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2SK2900-01L-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管 [复制链接]

### 产品简介

2SK2900-01L-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件具有较高的漏极-源极电压和电流承载能力,适用于中等电压和大电流处理的应用场景。其可靠性和性能稳定性,使其在电池管理、电源开关和汽车电子等领域有着广泛的应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2900-01L-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 13mΩ @ VGS = 4.5V, 11mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块举例

2SK2900-01L-VB MOSFET 在多个领域和模块上有着广泛的应用:

1. **电池管理**:
   - 由于其较高的漏极-源极电压和电流承载能力,该器件适用于电池管理系统中的充放电控制。它可以有效地控制电池的充放电过程,确保电池组的安全和性能。

2. **电源开关**:
   - 在中等电压开关电源中,该MOSFET可用作功率开关,用于控制电源的输出。其低导通电阻特性,有助于减少功耗和提高电源效率。

3. **汽车电子**:
   - 在汽车电子系统中,该器件可用于驱动汽车灯光、电动机等。其高电流承载能力和稳定性能,使其成为汽车电子系统中的重要组成部分。

4. **工业控制**:
   - 该器件也适用于工业控制系统中的电机驱动和开关电源部分。其稳定性和可靠性,能够确保工业设备的正常运行和高效工作。

通过以上应用场景的举例,可以看出2SK2900-01L-VB MOSFET 具有广泛的应用前景,能够满足不同行业对中等电压、大电流处理的需求。

2SK2900-01L-VB.pdf (219.46 KB, 下载次数: 0)
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