减少IGBT过压击穿，大家有何高招？

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过压保护
    IGBT模块在由导通状态关断时，电流Ic 突然变小，由于电路中的杂散电感
与负载电感的作用，将在IGBT模块的c、e两端产生很高的浪涌尖峰电压 uce=L
dic/dt，加之IGBT模块的耐过压能力较差，这样就会使IGBT模块击穿,因此，
其过压保护也是十分重要的。过压保护可以从以下几个方面进行：
    (1)、尽可能减少电路中的杂散电感。作为模块设计制造者来说，要优化模
块内部结构(如采用分层电路、缩小有效回路面积等)，减少寄生电感；作为使用
者来 说，要优化主电路结构(采用分层布线、尽量缩短联接线等)，减少杂散电
感。另外，在整个线路上多加一些低阻低感的退耦电容，进一步减少线路电感。
所有这 些，对于直接减少IGBT模块的关断过电压均有较好的效果。
    (2)、采用吸收回路。吸收回路的作用是；当IGBT模块关断时，吸收电感中
释放的能量，以降低关断过电压。常用的吸收回路有两种。其中为充放电吸收回
路，钳位式吸收回路。对于电路中元件的选用，在实际工作中，电容 c选用高频
低感圈绕聚乙烯或聚丙烯电容，也可选用陶瓷电容，容量为2F左右。电容量选
得大 一些，对浪涌尖峰电压的抑制好一些，但过大会受到放电时间的限制。电
阻R选用氧化膜无感电阻，其阻值的确定要满足放电时间明显小于主电路开关周期的要求， 可按R≤T/6C计算，T为主电路的开关周期。二极管V应选用正向
过渡电压低、逆向恢复时间短的软特性缓冲二极管。
    (3)、适当增大栅极电阻Rg。实践证明，Rg增大，使IGBT模块的开关速度
减慢，能明显减少开关过电压尖峰，但相应的增加了开关损耗，使 IGBT模块 发
热增多，要配合进行过热保护。Rg阻值的选择原则是：在开关损耗不太大的情
况下，尽可能选用较大的电阻，实际工作中按Rg=3000/Ic 选取。
  
吸收回路
    除了上述减少c、e之间的过电压之外，为防止栅极电荷积累、栅源电压出
现尖峰损坏IGBT模块，可在g、e之间设置一些保护元件。电阻R的作用是使栅
极积 累电荷泄放，其阻值可取4.7kΩ ；两个反向串联的稳压二极管V1、V2。是
为了防止栅源电压尖峰损坏IGBT模块。

xiaoxin1

https://bbs.eeworld.com.cn/thread-99420-1-1.html

逍遥

努力不要有太高的电压尖峰
选用耐压高的管子

小志

RCD吸收电路可以有效防止瞬间的过压击穿