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纯净的硅(中级)

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说一下分层隔离基础的知识 [复制链接]

利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题,因为数据完整性很差,而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler等高性能数字隔离器以及isoPower器件集成电源的问世,通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。
  由于新型电池和发电产业的快速扩张,我们需要具有很高工作电压的接口,还要求提供加强绝缘。例如,太阳能逆变器应用具有以下要求:
  800 VDC的工作电压
  2级污染等级
  过压类别III
  根据IEC 62109-1标准的有关加强绝缘的规定,这需要:
  脉冲耐受6000 VPEAK电压
  800 VDC的工作电压
  8 mm的增强电气间隙
  16 mm的增强爬电距离
  此爬电距离在当前封装中不可能实现。但是,如果隔离栅可以分成基本隔离栅和补充隔离栅,则对每个隔离栅的要求是:
  脉冲耐受6000 VPEAK电压
  800 VDC的工作电压
  5.5 mm的基本/补充电气间隙
  8 mm的基本/补充爬电距离
  SOIC16W封装的iCoupler器件,可以达到基本/补充绝缘电气间隙、爬电距离和脉冲电压要求。
  以下框图显示如何级联isoPower器件和标准高压iCoupler器件以提供所需的隔离。必须非常小心地确定数据通道的整体性能。
  两个组件之间的传播延迟、脉冲宽度失真和通道匹配值将会增加。最大数据速率将受到两个器件中速率较慢器件的限制。isoPower器件提供运行中间接口的电源。在高达1 Mbps的数据速率下,整个隔离栅在5 V电压下需要大约20 mA的功率,在更高数据速率下,还需要更高功率。
  

  如果必须跨越两个隔离栅输送电源,以便为隔离负载供电,则必须按以下所示方式级联两个isoPower器件。
  

  这种配置非常紧凑,但总功效非常低。下图显示了负载的功效。如果数据传输速率高于1 Mbps,则数据传输将使用一部分可用功率,每个阶段的功耗必须进行详细计算。如上所示,该应用从原边输入获取大约40 mA功率,以创建整个接口。
  

  这种方法可以解决太阳能逆变器应用中的一大难题。在不同的标准和应用中,可以应用此方法来实现不同目标,这要取决于特定系统标准的具体细节。可以使用isoPower器件、数字隔离器和器件接口的多种组合来创建隔离数字I2C和USB接口,向终端负载提供或不提供功耗。
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