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一粒金砂(中级)

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求助:全桥驱动电路的供电问题 [复制链接]



对于这个控制上桥臂的驱动IC,电源的负极接到VEE

据说驱动上下桥臂的光耦不能用同一个电源供电

那请问驱动下桥臂的电路跟这个一样吗?

如果一样的话,既然两个不同的电源的正、负极都分别接到光耦的VCC和VEE,那么它们算是共地吗?

全桥电路的电源的正极接到上桥臂的D极,负极接到下桥臂的S极,那么三者也算是共地,不就可以接在一起吗?这样的话,就相当于只使用了一个电源。。

就是这一点有点乱,请大神帮忙。。。
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如果不要求隔离,可以只使用两组电源。一组电压通常不超过15V,供驱动电路使用;另一组电压可能相当高(可能300V以上),供全桥使用。两组电源负极彼此联接(地)。 驱动电路的电源,同时供上管MOS驱动。但不能直接联接,需要通过光耦,且必须加入“自举”。这在IR2114的datasheet中有说明。  详情 回复 发表于 2015-8-21 20:06
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至少至少,在使用芯片之前,先要把该芯片的datasheet完整地看清楚。有时看一遍还没有理解,那就要看第二、第三遍。
HCPL3120根本不是为驱动全桥而设计,而是为驱动单路MOS或者IGBT设计。
一定要用HCPL3120,参考IR2104。
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谢谢你的回答,我是用四路的MOS管做成的H全桥  详情 回复 发表于 2015-8-21 19:33
 
 
 

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楼主要应用全桥,那么就要熟悉全桥的工作原理,以及实际应用的工作情况。知道全桥的整个工作情况,别人说全桥的桥臂上下管驱动电源不能共地,我想你也能搞得清楚了。
你的问题,首先别人说上下管驱动电源不能共地的问题,实际上是因为上桥臂的VEE随着下管的开通和关断工作中,电位是浮动的,如果你的驱动电源跟下管一样参考与直流负极,那么驱动电源也要是相应浮动的才能正常工作。解决的思路是就是“不共地”,如自举,隔离的DC/DC的方法实现不共地,目的都是提供一个相对于上管的VEE电位产生一个稳定的电源,来驱动上管。
而你说的三个连到一起之后得出共地的结论,我理解是这样,这三个是在同一个电网络里面,如隔离变压器的同一侧。但是电源的参考点是不一样的
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谢谢你的回复,有点语重深长,按您的理解,三个电源的正负极虽然都是接同一个地方(相对于IC),但其实各自的参考点是不同,因此不是共地,我这样解读应该没错吧  详情 回复 发表于 2015-8-21 19:41
个人签名作为一个水军,就是尽量的多回帖,因为懂的技术少,所以回帖水分大,见谅!
EEWORLD开发板置换群:309018200,——电工们免费装β的天堂,商家勿入!加群暗号:喵
 
 
 

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maychang 发表于 2015-8-21 17:24
至少至少,在使用芯片之前,先要把该芯片的datasheet完整地看清楚。有时看一遍还没有理解,那就要看第二、 ...

谢谢你的回答,我是用四路的MOS管做成的H全桥
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我知道你是用四支功率MOS管构成全桥。  详情 回复 发表于 2015-8-21 19:59
 
 
 

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elvike 发表于 2015-8-21 18:08
楼主要应用全桥,那么就要熟悉全桥的工作原理,以及实际应用的工作情况。知道全桥的整个工作情况,别人说全 ...

谢谢你的回复,有点语重深长,按您的理解,三个电源的正负极虽然都是接同一个地方(相对于IC),但其实各自的参考点是不同,因此不是共地,我这样解读应该没错吧
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如果不要求隔离,可以只使用两组电源。一组电压通常不超过15V,供驱动电路使用;另一组电压可能相当高(可能300V以上),供全桥使用。两组电源负极彼此联接(地)。 驱动电路的电源,同时供上管MOS驱动。但不能直接联接  详情 回复 发表于 2015-8-21 20:06
 
 
 

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Lsonhealth 发表于 2015-8-21 19:33
谢谢你的回答,我是用四路的MOS管做成的H全桥

我知道你是用四支功率MOS管构成全桥。
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Lsonhealth 发表于 2015-8-21 19:41
谢谢你的回复,有点语重深长,按您的理解,三个电源的正负极虽然都是接同一个地方(相对于IC),但其实各 ...

如果不要求隔离,可以只使用两组电源。一组电压通常不超过15V,供驱动电路使用;另一组电压可能相当高(可能300V以上),供全桥使用。两组电源负极彼此联接(地)。
驱动电路的电源,同时供上管MOS驱动。但不能直接联接,需要通过光耦,且必须加入“自举”。这在IR2114的datasheet中有说明。
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好的谢谢  详情 回复 发表于 2015-8-21 21:09
 
 
 

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maychang 发表于 2015-8-21 20:06
如果不要求隔离,可以只使用两组电源。一组电压通常不超过15V,供驱动电路使用;另一组电压可能相当高(可 ...

好的谢谢
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