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偏置电路工作原理!!! [复制链接]

求偏置电路工作原理!!!

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偏置电路的工作原理:由于流过发射极偏置电阻(Re)的电流IR远大于基极的电流Ib(Ie》》Ib),因此,可以认为基极电位Vb只取决于分压电阻Re的阻值大小,与三极管参数无关,不受温度影响。静态工作点的稳定是由Vb和Re共同作用实现,稳定过程如下:设温度升高→Ic↑→Ie↑→VRe↑→Vbe↓→Ib↓→Ic↓其中:Ic↑→Ie↑是由并联电路电流方程 Ie = Ib+Ic得出,Ie↑→Vbe↓是由串联电路电压方程Vbe= Vb-Ie×Re得出,Ib↓→Ic↓是由晶体三极管电流放大原理 Ic =β×Ib (β表示三极管的放大倍数) 得出。由上述分析不难得出,Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性,Re太大其功率损耗也大,同时Ve也会增加很多,使Vce减小导致三极管工作范围变窄,降低交流放大倍数。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下,Re值为几百欧到几千欧;大电流工作时,Re为几欧到几十欧  详情 回复 发表于 2022-4-18 11:08
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老师,能详细说说嘛?  详情 回复 发表于 2022-4-14 18:59
 
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老师,能详细说说嘛?

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https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1199363-1-1.html

参考 15、16楼

涉及半导体物理,不去研究,不过用CMOS的话应该是需要将放大倍数、波尔兹曼常数改成跨导,费米势

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一粒金砂(初级)

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偏置电路的工作原理:
由于流过发射极偏置电阻(Re)的电流IR远大于基极的电流Ib(Ie》》Ib),因此,可以认为基极电位Vb只取决于分压电阻Re的阻值大小,与三极管参数无关,不受温度影响。

静态工作点的稳定是由Vb和Re共同作用实现,稳定过程如下:

设温度升高→Ic↑→Ie↑→VRe↑→Vbe↓→Ib↓→Ic↓

其中:Ic↑→Ie↑是由并联电路电流方程 Ie = Ib+Ic得出,Ie↑→Vbe↓是由串联电路电压方程Vbe= Vb-Ie×Re得出,Ib↓→Ic↓是由晶体三极管电流放大原理 Ic =β×Ib (β表示三极管的放大倍数) 得出。

由上述分析不难得出,Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性,Re太大其功率损耗也大,同时Ve也会增加很多,使Vce减小导致三极管工作范围变窄,降低交流放大倍数。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下,Re值为几百欧到几千欧;大电流工作时,Re为几欧到几十欧

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