直播已结束｜ST 宽禁带高性能碳化硅与氮化镓产品技术及不同应用案例

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直播已结束｜ST 宽禁带高性能碳化硅与氮化镓产品技术及不同应用案例 [复制链接]

本次直播ST连同安富利公司，会着重于对宽禁带器件SiC和GaN产品及技术进行介绍，特别介绍最新的MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势，同时，会对相充电器/适配器等应用案例及技术细节进行分享和探讨。

【直播时间】2022年7月26日（今天）上午10:00-11:30

【观看方式】点击下方 “ 立即观看 ”按钮，即可进入直播通道，观看直播！（9:30入场）

观看、提问、填问卷均可赢好礼！

【直播日程】

1. STPower产品系列及宽禁带器件的优点

2. ST碳化硅(SiC)产品概述

3. ST氮化镓(GaN)产品 - MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势

4. MasterGaN和VIPerGaN在充电器/适配器/服务器待机电源应用案例研究

5. 中国宽禁带市场分析

【内容简介】

意法半导体积极布局第三代宽禁带半导体技术，其下SiC和GaN产品和技术组合最为广泛，包括分立器件，模块组合和晶圆裸片，能够实现极为高效和紧凑的系统设计，从而满足未来对可持续发展、绿色能源等优质产品的需求。与传统硅器件相比，SiC产品其更高的电压和频率性能实现了更高的系统效率、更快速的开关、更低的损耗，以及更出色的热管理，为电动汽车（EV）、太阳能逆变器、能量存储、工业电机驱动和电源领域带来了革命性的进展。现在正全力研发在硅基的氮化镓，力求在智能功率集成方面更进一步。

氮化镓材料非常高的电子迁移率使得器件具有非常低的导通电阻和非常高的开关频率，这是下一代电力电子系统设计的关键优势，意法半导体的GaN产品适用于各种各样的应用，如电源和适配器（PC、便携式电子产品、插座式USB充电器、无线充电器等）、功率因数校正（PFC），以及DC/DC变换器。在汽车领域，GaN器件非常适合高效电动汽车车载充电器和轻度混合动力DC-DC变换器。

【直播讲师】

龙龙｜意法半导体工业及电源转换产品部技术市场经理

潘虹｜意法半导体功率器件部市场经理

张杰｜意法半导体工业及电源转换产品部技术市场经理

梁庆云｜安富利电子高级市场部经理

【相关文档】

● 白皮书: 宽带隙材料的独特性能如何提高应用性能

● 电源管理指南

● 应用手册: 如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗

● 宣传册: STPOWER SiC MOSFET

● 宣传册: ST SiC Samples Kit brochure

● 手册: Diodes and Rectifiers selection guide