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一粒金砂(中级)

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请教一个电路图, [复制链接]

 

大家好,我最近在读一本模拟电子书,遇到了一个下面的电路图,这个是AB型放大器,书中讲述说流过二极管的电流与流过晶体管的电流一样,这个感觉理解不了,为什么会相等呢?多谢了!

  书中的描述如下:

 

 



 

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比如,同是4-20mA电流环,用来传输数字信号的话,没啥精度要求。若是用来传输0.1-0.5级的0-5V模拟量的话,精度要求就比较高了   详情 回复 发表于 2022-4-15 08:26
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原文是 “当二极管D1和D2的特性与晶体管发射结的特性相匹配时,二极管中的电流与晶体管的电流相同”。

D1和D2特性不可能与三极管发射结特性相同。所以 “二极管中的电流与晶体管的电流相同” 是胡说。

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『我最近在读一本模拟电子书』

哪本书?作者?

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镜像电流源的比例为1:1,不是1:1的话叫比例电流源。

 

因为无法可靠均温,故楼主位的图为粗糟的比例电流源

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当然,二极管和施加了集电极电压的三极管发射结之间微小的差别并不影响这种电路的优良特性。  详情 回复 发表于 2022-4-9 19:35
完全可靠地均温也不行。三极管发射结在没有集电极电压时的伏安特性曲线才与同种材料的二极管相同,施加了集电极电压后,发射结伏安特性和二极管有所差别,同样电流下的压降稍变大。  详情 回复 发表于 2022-4-9 19:34
 
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PowerAnts 发表于 2022-4-9 19:11 镜像电流源的比例为1:1,不是1:1的话叫比例电流源。   因为无法可靠均温,故楼主位的图为粗糟 ...

完全可靠地均温也不行。三极管发射结在没有集电极电压时的伏安特性曲线才与同种材料的二极管相同,施加了集电极电压后,发射结伏安特性和二极管有所差别,同样电流下的压降稍变大。

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只要二极管与三极管发射结在等温等电流条件下压降相等或相近,便是粗糟的比例电流源  详情 回复 发表于 2022-4-9 20:58
 
 
 
 

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PowerAnts 发表于 2022-4-9 19:11 镜像电流源的比例为1:1,不是1:1的话叫比例电流源。   因为无法可靠均温,故楼主位的图为粗糟 ...

当然,二极管和施加了集电极电压的三极管发射结之间微小的差别并不影响这种电路的优良特性。

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maychang 发表于 2022-4-9 19:34 完全可靠地均温也不行。三极管发射结在没有集电极电压时的伏安特性曲线才与同种材料的二极管相同,施加了 ...

只要二极管与三极管发射结在等温等电流条件下压降相等或相近,便是粗糟的比例电流源

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那倒是。楼主图中二极管和三极管发射结中电流虽不相等,但大体上按照比例变化,可以说是比例电流源。  详情 回复 发表于 2022-4-9 21:03
 
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PowerAnts 发表于 2022-4-9 20:58 只要二极管与三极管发射结在等温等电流条件下压降相等或相近,便是粗糟的比例电流源

那倒是。楼主图中二极管和三极管发射结中电流虽不相等,但大体上按照比例变化,可以说是比例电流源。

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maychang 发表于 2022-4-9 18:41 『我最近在读一本模拟电子书』 哪本书?作者?

 

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没有读过这本书,不好评价。但这句话 “二极管中的电流与晶体管的电流相同” 肯定不正确。  详情 回复 发表于 2022-4-10 10:50
 
 
 
 

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没有读过这本书,不好评价。但这句话 “二极管中的电流与晶体管的电流相同” 肯定不正确。

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因hFE>>1,以电压跟随器来理解会比较恬当,RL上端的电压恒等于A点电压,Q1,Q2处于“线性电流放大”状态

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条件不复书了。请这样去看:对于A点,因电路上下对称,且电源为绝对值相等的正负双电源,故A是中心点,Uа=0;Ud1=Ube,所以Id=Ibe
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抱歉!写得不太严谨。当二极管D的特性与晶体管发射结的特性相匹配时,因Ud1=Ube,所以Id=Ibe  详情 回复 发表于 2022-4-11 17:54
『Ud1=Ube,所以Id=Ibe』 问题在于:从【Ud1=Ube】推不出【Id=Ibe】,甚至连【Id=Ib】都推不出来。  详情 回复 发表于 2022-4-10 15:32
 
 
 
 

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gyuan67 发表于 2022-4-10 14:58 条件不复书了。请这样去看:对于A点,因电路上下对称,且电源为绝对值相等的正负双电源,故A是中心点,Uа= ...

『Ud1=Ube,所以Id=Ibe』

问题在于:从【Ud1=Ube】推不出【Id=Ibe】,甚至连【Id=Ib】都推不出来。

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由于现在集成电路的发展,大部分讲模拟电路的书里讲的内容都是关于模拟集成电路内部的电路,这本书我没看过,但估计也是基于模拟集成电路展开的。

如果基于集成电路,那么上述讲法是成立的。在模拟集成电路中,前面电路中的那两个二极管其实是一个集电极与基极联在一起的三极管,它和它右侧相邻的三极管在极性与结构上完全一致,故每一对晶体管的参数相同。且由于同处一块硅片内,相互距离极近,故可认为两者温度也相同。在这个条件下,两个晶体管流过的集电极电流(一个就是流过二极管的电流)也是相同的。这一点是可以证明的(条件是两个晶体管都有较高的beta值)。

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下面这个图,就是上半部分的实际结构

 

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本帖最后由 gmchen 于 2022-4-10 17:46 编辑

T1T2的电性能完全相同,由于VBE1VBE2,根据双极型晶体管的电流关系:

 所以IC1IC2,这样有

    
b >>1时,有

 

 

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但是上述所有的推导都是基于左右两个晶体管具有相同结构与相同温度的条件才得以成立,所以这个电路不能用普通的分立元件构成,更不要说一个用三极管另一个用二极管了

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如果不是翻译马大哈,那么原著作者就是个半吊子

 

设VS升高, 那么Q1基极电位也随之升高,产生有两个现象:1,因VCC不变,那么流经R1的电流减小;2,Q1发射极电位升高,流经RL的电流必须来自Q1发射极,多出的电流由VCC注入Q1集电极。这两个现象互相矛盾。

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如果是分立元件电路,那么那个电路基本无法实现。

如果是基于模拟集成电路的电路,那么这种电路中通常不会用电阻作偏置,而是用镜像电流源。所以原书中最后的那个公式是有问题的。实际上,这种电路还不如直接用集成电路内部电路进行分析,类似首帖这样犹抱琵琶半遮面的做法,反而容易误导读者。

 

 

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对4楼和7楼进行纠正:电流镜是集电极输出,而楼主电路是发射极输出,因此这不是电流镜,只能按射随器来分析。    详情 回复 发表于 2022-4-10 22:20
 
 
 
 

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gmchen 发表于 2022-4-10 21:17 如果是分立元件电路,那么那个电路基本无法实现。 如果是基于模拟集成电路的电路,那么这种电路中通常不 ...

对4楼和7楼进行纠正:电流镜是集电极输出,而楼主电路是发射极输出,因此这不是电流镜,只能按射随器来分析。

 

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