光电耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,高BVCEO电压 替代H11D2
XL-GO-H11-D2 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管检测器光学耦合,并集成在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。
功能:
极高集电极-发射极击穿电压BVCEO=300 V
隔离测试电压:5000 VRMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
应用程序:
电信、工业控制、电池供电设备、办公机器、可编程控制器
https://isite.baidu.com/site/wjzdbym7/5fa2dca5-1627-4aaf-95d2-68093add44be?wid=99f3eec6811b418b8ad6f84d253a1b9a_0_0
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