车用氮氧化物传感器特性测试(2)

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车用氮氧化物传感器特性测试(2)

 

基于氧化锆（YSZ）的车用氮氧化物传感器第一腔室的特性与车用宽域型氧传感器结构及特性基本相同，烧结工艺、原料配比等基本一致，测试时表现的特性高度相似，因此成功烧结宽域车用氧传感器芯片的设备及工艺均可借鉴用于烧结车用氮氧化物传感器芯片。

测试车用氮氧化物传感器芯片第一腔室的V-I特应具备一下条件：

1. 可调节O2浓度的气氛室。
2. 可提供传感器芯片加热所需加热特性的直流电源。
3. 专用的V-I 特性检测分析仪。
4. 如需测试未封装的芯片，需要具备专用的治具，要求治具密封性隔绝良好，芯片的电极与接触点保持可靠的连接。

 

氮氧化物传感器V-I特性测试的方法及步骤：

1，放置待测芯片于气氛室内，调节气氛室的O2至所需的浓度。

2，按已标定好的加热功率及方式对芯片的加热电极进行供电。

3，实时检测加热功率的反馈电极电压，按照加热特性曲线对加热功率进行调节。

5. 对传感器第一腔室电极施加电压V0。
6. 调节V0电压同时记录相对应的电流，在传感器芯片工作与理想的状态下，施加在电极端的电压与电流成比例关系，附图为NOS-12 专用V-I分析仪电压与电流的截屏。

                          V0快速上升及下降时V-I 关系

 

20191203