PMOS开关电路（求助）

zhuwjjun

PMOS开关电路（求助） [复制链接]

PMOS开关应用于高压直流电路

这个电路主要参考  常见泽1版友的帖子https://bbs.eeworld.com.cn/thread-287061-1-1.html  中Leang521斑竹的回帖来设计的。
2SJ117是一款应用高压的PMOS，VGS需要达到-10V以上才能保证开关管的正常工作。
1）R1 R2的阻值该设置多少？
单片机I/O口低电平时，NPN三极管Q11不导通，PMOS Q3的栅极与源极电压与电源电压相同（280V DC），PMOS断开。
单片机I/O口高电平时，NPN三极管Q11导通，但是此时R2分的压降为13.5V 左右,R1两端的压降为266.5V左右，这意味着R2上端接PMOS栅极的点电位只有13.5V左右，Vgs=13.5-280=-266.5V。此时PMOS必然比烧坏。
R1 R2的阻值是否应该对调一下呢？
2）电路用在市电经全桥整流之后得到的直流电压280V，为了保证PMOS开关管的正常使用，是否可以用一个稳压管来稳压，稳压管又该怎么加呢？

电阻R1 R2 的阻值的比值 是参考Leang521斑竹的回帖来设置的。

[ 本帖最后由 zhuwjjun 于 2012-8-15 17:13 编辑 ]

zhuwjjun

等了一个下午都没看到回帖……
哪位好心人给俺点意见阿

zhuwjjun

正所谓好人一生平安阿  

dontium

R1上并个12V的稳压管，R2取510K，R2越小，速度越高。Q11用13001，BE并个10K。R3取5.1K

zhuwjjun

恩 非常谢谢，
先容我消化消化

dontium

原帖由 zhuwjjun 于 2012-8-15 19:01 发表
等了一个下午都没看到回帖……
哪位好心人给俺点意见阿

有其这样等着，不如自己看看书，学点知识。

不要总这样在网站上聘请义务工程师。

zhuwjjun

谢谢您的意见
通常情况下如果能自己解决的问题，非常不喜欢麻烦别人的……
为了解决这个产品设计的问题，我们曾经在深圳那边找了两家公司都没有帮我们解决问题，只能靠自己。整个工程大部分问题解决后，只剩下这个PMOS开关的问题，自己实在找不到解决办法，所以才来这里的寻求帮助的。
另外，俺的专业和方向主要是市场和销售，事实上我也是在尽力帮助身边的人……
最后，还是非常感谢您的帮助

PowerAnts

此电路仅仅能作电源开关用，作高频脉冲驱动的话，建议用驱动IC

zhuwjjun

这是按照斑竹Dontium的建议和帮助下画的……

对于PWM频率在10KHZ， 应该没有问题吧

仙猫

若输入为280V，以R1和R2比值得到的S-G间电压只有5V多一点，恐不足以让FET充分导通吧。
用于PWM是否合适要跟后面的电路整体地看，感觉是10kHz频率高了。高电压的开集控制，FET老被过渡过程折腾。

xu__changhua

老大，两个电阻是10K欧和510欧

xu__changhua

楼主你的电路图两个电阻（510欧和10K欧）位置颠倒过来即可正常工作。

仙猫

要是R2=510欧的话，FET就该挂了；
要是R1和R2位置颠倒，R1=510欧的话，电阻就该挂了，它得承受近8瓦的功率。

leang521

R1的分压为Uin*R1/（R1+R2），R1静态功率为Uin²*R1/(R1+R2)²，R1动态功率为Uin²/R1。
因为我国电网波动范围为±10%，也就是说低压在198V~242V，某些地区电压波动在±20%，即176V~264V。
PMOS饱和电压10V，也就是Uin*R1/（R1+R2）>10，则Uin>10（R1+R2）/R1=10+R2/R1R
则在标准地区R2/R1>178、特殊地区R2/R1>166。
假设R1静态功率要求<1/4W,那么Uin²*R1/(R1+R2)²<0.25，即(1+R2/R1)²>4Uin²/R1
通过上述两个公式可以取得R1R2的大致范围。
动态功率因为涉及寄生电容和工作频率，这里不做详细讨论，一般选择数倍静态功率即可。

xu__changhua

R1H和R2对电源分压，R1=510R，R2=10KR，Vdd=280V，则

R1  510R   13.58V   0.382W

R2  10KR   266.41V   7.09W


若从功率看，7W的10K水泥电阻留些余量取10W或15W，体积差不多香烟滤嘴大小。

nicklon

学习学习，飘过