2011电源突破性新技术

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2011电源突破性新技术 [复制链接]

在电源半导体器件领域，SiC（Silicon carbide：碳化硅材料不但具备击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，罗姆已经率先将基于碳化硅的肖特基势垒二极管（SBD）投入量产。罗姆将在现场展出这些基于碳化硅的元器件与晶圆。

 

飞兆半导体将除展示其最新的功率技术和便携技术外，飞兆半导体技术专家还将于同步功率技术创新研讨会上发布白皮书。飞兆半导体技术行销部首席经理张三岭将发表题为 《mWSaver™技术──最先进的节能技术》的演讲。mWSaver技术是围绕脉宽调制控制器的最先进技术，其待机功耗低于10mW，远远超出能源之星 (Energy Star) 五星级要求(待机功耗 < 30mW)，并为便携设备充电器产品建立了全新的功耗标准。而飞兆半导体技术行销部资深经理陈立烽将发表有关LED照明解决方案的演讲。

Vicor公司则将展示其最新的VI BRICK™ PFM™功率因素校正隔离AC-DC转换器和其他多个电源方案。这是采用了零电压高频率自适配置单元拓朴 (Adaptive Cell™)。这种新的架构令VI BRICK™ PFM™转换器可以在全球AC电压范围内维持高效率的电源转换，提供48V的直流输出，最大输出功率330W，效率高达93%！并且体积非常细小。

ssawee

PI等公司也有碳化硅的二极管

liubestyan

好东西，谢谢楼主分享