关于9B96的FLASH擦写次数

yytdragon

关于9B96的FLASH擦写次数 [复制链接]

根据官方给出的最新版本勘误表

对于C3 和C5版本的芯片 FLASH 最大擦写次数为100次，

所以童鞋们注意了，最好还是在SRAM里调程序，而不要烧到FLASH里去

下面是相应的说明截图

yytdragon

请大家相互通知吧，我表示很蛋疼啊……
我已经烧废了一片C3了

yytdragon

而且根据描述，凡是130nM 的产品线的型号都有这个问题。。。

[ 本帖最后由 yytdragon 于 2011-2-28 12:10 编辑 ]

yytdragon

看来果然没人关心这个，还是做产品的多，
如果用开发板学东西的人早就叫了
“这还让人调试么，哪天不得烧个10来遍啊”

目前只能劝告做产品的童鞋即便用FLASH ，也不要拿空白部分的FLASH 当EEPROM用

但愿我多虑了。。。

academic

楼上的总是慧眼独到，发现别人没发现的问题！
怎么会这样呢？
C3和C5都是130nm产品线的吗？
TI 什么时候才会不采用这个第三方的flash呢？
如何在SRAM中调试程序呢？
这个芯片本来就很贵的，100次很快就达到了。

ssawee

应该能像stm32样吧代码写道sram中运行。

academic

TI 的 Workaround里边也没有提到这点，我记到好像论坛上有这样的一个帖子。

yytdragon

昨天给TI的 分销商打电话得到确认
这个100次 是指 当flash烧写超过100次之后 有万分之二的几率损坏
而这个损坏通常是 长时间断电放置，再上电后，FLASH的数据发生了变化

也就是说大家可以该怎么调程序就怎么调程序吧，没什么影响了
只要不把FLASH 当模拟的EEPROM用就好了

academic

原来是这样的啊，谢谢及时和大家分享。