STM32FLASH模拟EEPROM范例

aideyuyan

STM32FLASH模拟EEPROM范例 [复制链接]

在an2594范例中每次是电都要用 u16 EE_Init(void) 设置状态
从这9种状态看每次必定有1个区要被擦除。
在多次上电下，不知同一区多次擦除会不会，减少寿命
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weiguozwg

                                 哈哈，当然会，擦一次少一次。

stlong

                                 晕，这不就是说，用这个模拟EEPROM寿命少

Dani

寿命少？少多少？

你希望多少寿命？

net

几千万次，呵呵
我模拟出来的EEPROM，寿命达到几千万次、、、、

国强

                                 几千万次？不会吧

bb8224575

                                 呵呵，如假包换。

jgalz

                                 这个可以看做无数次了吧

luyuanle

                                 不能、、、、

goodxinna

                                 忽悠，知道怎么做就告诉人家，不然别说话了。

lai236

呵呵，LS言重了。
其实做法很普通。
用4KB字节来模拟4字节的EEPROM，寿命翻1000倍，自然就有1千万次了。算法就这么简单。
需要2千万次，就用8KB来模拟、、、，如此而已。

Maywolf

                                 呵呵，交流吗，本来说话就该开门见山的，老来虚的确实不好， 话说重了别见怪。

sigon

                                 没这样用过，这样模拟，实际可行吗