送分100分：三极管为什么有放大功能

lafargefox

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三极管为什么有放大功能，请从最底层的讲解。

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找本模拟电路的书看吧，讲得非常详细！

net

三极管都有个放大倍数
http://hi.baidu.com/hellojasonwong/blog/item/6d1730c90960f41e7e3e6fab.html

flydragon83

双极型三极管(BJT)的放大是基于扩散的机理.....在PN结的两边,自由的载流子扩散到对面会被束缚住,形成耗尽区,并且N区域带上正电荷,P区域带上负电荷,形成电场,这个电场的强度取决于材料的能带.

在没有外部电压的时候,这个电场正好能阻止自由载流子继续越过PN结...越过PN结的扩散运动过程被这个电场阻止了.

如果给PN结加上和它形成的电场相同方向的电压(P接负,N接正),则会促使更多的自由载流子处于束缚状态,耗尽层的厚度增加,PN结阻止电流形成.
如果加上相反的电压(P正,N负),在外部电场的作用下,被束缚于PN结两侧的载流子将脱离束缚流向外部电路,载流子会继续扩散越过PN结,形成电流.

三极管的特点是,基区厚度很小. 在其放大状态,B-E处于正向导通状态,E区的载流子扩散进入B区,一部分会从基极流向外部电路,形成基极电流,另外一部分则会扩散进入C区.C-B结的电场会阻止B区来的载流子扩散进入C区,但不会阻止E区来的载流子. 由于基区厚度很小,从E区过来的载流子大部分扩散到C区,形成集电极电流.....这就是三极管能够进行电流放大的原理.

wangxiaoyu

顶一下

asdf6716

引用 2 楼 wxdcxp 的回复:
三极管都有个放大倍数
http://hi.baidu.com/hellojasonwong/blog/item/6d1730c90960f41e7e3e6fab.html

.................

wende

引用 3 楼 great_bug 的回复:
双极型三极管(BJT)的放大是基于扩散的机理.....在PN结的两边,自由的载流子扩散到对面会被束缚住,形成耗尽区,并且N区域带上正电荷,P区域带上负电荷,形成电场,这个电场的强度取决于材料的能带.

在没有外部电压的时候,这个电场正好能阻止自由载流子继续越过PN结...越过PN结的扩散运动过程被这个电场阻止了.

如果给PN结加上和它形成的电场相同方向的电压(P接负,N接正),则会促使更多的自由载流子处于束缚状态,耗尽层的厚度增加,PN结阻止电流形成.
如果加上相反的电压(P正,N负),在外部电场的作用下,被束缚于PN结两侧的载流子将脱离束缚流向外部电路,载流子会继续扩散越过PN结,形成电流.

三极管的特点是,基区厚度很小. 在其放大状态,B-E处于正向导通状态,E区的载流子扩散进入B区,一部分会从基极流向外部电路,形成基极电流,另外一部分则会扩散进入C区.C-B结的电场会阻止B区来的载流子扩散进入C区,但不会阻止E区来的载流子. 由于基区厚度很小,从E区过来的载流子大部分扩散到C区,形成集电极电流.....这就是三极管能够进行电流放大的原理.

你这段描述没有体现出B区电流大小是   如何控制 流到C区的电流大小，只说明了B区电流小，而C区电流大。
没有点到点子上。

Jiao

那得从材料学说起...

这就远了，呵呵

fyge_free

这些个吊教科书，没有一个真讲明白的。这帮子大学的教授，以为吐了很多的泡泡，就把东西讲明白了，真是误人子弟。

jackychao

引用 7 楼 lbing7 的回复:
那得从材料学说起...

这就远了，呵呵

这位仁兄，方便的话，请给大家讲讲。

wang1983ning

引用 9 楼 fansqq 的回复:
引用 7 楼 lbing7 的回复:
那得从材料学说起...

这就远了，呵呵


这位仁兄，方便的话，请给大家讲讲。

不错啊。那位大侠 当下大学老师。
等待高人出现吧，估计应该是个MM/

banana655

首先我没有那个水平当教授，就当帮助下别人：

三极管的结构和类型
三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。



晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

百度有很多视频，楼主去看看：
http://video.baidu.com/v?ct=301989888&rn=20&pn=0&db=0&s=8&word=%C8%FD%BC%AB%B9%DC%B9%A4%D7%F7%D4%AD%C0%ED&fr=ala0

mostimes

你们在刚学模拟电路的时候,还不足以理解三极管的工作原理~~~~~~~~~记住它的特点就够了

alongzy

三极管的电流放大原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

图一:晶体三极管（NPN）的结构


图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
       在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

再给点参考，仅供参考！

789137

呵呵.路过学习

amdsempron

正向加压，在一定范围内呈现线性关系

azhe

引用 13 楼 kyzf 的回复:
三极管的电流放大原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

图一:晶体三极管（NPN）的结构


图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
? ? ? 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

再给点参考，仅供参考！

Ic与Ib是维持一定的比例关系,并不能说明基极有控制IC的作用， 也不能说明其有放大作用呀。

sherman1983

学习

qinyi

其本质还是载流子的扩散运动,表现出来的特征就是Ic要远大于Ib,在一定范围内,并维护一定比例关系,控制Ib,就可以控制Ic.....这不就是放大作用么?

gaas

那请问一下，为什么会有这种比例关系，并且这种比例关系为什么是固定的。

还有一个问题是，这个比例关系是电流的变化量之比成比例，还是电流量成比例，好象讲法不统一。