半导体器件物理 （施敏）

EE大学堂

半导体器件物理 （施敏） [复制链接]

 

本课程的内容由浅而深循序渐进，从基础的物理和电容器结构的基本运作，接续讨论MOSFET及NVSM之结构与操作，可让修课的学生一窥半导体最重要元件的奥妙。

 

1.半导体物理(Semiconductor Physics)

2. p-n接面的概念(p-n Junction)

3. 金氧半电容(MOS Capacitor)

4. 金氧半场效晶体管(MOSFET)

5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM)

 

 

 

关于主讲人

施敏（Simon M·Sze） 美国国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专家，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，中国工程院院士，台湾中央研究院三院院士。
1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。2014年5月14日受聘哈尔滨工业大学荣誉教授。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。
他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。

 

 

>>点击观看课程

huangjy211

聆听大师讲课是一种幸福。谢谢楼主分享。