mos管开关电路（求助）

常见泽1

mos管开关电路（求助） [复制链接]

外话：

        也逛了很久论坛了，我就是那种典型的双子座，兴趣广泛，却从不深究。每当在论坛看到别人发的电路的时候，就随眼看看，然后似懂非懂的告诉自己，这个我会的。在编程方面，每次拿到开发板，都是把那些比较简单的历程都跑一遍，然后告诉自己我都会了。可是真的会了么？？其实自己心里清楚自己几斤几两，一直如此浮躁，眼高手低，自己清楚，却总改不了。论模电模电没学好，论C语言C语言没学好。

 

正文:

        下午无意间在网上看到一个MOS开关电路，觉得自己好像懂了，正准备关掉，正好看到有人回复“这几个电阻要好好考虑考虑”，遍想自己也算算玩玩，一动笔，坏了，自己什么都不会。

 

 

令从上到下的3个电阻：10K为R1,2k为R2,100k为R3

我这样想的（欢迎拍砖）：

三极管起到放大作用（共发射集）

IO口输出高电平（3.3V）时，Ic为负电流，R3电压为负，提供NMOS  VGS. 因为PMOS只有加负的栅源电压才能使源区和漏区连接起来，所以此时导通，电机运转。

IO口输出低电平 （     ）时，ib=0,Ic=0，则VGS=0，截止，所以电机不运转。

 

计算：

1：首先，令NPN为9013   P MOS  IRF4905

Ib=(3.3 - 0.7) / R1

Ic=(12 - Vce)/(R2+R3)

处于放大状态 Vce很小，取为1V。

取Ib=20uA  Ic =2mA

 

感觉饱和状态VGS=-10V ？

Ic= （-10）/ R3

 

所以取 R1= 130k （图上为10K）

            R2 = 0.5K  (图上为5K)

            R3 = 5K    （图上为100K）

     感觉不对啊  RB （R1）也太大了吧 

 

 

 

PS：发现自己肯定是三极管那里理解错了

 

V1 为3.3V ，RB为1K IB=2mA 可是发现三极管已经饱和  有点晕了

我到感觉  三极管工作在饱和状态也不错啊  也能完成啊

 

可是发现书本上经常学习的放大状态  怎么这么容易就饱和了

[ 本帖最后由 常见泽1 于 2011-4-18 21:57 编辑 ]

常见泽1

错了  Vce不是那样的  Vce到底怎么弄呢 DATASHEET里怎么看呢  请指教

仙猫

说得不错嘛，三极管是饱和了，此时Vce≒0.3V。让三极管不是截止就是饱和，这就是开关电路。

forworld

"

Ib=(3.3 - 0.7) / R1

Ic=(12 - Vce)/(R2+R3)

处于放大状态 Vce很小，取为1V。

取Ib=20uA  Ic =2mA

"

 

Ic计算错误

leang521

不管IO是3.3V还是5V三极管肯定是饱和的，但饱和不等于就可以选用任何驱动电阻，10K的电阻限制了输入电流的大小。而三极管是电流放大原件，因此输入电流的大小限制了100K电阻的压差。当然，大多数情况下，三极管的放大倍数是很大的，比如常用的9013就到100倍。假设三极管驱动电压3.3V，驱动电阻10K，驱动电流约为0.00026，则三极管通过电流为0.026，基本远大于100K电阻在12V下的电流通过能力，因此这里选用10K的三极管驱动电阻是没有问题的。
再说100K和2K电阻，此电阻明显为分压电阻。2K电阻分压0.24V，PMOS为负压驱动器件，在此电路中当驱动级为12V时截止，但因不知此PMOS型号，无法准确判断，不过普遍低压PMOS驱动电压为-2V，因此当驱动级电压为10V时导通，但2K电阻分压明显过小，当三极管截止时驱动级电压为12V，当三极管导通时驱动级电压为11.76V，两种状态下PMOS都不能导通。
同时，PMOS为容性器件，并且PMOS在导通截止瞬间功耗最大，MOS烧毁事故也最容易在此状态下发生，因此要保证足够短的导通截止时间，需要足够大的电流。
依据PMOS普遍导通电压-2V预计，100K电阻实际因为10K，方可保证PMOS可靠开启截止。

lzy63912

同学~~三极管是电流控制的器件，它是否饱和主要决定于IB的大小，IB你可以计算下呀，然后再看看三级管的DATASHEET的上的IB临界饱和值~~比较一下呗，而且作为开关电路，三极管就是要工作在饱和区和截至区，而且饱和放大区的明显区别是UBC,放大区UBC是截止的，饱和区是导通的。UCE也明显有差距，饱和时只有饱和压降0.3V大小

仙猫

　串入2K电阻的目的应该不会是分压，可能是防振荡的。FET在切换过程中，极间寄生电容会起坏作用。

常见泽1

昨天看了下三极管

觉得： IO输出3.3V时，

             be极导通

             RB =10K

             IB=( 3.3 - 0.7) / 10 = 0.26 mA

             Rc = 102K       Ib * Rc = 26V  所以Ic < Ib了

            饱和时 b* Ib > Ic 很明显满足

            所以饱和状态是肯定的

[ 本帖最后由 常见泽1 于 2011-4-20 12:38 编辑 ]

常见泽1

“MOS烧毁事故也最容易在此状态下发生，因此要保证足够短的导通截止时间，需要足够大的电流。”

现在 我没考虑导通时间

 

所以 为了导通时间短 所以电流大一点 所以图上的100K 改为10K

[ 本帖最后由 常见泽1 于 2011-4-20 12:40 编辑 ]

常见泽1

这样啊  感觉很有道理

leang521

2K电阻除了有防止震荡的作用外还有限制三极管开启瞬态电压保护三极管的作用。

常见泽1

y有学习了 谢谢啊

zhuwjjun

一年前的帖子，学习了

nashouat

楼主，三极管在饱和状态时的放大倍数没有放大区的放大倍数那么大，三极管在饱和状态的放大倍数比100小很多的，不能用100来计算吧。

还有三极管导通时，在100K的分压是11.76V（Vgs=-11.76远大于PMOS的开启电压-2V）肯定导通啦；三极管截止时，100K的压降为0吧，Vsg=0V，PMOS截止吧。

梦想还是要有的

如果要改为低有效，这个电路要怎么改，三极管那部分。

梦想还是要有的

如果要改为低有效，这个电路要怎么改，三极管那部分。

梦想还是要有的

如果要改为低有效这个图要怎么改