还有一位旧同事搞这一行, 现在都不调了, 全部用固态电感, 免调的. 生产好简单. 不过行业越来越不景气了
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电路的频率是自反馈的,其通过R4对电流进行采样,过R1,C3低通8HZ滤波器,扫频时,若反馈电压最大,即为谐振点  详情 回复 发表于 2017-6-26 18:52
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当然了, 以前调电感, 还可以用切比雪夫或椭圆滤波器, 现在免调为了降低对元件的要求, 全改成巴特奥斯, 级数会增加, 器件也就多了, 不过器件不值钱啊, 没了东倒西歪的空习线圈, 板子也票亮
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maychang 发表于 2017-6-16 13:00
压电陶瓷作为负载,你这个电路从电路分类上说是丙类放大器(音频放大器分甲类乙类等等,这个应该知道),即 ...

其实有个办法,有一种芯片可以修改主频从而改变PWM的频率,利用采样出来的数据判定需要的频率
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想了解一下, 换能器fo的离散性有多大?  详情 回复 发表于 2017-6-16 16:45
问题是楼主并不知道。楼主(64楼)还在苦苦考虑发热的原因呢!而且楼主连个信号发生器也没有(63楼)。  详情 回复 发表于 2017-6-16 16:38
 
 
 
 

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gmchen 发表于 2017-6-16 15:57
不过对于本帖子的应用来说,似乎输出功率并不大,确实可以考虑采用自激方式,那样事情就变得比较简单了。

不少雾化器是电池供电的, 对效率有些要求, 更致命的是, 自激型电路需要几十伏的电压, 涉水的小家电, 电压高了认证相当麻烦
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kiroking 发表于 2017-6-16 16:30
其实有个办法,有一种芯片可以修改主频从而改变PWM的频率,利用采样出来的数据判定需要的频率

问题是楼主并不知道。楼主(64楼)还在苦苦考虑发热的原因呢!而且楼主连个信号发生器也没有(63楼)。
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kiroking 发表于 2017-6-16 16:30
其实有个办法,有一种芯片可以修改主频从而改变PWM的频率,利用采样出来的数据判定需要的频率

想了解一下, 换能器fo的离散性有多大?
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本帖最后由 PowerAnts 于 2017-6-16 17:21 编辑

实际上, 电源行业对效率的追求并不逊于超声波换能器, 两个行业的总产值差好几个数量级. 但是, 电源行业鲜有频率跟踪锁相的做法, 等频固然很好, ZVS和ZCS同时兼得, 但是器件都是非理想的, 严格谐振了, 反而不是最好的工况. 目前, 几百W的谐振电源变换器强制进入开关状态且保持高达98%的单级效率, 想要吗?
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十来W的功率, 会少5个点吧
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另外, 关于功率器件的"烫", 下午又在QQ群里搞科普


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忽然想到, 如果能将一个QQ群里的讨论, 实时导入BBS的话, 那一个活跃群每天至少有三五百个回贴. 关键是马化腾估计不会提供软件的接口. 群内讨论的实时性太强了, 一个问题只要有几个人参与讨论的话, 发言数量10分钟破百
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maychang 发表于 2017-6-14 14:24
“电路中用的三脚电感升压的方式为雾化片供电”
从图中看,不是升压,而是降压。如果是升压,那么电原理图 ...

我这么接是不是即使电感和压电晶片谐振了,电流仍然会滞后电压。造成mosfet无法软开关。
你的意思是把压电晶片并在整个三脚电感上么?
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“这么接是不是即使电感和压电晶片谐振了,电流仍然会滞后电压。造成mosfet无法软开关” 我不是这个意思。 MOS管本来就应该是接近于硬开关,硬开关发热才会比较少。我这里说的硬开关,指MOS管导通和关断非常迅速。  详情 回复 发表于 2017-6-23 20:06
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-23 16:02
我这么接是不是即使电感和压电晶片谐振了,电流仍然会滞后电压。造成mosfet无法软开关。
你的意思是把压 ...

“这么接是不是即使电感和压电晶片谐振了,电流仍然会滞后电压。造成mosfet无法软开关”
我不是这个意思。
MOS管本来就应该是接近于硬开关,硬开关发热才会比较少。我这里说的硬开关,指MOS管导通和关断非常迅速。我说软开关,并不是指负载两端电压最高(MOS管漏极电压最低)时导通。
你的管子发热,估计是驱动频率不等于陶瓷振子回路固有频率的原因(负载失谐)。
至于三脚电感,我另外画幅图讲吧。
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mos管选型时我专门注意可开通关断时间和结电容参数。测试时使用芯片后级接推挽结构驱动mosfet,实测g级电压上升、下降沿都在100ns以内,但是发热仍然比较严重。 所以我觉得能不能做成软开关的结构。 如果雾化片并  详情 回复 发表于 2017-6-23 20:57
 
 
 
 

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maychang 发表于 2017-6-23 20:06
“这么接是不是即使电感和压电晶片谐振了,电流仍然会滞后电压。造成mosfet无法软开关”
我不是这个意思 ...

mos管选型时我专门注意了开通关断时间和结电容参数。测试时使用芯片后级接推挽结构驱动mosfet,实测g级电压上升、下降沿都在100ns以内,但是发热仍然比较严重。
所以我觉得能不能做成软开关的结构。
如果雾化片并在三脚电感1-3(总电感最大)两脚间,使其谐振,那么电压波形和电路波形同向,mosfet上开通关断时ds电压和电流的乘积就会变小。这样构造电路结构是不是更好。
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“如果雾化片并在三脚电感1-3(总电感最大)两脚间,使其谐振,……这样构造电路结构是不是更好。” 我认为应该这样接。 不过,最重要的是驱动频率(当然也就是MOS管开关频率)在负载谐振频率上。失谐必定会使管子损  详情 回复 发表于 2017-6-23 21:38
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-23 20:57
mos管选型时我专门注意了开通关断时间和结电容参数。测试时使用芯片后级接推挽结构驱动mosfet,实测g级电 ...

“如果雾化片并在三脚电感1-3(总电感最大)两脚间,使其谐振,……这样构造电路结构是不是更好。”
我认为应该这样接。
不过,最重要的是驱动频率(当然也就是MOS管开关频率)在负载谐振频率上。失谐必定会使管子损耗增大。
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电路的频率是自反馈的,其通过R4对电流进行采样,过R1,C3低通8HZ滤波器,扫频时,若反馈电压最大,即为谐振点。图上是电路的简化版,是否应为最右边所示,接一个C,保证LC振荡频率在超声晶片的自谐振频率上,这样可  详情 回复 发表于 2017-6-26 19:18
明白了  详情 回复 发表于 2017-6-24 13:57
 
 
 
 

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maychang 发表于 2017-6-23 21:38
“如果雾化片并在三脚电感1-3(总电感最大)两脚间,使其谐振,……这样构造电路结构是不是更好。”
我 ...

明白了
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本帖最后由 dlcnight 于 2017-6-26 21:19 编辑
PowerAnts 发表于 2017-6-14 15:41
楼主知道画蛇添足的故事吧, 你那个C2就是, 事情多半就坏在它的身上, 把它短路掉, 发热可能就没那很大了.
...

这一段一直在学习逆变电路和石英晶体的相关知识。
这里面的C2主要是使mosfet g级出现负压的。因为在振荡时,高频信号通过mosfet结电容耦合到了g级上。加入C2可保证mosfet GS电压关断时完全为负值。
下面这个图是我实测的C2换为0R电阻的g电压波形。
这里mosfet的发热是不是无法避免,因为即使谐振,负载仍为感性,电流要滞后电压。还有就是实测R4上端出现了负电压,不知道这个电压是怎么来的,实际仿真时也发现会有负电压。


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本帖最后由 dlcnight 于 2017-6-26 21:21 编辑
PowerAnts 发表于 2017-6-16 16:05
自激振荡, 频率由振子的固有频率决定, 只要调工作点和反馈比就行了, 只要能接受功率管的损耗, 没问题.
...

电路的频率是自反馈的,其通过R4对电流进行采样,过R1,C3低通8HZ滤波器,扫频时,通过反馈电压来判断谐振点。应该是这个原理,但是看电路结构,电路中没有串联反馈,怎么通过反馈电压判断谐振频率不太清楚。
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本帖最后由 dlcnight 于 2017-6-26 21:23 编辑
maychang 发表于 2017-6-23 21:38
“如果雾化片并在三脚电感1-3(总电感最大)两脚间,使其谐振,……这样构造电路结构是不是更好。”
我 ...

电路的频率是自反馈的,其通过R4对电流进行采样,过R1,C3低通8HZ滤波器,扫频时,通过反馈电压来判断谐振点。应该是这个原理,但是看电路结构,电路中没有串联反馈,怎么通过反馈电压判断谐振频率不太清楚。

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纯净的硅(中级)

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写的不错,学习了。加油使自己更优秀!!!

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