Pmos如何完全关断

程秋香

Pmos如何完全关断 [复制链接]

 

最近在做Pmos开关电路，想用单片机去产生PWM波去控制PMOS开断，电路原理图如图1，我先用直流电源输出3.3v控制其ON/OFF，来看看PMOS是否能正常开断，但发现：

1：不给Q2（NMOS）的G极供电时，U1点对地电压（Uds）7.8v,R2两端电压1.23v，负载R4两端电压4v，Q1（Pmos）处于放大区

2：给Q2（NMOS）的G极供电3.3v时，U1点对地电压0v,R2两端电压9v，负载R4两端电压9v，Q1（Pmos）导通。

想请教一下，这是什么问题导致的，是否是因为NMOS处于关断时Rds不是无穷大？

我将R2从10K分别改为1k ,100k，都没有用，怀疑是否是PMOS漏电流了？

qwqwqw2088

IRLL014N的内阻是140毫欧，好不好
MOS管内阻是一定的，还有关断是无穷大，不知楼主是如何理解的
MOS管一般用，多数是工作在开关状态的

chunyang

楼主应该测量Q2的栅极电压，Q2栅极未供电时应为0，否则检查R3。只有Q2处于微导通态时，Q1的栅压会被拉低从而导通。注意，MOS管的输入阻抗很高，空间感应的一点能量就可能使管子导通，尤其是栅极回路存在长连线时，静态偏置电阻R3的取值必须能使无驱动时的栅压足够低，以确保Q2截止。

程秋香

chunyang 发表于 2019-2-19 16:39
楼主应该测量Q2的栅极电压，Q2栅极未供电时应为0，否则检查R3。只有Q2处于微导通态时，Q1的栅压会被拉低从 ...

我已经确认在未供电时Q2栅极电压为0，想请问PMOS的GS会存在漏电流吗？

程秋香

qwqwqw2088 发表于 2019-2-19 16:26
IRLL014N的内阻是140毫欧，好不好
MOS管内阻是一定的，还有关断是无穷大，不知楼主是如何理解的
MOS管一 ...

那请问PMOS的GS会存在漏电流吗？

qwqwqw2088

程秋香 发表于 2019-2-20 08:18
那请问PMOS的GS会存在漏电流吗？

无论PMOS或NPOS，不同厂家的管子，会有不同程度的漏电流的，
但漏电流一般指D、S之间的漏电流，当GS压不变时，随温度变化，一般温度升高，源-漏间漏电会增加。

程秋香

qwqwqw2088 发表于 2019-2-20 08:48
无论PMOS或NPOS，不同厂家的管子，会有不同程度的漏电流的，
但漏电流一般指D、S之间的漏电流，当GS压不 ...

那么在未上电时，NMOS处于开路，PMOS的gs电压为什么不等于0呢

qwqwqw2088

程秋香 发表于 2019-2-20 10:12
那么在未上电时，NMOS处于开路，PMOS的gs电压为什么不等于0呢

请看一下MOS管的手册，伏安特性线图ID---Uds，在不同的UGS的线蔟

alan000345

程秋香 发表于 2019-2-20 10:12
那么在未上电时，NMOS处于开路，PMOS的gs电压为什么不等于0呢

是不是因为内置的二极管造成的PMOS的电压值不为零呢，说实话，很少自己设计mos电路部分，原来公司用的都是别人成熟的电路。曾经我们的测试仪测试别人家的保护板时，超过流测试时，就遇见不同厂家的有些板子mos管里面带二极管的测试第二次时，被烧毁，不带的一次就烧毁。

chunyang

程秋香 发表于 2019-2-20 08:17
我已经确认在未供电时Q2栅极电压为0，想请问PMOS的GS会存在漏电流吗？

漏电流当然存在，只是极低，尤其是通过栅极的漏电流。只要管子是完好的，其漏电流不是常规万用表能测得的，先弄清你的负载阻抗。

chunyang

alan000345 发表于 2019-2-20 10:57
是不是因为内置的二极管造成的PMOS的电压值不为零呢，说实话，很少自己设计mos电路部分，原来公司用的都 ...

除非你的负载阻抗极高，测量用的仪器也具有极高的内阻，否则根本不可能。

alan000345

chunyang 发表于 2019-2-21 17:57
除非你的负载阻抗极高，测量用的仪器也具有极高的内阻，否则根本不可能。

测量仪器的内阻肯定是够高的了，问题是被测试的是保护板，保护板因为是接锂电池的，它的内阻很低的，做锂电池保护板时，很多mos管都需要并联使用，就是为了降低电阻的。

chunyang

alan000345 发表于 2019-2-22 11:46
测量仪器的内阻肯定是够高的了，问题是被测试的是保护板，保护板因为是接锂电池的，它的内阻很低的，做锂 ...

负载阻抗跟你说的保护板内阻是两回事。这里说的负载是指你实际测试时MOS管与地之间的负载，对应的是图中的R4。

youganw

应该是Q2栅极未供电时没有到零吧

alan000345

chunyang 发表于 2019-2-22 16:01
负载阻抗跟你说的保护板内阻是两回事。这里说的负载是指你实际测试时MOS管与地之间的负载，对应的是图中 ...

保护板对于电池来说，需要保护板的内阻小。保护板对于我们的测试仪来说，保护板的内阻是负载阻抗，同时也要模拟电池的内阻。

明确一下，希望你真对楼主的问题，来解答。

chunyang

alan000345 发表于 2019-2-25 13:33
保护板对于电池来说，需要保护板的内阻小。保护板对于我们的测试仪来说，保护板的内阻是负载阻抗，同时也 ...

概念必须弄清楚，否则难免南辕北辙。
保护板只是负载的一部分，负载还包括电池，且不仅仅是电池，应该还有其它电路，比如充电电路之类。对MOS管而言，该考察的是合成阻抗，测试时要么是完整的目标电路，要么是模拟负载，而不能想当然，尤其是在错误的概念理解下。

alan000345

chunyang 发表于 2019-2-26 16:17
概念必须弄清楚，否则难免南辕北辙。
保护板只是负载的一部分，负载还包括电池，且不仅仅是电池，应该还 ...

你没搞清楚我说什么吧，我是说楼主电路上Q1有个二极管，可以起到二极管该起的作用，我们测试仪器存在缺陷，所以像Q1这样里面内置二极管的，不容易被损坏，就是因为这个二极管可能造成漏电压，你居然往负载方面扯，你应该问问我，认识电阻或者电容不，给我讲讲电阻电容的原理。到此为止，没时间跟你浪费时间。

chunyang

alan000345 发表于 2019-2-27 08:46
你没搞清楚我说什么吧，我是说楼主电路上Q1有个二极管，可以起到二极管该起的作用，我们测试仪器存在缺陷 ...

追究负载的大小甚至测量仪器的阻抗是必须的。如果真是漏电流引起，对于微弱电流，没有足够大的负载阻抗以及足够高的测量仪器内阻，根本不可能观察到明显的电压。如果负载不是足够大且测量仪器的内阻也同样不够大，那么观察到的电压根本不可能是什么漏电流引起的。欧姆定律，初中都学过的，会不会用是另一回事。既然你出言不逊，吃亏的是你，俺根本不在乎你这样的，甚至可以这么说：态度恶劣、不学无术的菜鸟越多对努力者反而是件好事，没有对比就没有差距，没有差距哪来的奖勤罚懒？

alan000345

chunyang 发表于 2019-2-27 16:51
追究负载的大小甚至测量仪器的阻抗是必须的。如果真是漏电流引起，对于微弱电流，没有足够大的负载阻抗以 ...

先不说技术上的事，你身为版主，就因为别人不认可你的观点，就在论坛上骂街了，论坛上每天好多人在看，内行人都清楚的很。随便你怎么说了，我可不想跟你再多说一句话，不为别的，就为你这人素质太差啦。

chunyang

alan000345 发表于 2019-2-28 12:35
先不说技术上的事，你身为版主，就因为别人不认可你的观点，就在论坛上骂街了，论坛上每天好多 ...

来来来，谁主张谁举证！你既然说是“因为别人不认可你的观点，就在论坛上骂街了”，给出证据！同时俺也再次声明：俺向来是人敬我、我敬人，有人出言不逊在先，俺有怼回去的权利，俺也一向是这么做的。如果你认为这是“素质差”，无所谓，俺从不需要你的认可，根本就不在乎。但出言不逊，一样对你不客气！