PMOS作为PWM开关供电，输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长，求解决

flag2010

PMOS作为PWM开关供电，输出的PWM电压信号负电压过冲电压时间过长，求解决 [复制链接]

 

原理图见下图：电路中VBAT电压为3-4.2V，D401/D4稳压管为4.3V的稳压管。

Q6：NPN管子LMBT4401LT1G

Q7：PNP管子：LMBT4403LT1G

Q5：NMOS管子：LNTS4409NWT1G

Q403为AOS物料：AONR21117

VBAT即为负载的供电，供电电压为3V-4.2V，PMOS的Q403的下端接的负载为0.4欧姆的电阻。单片机的PWM输入信号为3.3V的方波信号，频率为20KHz.

此电路来自于：TI官网的一个pdf文件，也算是一个经典电路，第27页

https://www.ti.com/lit/slua618

 

此图为我所设计的电路：

  

但是我测试发现，当PMOS_PWM信号输入PWM信号后，在0.4R两端测量到严重的负电压，并且时间非常长。见示波器波形，PWM开关频率为20KHz.

 

有大佬帮忙解决一下应该如何优化改善负电压太长呢，让信号输出标准的方波信号？现在上升沿和下降沿开启信号看还是很快了啊。

后端尝试过C404使用10uF电容，但是严重削弱了上升沿和下降沿时间，输出的信号也不标准了。上图示波器测试的信号为C404为1uF电容的波形。

 

 

Jacktang

都是C404闹腾的

把它去掉，再重新优化

flag2010

Jacktang 发表于 2024-10-13 08:36 都是C404闹腾的 把它去掉，再重新优化

C404取消效果一样的，已经试过，负电压也是过长。并且负的幅度更大了。

maychang

首帖图中P沟MOS管的1/2/3脚接到什么地方去了？此NET上还有什么元件？只有VBAT2357么？

maychang

首帖图中三极管Q7的接法，无论如何也是错误的，电压方向就不对。

VBAT2357有多少V？

davidzhu210

意图用Q6/Q7驱动MOSFET，但这个驱动电路严重错误。MOSFET的VTH是多少伏？另外MOSFET漏极接到哪里？把图给全才能分析

flag2010

maychang 发表于 2024-10-13 11:11 首帖图中P沟MOS管的1/2/3脚接到什么地方去了？此NET上还有什么元件？只有VBAT2357么？

已经更新帖子，描述更完整了，烦请帮忙再看看。VBAT直接接的最高4.2V的电芯锂电池，工作电压范围为3V-4.2V。三极管的接法借鉴了TI官网的资料设计的。

flag2010

davidzhu210 发表于 2024-10-13 11:19 意图用Q6/Q7驱动MOSFET，但这个驱动电路严重错误。MOSFET的VTH是多少伏？另外MOSFET漏极接到哪里？把图给全 ...

此电路借鉴于TI官方的资料里面的设计，烦请帮忙看看设计问题出在哪里.

驱动电阻0.4R的PMOS的VTH电压典型为-0.7V。详细规格见截图或者帖子的资料。烦请帮忙再看看具体出在哪里了。0.4R两端的输出除了关闭时候出现严重的负电压过长，开启的时候没有明显看到严重的过冲和振铃。

 

flag2010

maychang 发表于 2024-10-13 11:13 首帖图中三极管Q7的接法，无论如何也是错误的，电压方向就不对。 VBAT2357有多少V？

意思Q7接2/3接反了，造成了PMPS关闭时候未得到G极和D极见的电压迅速释放？
我将PNP管子2/3反接了，目前现象实际一样的。还是负电压时间太长了。

davidzhu210

楼主的意思是测电流？最大10A

 

davidzhu210

0.4R出现负压，应该是PMOS的密勒效应造成的。减小R5试试看，或者换个管子看看。这个管子的Coss达770pF,比较大

flag2010

davidzhu210 发表于 2024-10-13 19:57 0.4R出现负压，应该是PMOS的密勒效应造成的。减小R5试试看，或者换个管子看看。这个管子的Coss达770pF,比较 ...

我换了一颗新洁能PMOS（型号NCE30P25Q）效果还是不太理想，直接把G级电压拉高到5V去了。