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另外,即使楼主不知道雾化片的参数,也完全可以用实验的办法测试:用一个信号发生器(输出要足以驱动MOSFET)直接驱动场效应管,然后逐步改变频率,通过观察输出,可以找到谐振点。
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频率是对的,关键是匹配的电感不太对,导致雾化片两端正弦失真。。 不知如何去修改参数了。。。 不匹配导致电流电压有相位差,一定程度也会增加mos的开关损耗  详情 回复 发表于 2017-6-14 17:27

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maychang 发表于 2017-6-14 16:52
“但是我实测是高电平5V”
是电容C2的左端还是右端?猜测你测量的是C2左端,PowerAnts说的是C2右端。
C ...

测得是右端。。。
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C2右端测得0~5V?我可以和你打赌:如果是真的,我赔一万块,如果不是,你赔一块。  详情 回复 发表于 2017-6-14 17:47
 
 

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gmchen 发表于 2017-6-14 17:13
另外,即使楼主不知道雾化片的参数,也完全可以用实验的办法测试:用一个信号发生器(输出要足以驱动MOSFET ...

频率是对的,关键是匹配的电感不太对,导致雾化片两端正弦失真。。
不知如何去修改参数了。。。
不匹配导致电流电压有相位差,一定程度也会增加mos的开关损耗
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“频率是对的”?雾化片的参数都没有,凭什么说频率是对的? 还有,楼主的变压器的接法,雾化片两端都是热端,你又如何用示波器观察?难道用差分探头还是用两个探头然后相减?  详情 回复 发表于 2017-6-14 17:57
你那个雾化片和三端电感的联接方式就不对,先不要说什么匹配了。  详情 回复 发表于 2017-6-14 17:51
 
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-14 16:39
但是我实测是高电平5V

C2上的电压=输入脉冲电压*D,  指的是C两端的直流电压
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能详细说一下原因么,比如电容的充放电过程,上面解释的确实不太明白。 我把电容换成小电阻4R,仍然比较热。下面这个图,绿色是mos ds串联的1R采样电阻上的电压,黄色是mos G电压。可以看出来确实是开关损耗比较大  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:33
 
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dlcnight 发表于 2017-6-14 17:24
测得是右端。。。

C2右端测得0~5V?我可以和你打赌:如果是真的,我赔一万块,如果不是,你赔一块。
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给你1块钱。 能解释下原因么,上面说的我确实不太明白。。。  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:37
悠着点, 哈哈, 万一楼主弄个千分之一的占空比, 你就亏大了, 反正也没说4.995不是5V  详情 回复 发表于 2017-6-14 17:49
 
 
 
 

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maychang 发表于 2017-6-14 17:47
C2右端测得0~5V?我可以和你打赌:如果是真的,我赔一万块,如果不是,你赔一块。

悠着点, 哈哈, 万一楼主弄个千分之一的占空比, 你就亏大了, 反正也没说4.995不是5V
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当然,还要附加条件:电容C2没有损坏。如果电容C2损坏,测量出0~5V完全有可能。  详情 回复 发表于 2017-6-14 18:38
 
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不过, 就楼主所说MOS管发热的情况来说, 占空比倒是远不止千分之一
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dlcnight 发表于 2017-6-14 17:27
频率是对的,关键是匹配的电感不太对,导致雾化片两端正弦失真。。
不知如何去修改参数了。。。
不匹配 ...

你那个雾化片和三端电感的联接方式就不对,先不要说什么匹配了。
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俺下注押maychang嬴,赌注、赔率任意。楼主太想当然了,根本就没去测,或者测的根本就不是C2右侧。
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如果楼主提供mosfet发热严重的板子,俺也买马  详情 回复 发表于 2017-6-14 18:11
 
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
 
 
 

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dlcnight 发表于 2017-6-14 17:27
频率是对的,关键是匹配的电感不太对,导致雾化片两端正弦失真。。
不知如何去修改参数了。。。
不匹配 ...

“频率是对的”?雾化片的参数都没有,凭什么说频率是对的?
还有,楼主的变压器的接法,雾化片两端都是热端,你又如何用示波器观察?难道用差分探头还是用两个探头然后相减?
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dlcnight 发表于 2017-6-14 17:27
频率是对的,关键是匹配的电感不太对,导致雾化片两端正弦失真。。
不知如何去修改参数了。。。
不匹配 ...

“频率是对的”?雾化片的参数都没有,凭什么说频率是对的?
还有,楼主的变压器的接法,雾化片两端都是热端,你又如何用示波器观察?难道用差分探头还是用两个探头然后相减?
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频率是110K,这个是知道的,其他参数就不知道了。。 用的地线夹在一端,探头点在另一端  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:39
 
 
 
 

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chunyang 发表于 2017-6-14 17:52
俺下注押maychang嬴,赌注、赔率任意。楼主太想当然了,根本就没去测,或者测的根本就不是C2右侧。

如果楼主提供mosfet发热严重的板子,俺也买马
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一看题目就知道是我做过的产品,这个考虑成本有两种方案,一种是考硬件产生高频信号,还有一种是单片机输出PWM信号过图腾柱然后过MOS管,mos上的最高电压峰值有37V的样子,至于会过热是是因为开关速度的问题,电压下来的时候电流没完全关断,所以功率高了
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嗯,你说的对啊,求帮助,怎么解决这个问题啊  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:34
驱动RLC回路, 串并联关系决定了工作频率在谐振频率的左侧还是右侧, 搞对了发热就很小了, 开关速度在这里反而不是重点  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:04
 
 
 
 

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雾化片的参数基本就1.7M和2.5M两种的,国内的技术所有问题都是在定频不准
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我用的是110K的  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:37
几M的PWM, 单片机好像不便宜, 不过不熟悉这一块  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:05
 
 
 
 

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PowerAnts 发表于 2017-6-14 17:49
悠着点, 哈哈, 万一楼主弄个千分之一的占空比, 你就亏大了, 反正也没说4.995不是5V

当然,还要附加条件:电容C2没有损坏。如果电容C2损坏,测量出0~5V完全有可能。
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kiroking 发表于 2017-6-14 18:25
一看题目就知道是我做过的产品,这个考虑成本有两种方案,一种是考硬件产生高频信号,还有一种是单片机输出 ...

驱动RLC回路, 串并联关系决定了工作频率在谐振频率的左侧还是右侧, 搞对了发热就很小了, 开关速度在这里反而不是重点
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RLC回路是很重要,但是还有一个问题也要考虑,那就是mos管的跨导值,发热的问题是没有根本的解决办法的,而且雾化片的内部就是一个谐振电路,发热也是很严重的,雾化片工作的时候,去触摸一下雾化片就知道了,60度以  详情 回复 发表于 2017-6-15 17:08
 
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kiroking 发表于 2017-6-14 18:27
雾化片的参数基本就1.7M和2.5M两种的,国内的技术所有问题都是在定频不准

几M的PWM, 单片机好像不便宜, 不过不熟悉这一块
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是的,还是比较贵的,我这个芯片卖到了8毛左右,而且已经是最优选择了,这个芯片最好是的主频可以调节,要用汇编写,有很多小技巧。最难做的是一致性,国内只有2个工程师写出的程序一致性比较好,他们每个月的出货量  详情 回复 发表于 2017-6-15 16:59
 
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PowerAnts 发表于 2017-6-14 17:34
C2上的电压=输入脉冲电压*D,  指的是C两端的直流电压

能详细说一下原因么,比如电容的充放电过程,上面解释的确实不太明白。
我把电容换成小电阻4R,仍然比较热。下面这个图,绿色是mos ds串联的1R采样电阻上的电压,黄色是mos G电压。可以看出来确实是开关损耗比较大。
这个应该怎么改进?换管子或者推挽驱动?

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另外, 压电陶瓷片的谐振频率是多少, 也是需要公示的.  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:46
电容换成小电阻4R, 这句是什么意思? 如果是说104电容不变, 10K电阻改成了4欧, 那110K的频率, 脉宽2uS, 那C2R3时间常数为0.4uS, 但是有7uS的放电时间, 显然就能将C2上的电荷"放光" , 那栅极有5V的脉冲幅度也就对了.  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:45
 
 
 
 

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kiroking 发表于 2017-6-14 18:25
一看题目就知道是我做过的产品,这个考虑成本有两种方案,一种是考硬件产生高频信号,还有一种是单片机输出 ...

嗯,你说的对啊,求帮助,怎么解决这个问题啊
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maychang 发表于 2017-6-14 17:47
C2右端测得0~5V?我可以和你打赌:如果是真的,我赔一万块,如果不是,你赔一块。

给你1块钱。
能解释下原因么,上面说的我确实不太明白。。。

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如果你在38楼的波形, 是C2=100nF, R3=10K的, 那我代maychang把你这一块钱打印出来, 过一下塑, 泡水喝, 并拍视频上传.  详情 回复 发表于 2017-6-14 21:00
复杂的先不说,电容“隔直流”总应该知道。 既然“隔直流”那么电阻R3两端没有直流电压。也就是说,R3两端波形在横轴之上部分的面积和在横轴之下部分的面积一定相等。占空比小(脉冲很窄),横轴上面部分幅度大而时间  详情 回复 发表于 2017-6-14 20:59
 
 
 
 

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