PMOS作为防反接电路的一些问题点

小太阳yy

PMOS作为防反接电路的一些问题点 [复制链接]

 

 

  该电路作为PMOS防反接电路，为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥？大小该怎么选择？ S点电压高于G点电压时MOS将会导通，那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电压呢？下面有是三个电压值，以哪个为基准？

 

maychang

『该电路作为PMOS防反接电路，为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥？』

R1使得P沟MOS管门极为地电位。没有R1(开路)，MOS管门极悬空，电位不定。

maychang

『S点电压高于G点电压时MOS将会导通，那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电压呢？下面有是三个电压值，以哪个为基准？』

 

比这三个电压(绝对值)都要大，应该大于MOS管饱和导通时的那个电压，但小于门极源极之间电压允许的最大值(通常为20V)。

小太阳yy

maychang 发表于 2022-4-13 17:18 『该电路作为PMOS防反接电路，为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥？』 R1使得P沟MOS管门极为地电位。没有R ...

我的意思不是门极悬空，我的意思是将电阻换成导线

小太阳yy

maychang 发表于 2022-4-13 17:21 『S点电压高于G点电压时MOS将会导通，那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电 ...

为啥要大于饱和导通时的电压呢？

maychang

小太阳yy 发表于 2022-4-13 17:38 maychang 发表于 2022-4-13 17:18 『该电路作为PMOS防反接电路，为什么要加一个R1呢 R1的作用是啥？』 R1 ...

换成导线理论上是可以的。但需注意：换成导线后右端电源电压直接作用于MOS管源极和门极之间，右端电源电压可能带有峰值较大的环境干扰，而MOS管门极是比较脆弱的，前面曾提到源极门极之间电压最大为20V，超过MOS管即可能损坏。加入R1后，该电阻与MOS管门极源极之间电容构成RC低通滤波，电源上带有尖峰干扰，这个RC低通滤波有一定衰减尖峰的作用。所以，通常这里都加个电阻。

maychang

小太阳yy 发表于 2022-4-13 17:49 为啥要大于饱和导通时的电压呢？

该电路中MOS管正常导通时我们总希望管子的压降越小越好，或者说管子的导通电阻越小越好。管压降小，消耗在管子上的功率就越小。而我们是把MOS管当做开关用，“开” 状态应该没有压降才是理想状态。

maychang

小太阳yy 发表于 2022-4-13 17:49 为啥要大于饱和导通时的电压呢？

首帖上面红色框中是MOS管刚刚 “开始” 导通的门极源极之间电压，此时MOS管电阻很大，漏极电流仅85uA。拿1.7V除以85uA，这个电阻有多大？

下面红色框中门极4.5V时，MOS管基本上算是饱和导通。但再增加门极电压，电阻仍可减小一些。

PowerAnts

maychang 发表于 2022-4-13 17:21 『S点电压高于G点电压时MOS将会导通，那这个电压是应该设定成高于VTH电压呢 还是该高于完全导通时的那个电 ...

MOSFET没有完全饱和导通的说法，饱合区是线性放大区，属于压控电流源，“完全”导通是可变电阻区

maychang

PowerAnts 发表于 2022-4-13 18:26 MOSFET没有完全饱和导通的说法，饱合区是线性放大区，属于压控电流源，“完全”导通是可变电阻 ...

不错。这里是借用双极型三极管的叫法。正式的名称是可变电阻区。

PowerAnts

maychang 发表于 2022-4-13 18:47 不错。这里是借用双极型三极管的叫法。正式的名称是可变电阻区。

可变电阻区有点拗口，说成“导通”完全没问题

小太阳yy

PowerAnts 发表于 2022-4-13 18:26 MOSFET没有完全饱和导通的说法，饱合区是线性放大区，属于压控电流源，“完全”导通是可变电阻 ...

那我这个防反接MOS的GS电压 我要控制在哪个范围呢？