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kiroking 发表于 2017-6-14 18:27
雾化片的参数基本就1.7M和2.5M两种的,国内的技术所有问题都是在定频不准

我用的是110K的
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gmchen 发表于 2017-6-14 17:57
“频率是对的”?雾化片的参数都没有,凭什么说频率是对的?
还有,楼主的变压器的接法,雾化片两端都是 ...

频率是110K,这个是知道的,其他参数就不知道了。。
用的地线夹在一端,探头点在另一端
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你明显不懂陶瓷振子, 至少要找个等效电路看看. 它是一个RLC串联回路, 再并一个静电容C'. 在谐振频率上, RLC回路中的LC阻抗抵消, 只剩下R等效, 于是此时振子相当于R与C'并联. 而你那个三脚的耦合电感L2, 应与C'谐振于  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:09
 
 

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本帖最后由 PowerAnts 于 2017-6-14 21:16 编辑
dlcnight 发表于 2017-6-14 20:33
能详细说一下原因么,比如电容的充放电过程,上面解释的确实不太明白。
我把电容换成小电阻4R,仍然比较 ...

电容换成小电阻4R, 这句是什么意思? 如果是说104电容不变, 10K电阻改成了4欧, 那110K的频率, 脉宽2uS, 那C2R3时间常数为0.4uS, 但是有7uS的放电时间, 显然就能将C2上的电荷"放光" , 那栅极有5V的脉冲幅度也就对了, 但只能维持很短的时间, 远到不了2uS. 你最好把有正确参数的原理图贴出来, 不要让大家猜.
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100nF电容换为4OHM电阻了,图也是换之后得到的。  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:35
 
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dlcnight 发表于 2017-6-14 20:33
能详细说一下原因么,比如电容的充放电过程,上面解释的确实不太明白。
我把电容换成小电阻4R,仍然比较 ...

另外, 压电陶瓷片的谐振频率是多少, 也是需要公示的.
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dlcnight 发表于 2017-6-14 20:37
给你1块钱。
能解释下原因么,上面说的我确实不太明白。。。

复杂的先不说,电容“隔直流”总应该知道。
既然“隔直流”那么电阻R3两端没有直流电压。也就是说,R3两端波形在横轴之上部分的面积和在横轴之下部分的面积一定相等。占空比小(脉冲很窄),横轴上面部分幅度大而时间短,横轴下面部分幅度小而时间长。但因横轴下面部分的存在,窄脉冲也不可能达到和没有电容C2一样的幅度。
其实,这就是PowerAnts所说占空比千分之一,脉冲幅度可以达到4.995V的原因。
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嗯,我说一下我的理解。 PWM输出由0变为1时,电容左端充电,右端电压被拉伸至5V。PWM保持1,电容通过R3放电,放电时间常数为C2R3,由于该值近似为1ms,而PWM高电平时间远小于此值,故可认为电容右端电压基本不保持  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:53
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-14 20:37
给你1块钱。
能解释下原因么,上面说的我确实不太明白。。。

如果你在38楼的波形, 是C2=100nF, R3=10K的, 那我代maychang把你这一块钱打印出来, 过一下塑, 泡水喝, 并拍视频上传.
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dlcnight 发表于 2017-6-14 20:39
频率是110K,这个是知道的,其他参数就不知道了。。
用的地线夹在一端,探头点在另一端

你明显不懂陶瓷振子, 至少要找个等效电路看看. 它是一个RLC串联回路, 再并一个静电容C'. 在谐振频率上, RLC回路中的LC阻抗抵消, 只剩下R等效, 于是此时振子相当于R与C'并联. 而你那个三脚的耦合电感L2, 应与C'谐振于110K, 形成一个RLC并联谐振电路.
但是, 驱动频率是否要110KHz, 脉宽要多大, 这倒是有文章可做的, 为什么发热, 跟驱动的频率和脉宽也有很大关系.
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等效电路我找了,RLC串联与c并联。关键是这些参数完全不知道啊。 一般压电陶瓷有两个谐振频率,一个为串联谐振一个为并联谐振。在这两个频率中时,其呈感性,反之为容性。现在我也不知道110K是在哪个频率段。 开关  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:42
 
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PowerAnts 发表于 2017-6-14 20:45
电容换成小电阻4R, 这句是什么意思? 如果是说104电容不变, 10K电阻改成了4欧, 那110K的频率, 脉宽2uS, 那 ...

100nF电容换为4OHM电阻了,图也是换之后得到的。
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电容换4欧电阻, 那你还口口声声测的是C2右湍干嘛呢?  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:49
 
 
 
 

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PowerAnts 发表于 2017-6-14 21:09
你明显不懂陶瓷振子, 至少要找个等效电路看看. 它是一个RLC串联回路, 再并一个静电容C'. 在谐振频率上, R ...

等效电路我找了,RLC串联与c并联。关键是这些参数完全不知道啊。
一般压电陶瓷有两个谐振频率,一个为串联谐振一个为并联谐振。在这两个频率中时,其呈感性,反之为容性。现在我也不知道110K是在哪个频率段。
开关管的开关损耗问题我想两种方法解决:
1.换结电容ci小的管子
2.使用图腾柱推挽驱动。
不知道还有没有别的更好方法。
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“等效电路我找了,RLC串联与c并联。关键是这些参数完全不知道啊” gmchen早就教你用信号发生器,调节信号发生器产生的频率,去测试你的压电陶瓷阻抗。 “这些参数”,都可以从上述测量中得到。  详情 回复 发表于 2017-6-15 16:17
参数, 你要找振子的datasheet. 这里别管什么串联谐振点和并联谐振点, 两个点靠得太近了, 不用去管. 你只需要了解静电容, 与你的三脚电感谐振  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:53
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-14 21:35
100nF电容换为4OHM电阻了,图也是换之后得到的。

电容换4欧电阻, 那你还口口声声测的是C2右湍干嘛呢?
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dlcnight 发表于 2017-6-14 21:42
等效电路我找了,RLC串联与c并联。关键是这些参数完全不知道啊。
一般压电陶瓷有两个谐振频率,一个为串 ...

参数, 你要找振子的datasheet.
这里别管什么串联谐振点和并联谐振点, 两个点靠得太近了, 不用去管. 你只需要了解静电容, 与你的三脚电感谐振
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maychang 发表于 2017-6-14 20:59
复杂的先不说,电容“隔直流”总应该知道。
既然“隔直流”那么电阻R3两端没有直流电压。也就是说,R3两 ...

嗯,我说一下我的理解。
PWM输出由0变为1时,电容左端充电,右端电压被拉伸至5V。PWM保持1,电容通过R3放电,放电时间常数为C2R3,由于该值近似为1ms,而PWM高电平时间远小于此值,故可认为电容右端电压基本不保持变化。PWM由1变为0时,电容右端电压下降至0V附近(应该小于0),然后电容右端通过R3放电,重复以上过程。
占空比的大小决定了稳态时的电压值。
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另外,你不是把电容换成4欧电阻了么?那还讨论电容充电放电干什么呢? 换成4欧电阻仍发热,要解决发热问题应该从其它方面考虑吧?  详情 回复 发表于 2017-6-15 16:14
“PWM输出由0变为1时,电容左端充电,右端电压被拉伸至5V。” 那可不一定。如果"PWM输出由0变为1时"之前电容两端电压不为零,你的推论就不正确。 只有该时刻之前电容两端电压为零,驱动芯片输出端由0至1跳变后电容  详情 回复 发表于 2017-6-14 22:09
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-14 21:53
嗯,我说一下我的理解。
PWM输出由0变为1时,电容左端充电,右端电压被拉伸至5V。PWM保持1,电容通过R3 ...

“PWM输出由0变为1时,电容左端充电,右端电压被拉伸至5V。”
那可不一定。如果"PWM输出由0变为1时"之前电容两端电压不为零,你的推论就不正确。
只有该时刻之前电容两端电压为零,驱动芯片输出端由0至1跳变后电容右端才是5V。
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mos驱动不可以用电容耦合的,那么点电流怎么给mos的栅极充放电啊
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dlcnight 发表于 2017-6-14 21:53
嗯,我说一下我的理解。
PWM输出由0变为1时,电容左端充电,右端电压被拉伸至5V。PWM保持1,电容通过R3 ...

另外,你不是把电容换成4欧电阻了么?那还讨论电容充电放电干什么呢?
换成4欧电阻仍发热,要解决发热问题应该从其它方面考虑吧?
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嗯,我考虑是开关损耗原因,在想办法解决  详情 回复 发表于 2017-6-15 20:36
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-14 21:42
等效电路我找了,RLC串联与c并联。关键是这些参数完全不知道啊。
一般压电陶瓷有两个谐振频率,一个为串 ...

“等效电路我找了,RLC串联与c并联。关键是这些参数完全不知道啊”
gmchen早就教你用信号发生器,调节信号发生器产生的频率,去测试你的压电陶瓷阻抗。
“这些参数”,都可以从上述测量中得到。
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没有信号发生器 不然我就测了。。。。  详情 回复 发表于 2017-6-15 20:30
 
 
 
 

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PowerAnts 发表于 2017-6-14 20:05
几M的PWM, 单片机好像不便宜, 不过不熟悉这一块

是的,还是比较贵的,我这个芯片卖到了8毛左右,而且已经是最优选择了,这个芯片最好是的主频可以调节,要用汇编写,有很多小技巧。最难做的是一致性,国内只有2个工程师写出的程序一致性比较好,他们每个月的出货量是1KK
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让我来猜一猜, 你所谓的难写, 应该是对压电片的自适应性, 压电片的fo有误差, 电感的误差更大, 又从你前面的贴子中得知, 压电片上的电压达供电电压的10倍左右, 那么显然, 回路的Q是很大的, 参数稍偏一些就可能影响输  详情 回复 发表于 2017-6-15 17:15
 
 
 
 

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PowerAnts 发表于 2017-6-14 20:04
驱动RLC回路, 串并联关系决定了工作频率在谐振频率的左侧还是右侧, 搞对了发热就很小了, 开关速度在这里 ...

RLC回路是很重要,但是还有一个问题也要考虑,那就是mos管的跨导值,发热的问题是没有根本的解决办法的,而且雾化片的内部就是一个谐振电路,发热也是很严重的,雾化片工作的时候,去触摸一下雾化片就知道了,60度以上
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跨导的问题, 要跟据负载来确定, 根本原因就是一个电流源的问题, 跨导太小驱动不足, 跨导太大的话, 容性负载发热确实大, 不过临界驱动可不是好事, 难怪都说发热大, 其实这是可以解决的.  详情 回复 发表于 2017-6-15 17:40
 
 
 
 

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kiroking 发表于 2017-6-15 16:59
是的,还是比较贵的,我这个芯片卖到了8毛左右,而且已经是最优选择了,这个芯片最好是的主频可以调节, ...

让我来猜一猜, 你所谓的难写, 应该是对压电片的自适应性, 压电片的fo有误差, 电感的误差更大, 又从你前面的贴子中得知, 压电片上的电压达供电电压的10倍左右, 那么显然, 回路的Q是很大的, 参数稍偏一些就可能影响输出功率. 因此, 真正的难, 是在于做功率控制, 方法很多啦, 不过最笨的办法就是给驱动频率加一个慢速的抖动, 看频率上下滑动时功率(电流)的变化, 从而找到最佳的驱动频率.
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有些靠近,但不是最佳方案,可惜这个不能公布,我所了解的某家出价10W买这个算法都没拿到,无论是电路还是算法都有一定的难度。很多想说的关键点都触及了核心内容,我快憋不住了,还有一点可以说的,就是1.7M的  详情 回复 发表于 2017-6-15 17:20
 
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PowerAnts 发表于 2017-6-15 17:15
让我来猜一猜, 你所谓的难写, 应该是对压电片的自适应性, 压电片的fo有误差, 电感的误差更大, 又从你前面 ...

有些靠近,但不是最佳方案,可惜这个不能公布,我所了解的某家出价10W买这个算法都没拿到,无论是电路还是算法都有一定的难度。很多想说的关键点都触及了核心内容,我快憋不住了,还有一点可以说的,就是1.7M的雾化片比2.5M的好做,能说的都说完了,再多一点都是涉及核心了
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以前见过一个控制电路,不是驱动压电陶瓷的,不过也有频率自适应问题,其做法是构成一个软件锁相环,自动锁定在谐振频率上。 顺便说一下,在这个帖子里,得到很多有益的启发,正是三人行必有我师,谢谢大家。  详情 回复 发表于 2017-6-15 21:30
OK, 那就不多说了. 最后, 明确一点: 这是一个双谐振点的回路, 如果我来做, 我会让驱动频率略低于谐振频率, 且占空比稍稍小些, 0.5不见得最好, 可能0.2-0.3最佳.  详情 回复 发表于 2017-6-15 17:24
 
 
 
 

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