Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET，提升750V电动汽车设计性能

btty038

Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET，提升750V电动汽车设计性能 [复制链接]

这篇文章介绍了全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo发布的一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品。该产品在紧凑型D2PAK-7L封装中实现了业界卓越的9mΩ导通电阻RDS(on)，适用于电动汽车（EV）类应用，如车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数（PTC）加热器模块。这款750V SiC FET是Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品，具有最高可达60mΩ的导通电阻值。该产品的特点包括在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ、小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低制造成本，以及满足400V和800V电池架构电动汽车的应用需求。Qorvo的电源产品线市场总监表示，这一SiC FET系列的推出体现了他们为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺。这些SiC FET采用独特的共源共栅结构电路配置，结合SiC JFET和硅基MOSFET，具有宽带隙开关技术效率和硅基MOSFET简单栅极驱动的优势。产品的主要特性包括阈值电压为4.5V、低体二极管压降、最高工作温度为175°C等。产品通过了汽车电子委员会AEC-Q101认证。

原文：Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET，提升750V电动汽车设计性能