英飞凌LDMOS工艺使RF晶体管功率密度提25%

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英飞凌LDMOS工艺使RF晶体管功率密度提25% [复制链接]

       英飞凌科技(Infineon Technologies)日前在MTT国际微波研讨会上， 展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。 英飞凌科技(Infineon Technologies)日前在MTT国际微波研讨会上， 展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。

       据介绍，采用这种工艺制造的设备其工作频率可以满足高速无线接入网络的要求，在功率密度方面，比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25%。此外，随LDMOS一起采用的新型塑料封装技术，可降低系统总体成本。这种解决方案能够让无线网络系统开发商降低成本，提高系统性能，增强系统质量和可靠性。 英飞凌副总裁兼射频功率产品部总经理Helmut Vogler指出，“我们最新推出的LDMOS工艺可大幅度提升最新MCPA(多载波功率放大器)和数字预失真系统的性能。”

       采用这种全新工艺，可以制造出工作频率高达3.8GHz的晶体管，该频率位于WiWAX(全球微波接入互操作性)和IEEE 802.16规定的无线接入频带之内，大大高于采用上一代工艺生产的晶体管(2.7GHz)。功率密度(即单位面积的硅片可产生的功率量)也增加了25%，这为在较小的封装中集成高功率设备创造了条件，因而降低了功率放大系统对印刷电路板的面积要求。除提高增益外，这种工艺还能使线性放大器在回退操作模式下的效率比现有产品提高3个百分点，这不仅减少了所需组件的数量，而且降低了组件功耗，因此降低了蜂窝基站的制冷要求。英飞凌宣布，采用新工艺制造的晶体管将采用低金铜塑料开口封装，这不仅降低了系统整体成本，而且提高了系统的散热和射频性能。

       首批采用这种工艺制造的产品，预计2006年底上市。有了这些产品，设计师可以设计出体形更小、效率更高的功率放大器，用于满足那些准备安装新的基站以开展高级通信业务的移动网络运营商的要求。