晶体管共发射极放大电路设计(一)---相位差180°
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晶体管共发射极放大电路设计 (一)相位差180° 在设计晶体管和FET电路时,只要能够形象地掌握放大器的工作,其后就只是单纯地计算了。 那么何谓放大工作:大小与输入信号成正比的输出信号可以认为是从电源来的。由电源来的输出信号形与输入信号相间,而且比输入信号的电平高。所以由外部看上去,可以看成输入信号被“放大” 。这就是晶体管或FET 的放大原理。 晶体管的工作原理是:对基极与发射极之间流过的电流进行不断地监视, 并控制集电极与发射极电流,使数十甚至数百倍(依晶体管的种类而异)的电流流在集电极与发射极之间。 共发射极电路原理图: 相位差的理论分析过程: 输出为集电极电压的变化部分:因为r3是接在电源与集电极之间,所以r3的压降是相对于电源产生的.因此,r3的压降增加(vc 增加, ic. 就增加),则相对GND 的集电极电位Vc就减少. r4的压降减少( ve,减少,则 ic 就减少)因此,相对于vi,ve的相位是反相位〈相位差为180。) 从波形上看更为直观如图:
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