【直播FAQ】高可靠性IGBT的新选择 —— 安世半导体650V IGBT介绍及其优势

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直播主题：高可靠性IGBT的新选择 —— 安世半导体650V IGBT介绍及其优势
 
直播介绍
1. 安世半导体IGBT产品系列介绍
2. 安世半导体650V IGBT产品的特点及应用优势

 

直播讲师：史威 | 安世半导体（德国）功率半导体产品总监

 

FAQ详情
1、IGBT 的生产过程中，如何确保产品的一致性和高质量？
A：生产中，保证一致性首先需要良好的工艺能力，其次需要定义合适的筛选指标
2、IGBT7未来发展和优化的方向是什么呢？
A：增加电流密度，持续优化导通及关断损耗，并提高可靠性
3、IGBT的工作原理是？如何预防浪涌和纹波电压的影响？
A：浪涌和纹波电压，需要系统上进行配合抑制
4、IGBT的开关损耗是否比较MOS要大许多，IGBT多用于大功率应用场景呢？
A：IGBT开关损耗较MOS大，一般用于大功率场合
5、IGBT的可靠性测试标准和方法有哪些？
A：一般遵循JEDEC标准及内部特殊要求，如HV-H3TRB, HTGB, HTRB, ESD…
6、650V IGBT的过压尖峰损耗参数如何？
A：相比同类产品，安世650V IGBT在过压尖峰小的情况下，通过优化拖尾电流，损耗也做的更小
7、650V IGBT模组有什么特色吗？
A：目前无模组推出
8、datasheet有MTBF吧？
A：无
9、IGBT的器件建模是否用到了AI/ML算法？有哪些必要的器件建模工作需要通过手动来完成？
A：无
10、IGBT隔离栅极驱动器的频率是多少左右，性能怎样？
A：频率可到几百K
11、IGBT抗浪涌能力如何？
A：强
12、IGBT控制电路的保护，如何设计？
A：可以采用有相关保护功能的驱动IC，如TI, Infineon
13、IGBT哪些应用场景
A：IGBT在光伏，UPS, 充电桩，储能，伺服电机，焊机，空调，家电，电动汽车等场合有很多运用
14、IGBT相比MOS的性价比有提高了吗？
A：IGBT相比MOS而言，开关频率低一些，耐流能力强，一直具备性价比
15、IGBT相较于SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）产品的优势都体现在哪些方面？未来市场需求更趋向于哪种？
A：650V IGBT相比 650V SiC MOS, 技术更加成熟，耐冲击能力更强，可靠性更好，成本更加便宜.碳化硅频率更高，适用于开关电源以及高压高频场合，GaN适用于超高频率，对功率密度有要求的场合。三种器件有各自的运用领域，也存在部分重叠区域。并非此消彼长的关系
16、IGBT在PFC拓扑中用作开关器件，通过控制输入电流与输入电压的相位差，安世半导体IGBT可靠性咋么样？
A：安世650V IGBT可靠性好，从设计，测试，筛选各方面严格把关
17、layout有参考板吗
A：我们有单双脉冲测试板可以参考
18、MTBF？
A：Low
19、nexperia的IGBT有哪些优势？
A：安世半导体650V IGBT 采用FS2技术，具备损耗小，参数分布紧密，可靠性优秀的特点
20、RC和FS IGBT有什么不同？
A：RC IGBT有集成二极管， FS IGBT是外部并联二极管
21、RDS(on)多少？
A：低
22、Rgon=3R是大还是小？
A：小
23、SIC MOS ,si mos , IGBT 区别如何？
A：650V IGBT相比 650V SiC MOS, Si MOS技术更加成熟，耐冲击能力更强，可靠性更好，成本更加便宜.碳化硅MOS 频率更高，高温损耗更少，适用于开关电源以及高压高频场合，
24、TO-247-3L的引脚漏感在什么级别
A：7-8nH
25、TO247封装安装一方面比较麻烦，还有什么好的使用方法，对于加工安装方面来说的
A：目前没有很少的解决方案，部分客户倾向于用贴片封装
26、安全保护又有哪些优化拓展
A：严苛的可靠性测试及前后道测试，进而提供高可靠性产品
27、安世650V IGBT：NGW40T65H3DHP，NGW75T65H3DFP关断过压尖峰优化能达到什么程度？
A：过压尖峰可以压缩到50V一下
28、安世650V IGBT在关断损耗和关断过压尖峰方面进行了哪些具体的优化？
A：相比同类产品，安世650V IGBT在过压尖峰小的情况下，通过优化拖尾电流，损耗也做的更小
29、安世650V IGBT支持过流保护功能吗？
A：安世650V IGBT芯片面积大，耐过流能力强
30、安世IGBT采用的材料有SiC或者GaN么？
A：无
31、安世IGBT测试成本如何降低？
A：提升工艺，减少不必要的测试
32、安世IGBT的器件建模如何开展？需要哪些参数？
A：请参考微信建模Training
33、安世igbt驱动方法有啥好的方案
A：可以采用市场上通用的驱动芯片，如TI, Infineon
34、安世IGBT如何避免被击穿导致的失效？
A：设计给予更大的裕量，运用控制在安全范围内
35、安世IGBT如何在1200V高压下使用更安全？
A：目前安世主要推出650V IGBT
36、安世IGBT生产测试如何保证良率的？有哪些提高良率的生产测试方法？
A：测试与良率是相矛盾的，测试过严必然良率低
37、安世IGBT是在东莞封测吗？晶圆厂在哪里
A：不在
38、安世半导体 650V IGBT 在实现高速开关性能的同时，是如何解决开关过程中的电压尖峰和电流拖尾问题的？
A：电流拖尾是IGBT固有的特性，无法改变。过呀尖峰也跟IGBT设计自身相关，在运用中可以通过调节门级电阻牺牲损耗来压制尖峰
39、安世半导体 650V IGBT的瞬间过载能力能到多少倍额定电流呢？
A：我们H系列快管可以保证4倍关断过流能力， M系列可以保证3倍关断过流能力
40、安世半导体650V IGBT，通过了哪些认证？
A：通过JEDEC及Rohms认证
41、安世半导体650V IGBT，有哪些封装方式？
A：TO247-3, TO220-FP, D2PAK
42、安世半导体650V IGBT并联使用情况怎么样？
A：安世半导体650V IGBT参数分布紧密，适合于并联
43、安世半导体650V IGBT的关断损耗可以达到多少？
A：可以参考我们的规格书，网址：https://www.nexperia.com/products/igbt-discretes#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=
44、安世半导体650V IGBT需要如何散热？
A：正常散热器散热
45、安世半导体650V IGBT有哪些优势
A：通过低热阻，低损耗保证工作温度低，同时通过严苛的质量考核及出厂筛选，保证客户使用起来有更好的稳定性和可靠性
46、安世半导体IGBT产品，如有车规级的产品，是哪些系列或者型号？
A：车规产品还在计划中
47、安世半导体IGBT单管最大电流能达到多少？工作频率能到多少？
A：安世650V IGBT最大电流75A, 最高频率可到50Khz
48、安世半导体的IGBT产品线有哪些主要系列？新推出的650V IGBT在该产品线中的定位是什么？
A：650V ,750V, 1200V。 650V属于第一系列电压
49、安世半导体未来在IGBT技术上的发展方向是什么？是否会继续推出更高电压等级或其他类型的产品以满足不断变化的市场需求？
A：未来安世半导体将持续在IGBT技术上进行投入，推出1200V, 750V器件，并将技术更新到IGBT7及以上。同时将针对客户的特殊需求，进行产品特制化
50、安世半导体在IC Fabless方面有哪些产品？
A：本BG不做IC产品，具体IC产品可以查询安世官网
51、安世的IGBT具有哪一些温度环境下的规格？
A：可以参考我们的规格书，网址网址：https://www.nexperia.com/products/igbt-discretes#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=
52、编码规则？
A：参考slides
53、采取哪些措施改善器件的导通特性？
A：优化Mesa，Pitch及Trench
54、产品性能一致性有无高优势？能否不经筛选配对就直接并联应用？
A：安世半导体650V IGBT参数分布紧密，适合于并联，2-3颗并联可以不筛
55、常见的失效模式主要有哪些
A：无
56、常见的失效模式主要有哪些？
A：过压，过RBSOA, 门级损坏，高温高湿腐蚀等。但安世IGBT通过相关质量考核，运用范围内可以保证在生命周期内无失效
57、除了TO247封装，还有其他的吗？
A：TO247-3, TO220-FP, D2PAK
58、电路实际应用的案例可以在哪里下载？
A：暂无下载，可以联系我们的销售人员
59、电容范围？
A：优秀
60、动态栅偏这些会测试吗？
A：不测，IGBT不存在动态栅压问题
61、对于使用650V IGBT的产品设计，有哪些关键的注意事项或设计建议？
A：主要保证参数运行在规格书范围之内
62、多合一的模组产品内容是否也有筛选配对
A：目前无模组推出
63、高可靠性IGBT是否需要另加保护措施？
A：安世650V IGBT耐流能力比较强。但具体是否需要保护取决于运用需求，是否需要短路保护，过流保护等
64、工作温度会不会影响到电流稳定
A：不会，但会影响损耗
65、和以往产品相比有啥优缺点，应用领域有什么不同？
A：IGBT在光伏，UPS, 充电桩，储能，伺服电机，焊机，空调，家电，电动汽车等场合有很多运用
66、建模时间?
A：短
67、降低能耗、拓展工作温度范围等方面将有哪些突破？
A：在持续突破
68、交流充电桩中，IGBT能替代继电器吗？
A：有一些拓扑可以支持利用功率器件来做继电器拓扑
69、静态功耗在什么范围？
A：介于IGBT4及IGBT7之间
70、开发板有送吗
A：无
71、可靠性
A：安世半导体通过JEDEC标准，并遵循积淀多年的内部标准
72、可靠性有无高保障？MTBF能有多高水平？
A：严苛的可靠性测试及前后道测试，进而提供高可靠性产品
73、模块是集成NTC检测的吗
A：无
74、目前安世半导体的IGBT也应用了SiC技术吗？
A：目前市场没有基于SiC的IGBT，只有部分混合IGBT，也就是Si IGBT 搭配 SiC Diode
75、能否推荐PFC电源的参考设计
A：无
76、能提供EMI仿真参考吗
A：暂时无法做EMI仿真
77、能提供PPT吗
A：可联系我们的销售人员
78、普通硅基MOS最高耐压可以做到多少？
A：900V
79、请问IGBT功率器件除了充电桩、电动汽车上面用的多，还有哪些地方用得比较多？
A：IGBT还在光伏，UPS, 储能，伺服电机，焊机，空调，家电等场合有很多运用
80、热阻性能？
A：好
81、如何避免高速开关过程中的击穿损耗？
A：将器件运用在击穿电压之内
82、如何测试封装后邦定线的稳定性呢？
A：后道Bonding线有相关的测试标准，另外PC测试或IOL测试也是对bonding线寿命的一种考核
83、如何根据具体应用选择最合适的 IGBT 产品？
A：一般是根据电力电子运用工况，通过Plecs仿真来进行系统仿真，看看损耗和热满不满足相关要求，进而确定IGBT选型型号。也可以联系我们的工程师进行推荐
84、如何减少反向导通损耗？
A：优秀设计
85、如何减少反向导通损耗？开关损耗？
A：损耗主要由器件设计本身决定，电路上只能通过配置合适的门极电阻来调节
86、如何确保产品在长期使用中的稳定性和寿命？
A：采用可靠的产品，如安世IGBT。另外配合合适的设计，将优秀的器件运用的恰到好处，才能保证产品在长期使用中的稳定性和寿命
87、如何设计外围电路，使关断过压尖峰的更好地抑制
A：安世IGBT过压尖峰本身较低，不需要额外的设计外围电路，只需要配置合适的开通关断电阻即可
88、如何选择驱动电压和电阻以优化IGBT的开关性能？
A：可以采用规格书里配置的电阻及电压作为参考
89、如何有效利用热设计来提高系统稳定性？
A：器件温度越低，系统稳定性越好
90、如何在保证栅极可靠性的前提下，降低栅极电荷，提高开关速度？
A：删极电荷是IGBT的固有特性，无法降低。但是从设计上，可以尽量将门极驱动布局的紧凑，减小外部电路并联电容，这样可以提高开关速度
91、散热性能有无优化？
A：安世650V IGBT热阻相比较同类产品，更小
92、设计中如何根据电压、电流、开关频率和功耗需求选择合适的IGBT型号？
A：一般是根据电力电子运用工况，通过Plecs仿真来进行系统仿真，看看损耗和热满不满足相关要求，进而确定IGBT选型型号。也可以联系我们的工程师进行推荐
93、实际应用中，650V IGBT 与其他电压等级的 IGBT 相比，在系统效率、成本和性能方面有哪些优势和劣势？
A：650V IGBT相对其它高压IGBT， 导通压降和通态损耗会相对更小，但是系统效率和成本，主要取决于运用需求和拓扑选择，需要做更细致的评估工作。系统层面很难得出结论，低压比高压更好，具体情况需要具体分析
94、适用双向变换电路吗？
A：安世650V IGBT集成全电流二极管，非常使用双向变换电路
95、手册地址给一份呗
A：可以参考我们的规格书，网址：https://www.nexperia.com/products/igbt-discretes#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=
96、随着电力电子技术的不断发展，对于 IGBT 的未来技术发展方向有哪些展望？
A：IGBT固有的特性，仍然将长期在市场发挥作用。一直不变的方向是增加电流密度，持续优化导通及关断损耗，并提高可靠性
97、所有的产品出厂都经过哪些老化测试，满足哪个标准？
A：JEDEC标准
98、为什么H3-Fast speed IGBT具有更大的导通电流呢？
A：一般是根据电力电子运用工况，通过Plecs仿真来进行系统仿真，看看损耗和热满不满足相关要求，进而确定IGBT选型型号。也可以联系我们的工程师进行推荐
99、为什么PC电源很少介绍使用IGBT的？
A：PC电源对功率密度有要求，主要采用MOS，开关频率更高
100、温升性能：650V IGBT在降低温升方面采取了哪些设计和材料选择？
A：降低IGBT自身的损耗，同时芯片面积稍微放大点
101、我们有频谱仪，应该可以预测吧
A：频谱仪可以局部看相关EMI影响
102、芯片尺寸？
A：看具体器件
103、需要散热设备吗
A：取决于运用设计
104、应用局限都有哪些
A：IGBT在光伏，UPS, 充电桩，储能，伺服电机，焊机，空调，家电，电动汽车等场合有很多运用
105、应用须有哪些注重要点
A：损耗主要由器件设计本身决定，电路上只能通过配置合适的门极电阻来调节
106、优化拓展有哪些
A：严苛的可靠性测试及前后道测试，进而提供高可靠性产品
107、有X电容吗
A：无
108、有哪些先进技术？
A：安世半导体650V IGBT 采用FS2技术，具备损耗小，参数分布紧密，可靠性优秀的特点
109、有散热的设计参考提供吗？
A：无
110、有芯片封装时能降低电感设计方案？
A：目前所推出的产品在TO247-3，采用通用封装，电感为通用值
111、与传统IGBT技术在综合数据对比有哪些优势？比如在续航里程，开关损耗等方面？
A：650V IGBT相对其它高压IGBT， 导通压降和通态损耗会相对更小，但是系统效率和成本，主要取决于运用需求和拓扑选择，需要做更细致的评估工作。系统层面很难得出结论，低压比高压更好，具体情况需要具体分析
112、与同类产品相比，安世半导体的650V IGBT在开关损耗和导通损耗方面有哪些具体优化？针对谐波抑制和EMI性能优化的具体技术是什么？是否有特殊封装设计支持？
A：650V IGBT相对其它高压IGBT， 导通压降和通态损耗会相对更小，但是系统效率和成本，主要取决于运用需求和拓扑选择，需要做更细致的评估工作。系统层面很难得出结论，低压比高压更好，具体情况需要具体分析
113、在 650V IGBT 的设计中，如何优化芯片的结构以降低导通电阻和开关损耗？
A：主要是优化Mesa，Pitch，Trench等
114、在电路设计方面，有哪些需要特别注意的地方？
A：电路设计上，门极电路可以设计的更加紧凑点，尽量减少杂散电容及电感
115、在进行设计时，如何考虑系统的可扩展性和可维护性？
A：进行设计时，通过合理的布局
116、在开关过程中，如何减小IGBT过电压尖峰和电磁干扰（EMI）？是否需要缓冲电路？
A：如Slides介绍，安世IGBT EMI优秀，具体是否需要EMI电路，要视实际电路情况而定
117、在实际应用中，650V IGBT如何与其他功率器件协同工作
A：取决于对IGBT及其它器件的理解，木桶定则
118、这个功耗高不高有没有温度保护
A：功耗不高，单管一般无温度保护
119、这些指标测试用的是哪家的测试机得出的
A：不清楚
120、针对 650V IGBT 的封装技术，采取了哪些措施来提高散热性能和抗干扰能力？
A：安世650V IGBT采用市场通用封装，重点在于优化芯片本身的特性，如Eon，Eoff，didt，dvdt，进而提高散热和抗干扰
121、针对不同的负载特性和工作环境，安世半导体650V IGBT的参数如何进行优化选择，以确保系统的稳定性和可靠性？
A：通过低热阻，低损耗保证工作温度低，同时通过严苛的质量考核及出厂筛选，保证客户使用起来有更好的稳定性和可靠性
122、自动填充密码？
A：无
123、自主的独特创新元素有哪些
A：严苛的可靠性测试及前后道测试，进而提供高可靠性产品

 

乱世煮酒论天下

栅极开关频率能达到几百k吗，这么高吗