如何抑制IGBT集电极过压尖峰

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如何抑制IGBT集电极过压尖峰 [复制链接]

IGBT关断时，集电极电流Ic迅速减小到0，急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感，产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上，使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短，也可能对IGBT造成永久性损坏。

 

di/dt与IGBT芯片特性有关，也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时，集电极电压过冲会格外大，有可能超过额定值，从而损坏IGBT。

 

所以如何抑制关断时的电压尖峰，是一个值得探讨的话题。

 

 

 

从集电极过冲电压计算公式：

V=Ls*di/dt

 

我们可以看出，降低电压过冲有两条路：

1	降低系统杂散电感
2	减小电流，从而降低电流变化率di/dt
3	驱动慢一些，从而降低电流变化率di/dt

 

要降低系统杂感，是一个系统层面的问题，这个我们单开题再说。

 

但降低电流变化率di/dt会增加关断损耗，如何解决这样矛盾呢？

 

本文主要想从驱动设计的角度，探讨一些降低电流变化率，从而抑制电压过冲的方法。

 

降低电流变化率，很多人想到的第一个办法是增加门极电阻，但这一方法并不总是有用，尤其是对FS+trench stop的技术。略微增加门极电阻甚至可能增加di/dt，当门极电阻增加到非常大的时候，才会降低di/dt。一味地增加门极关断电阻，会显著增加关断损耗，因此这种方法并不可取。

 

IGBT4的关断波形改变门极电阻，

集电极过电压并没有明显变化

 

那么除了增加门极电阻，还有什么办法可以降低di/dt？从驱动角度看，有三种办法：

 

1

两电平关断

 

 

 

两电平关断的思路是在关断过程中减慢关断速度，减少di/dt，从而把关断过电压降低到一个合理的值。当IGBT被 关断时，栅极电压不是直接降低到0V或者负电压，而是在很短的时间内，栅极电压先降到UTLTO，这个电压低于正常导通电压，但是高于米勒平台的电压。然后再从UTLTO降低到0V或者是负电压。一般来说，UTLTO可以选择9~14V之间的电压，UTLTO的电压和持续时间长度可调节。

 

两电平关断功能可集成在IGBT驱动芯片中，比如1ED020I12-FT。两电平关断的电压和持续时间通常用一个电容CTLTO或者电容与电阻的结合体来实现。当电容充电达到一个特定的值，就会触发驱动器的输出信号UOUT，如果输入信号Uin比设定的tTLTO短,输入信号通常会被抑制,而输出信号会保持不变。

 

 

下图给出了有无TLTO功能的关断短路电流对比。图a没有使用TLTO技术而关掉了短路,而图b显示应用了TLTO关断的波形。能很清楚地看到，栅极电压和发射极-集电极电压中的强烈振荡明显减轻，更重要的是产生的过电压降低了。在这个例子中,图a中出现了1125V的峰值电压。在图b所示的测量方法中,电压只有733V(在每个例子中直流母线电压为400V,且都使用了一个400A/1.2kV的IGBT)。

 

(a)没有TLTO功能

(b)有TLTO功能

 

两电平关断功能可以集成在驱动芯片中。传统的集成两电平关断功能的IGBT驱动器IC如下图所示。TLSET引脚外接一个肖特基二极管和一个电容，肖特基二极管用来设定两电平关断的电压；而电容用来设定两电平关断的时间。

 

1ED020I12_BT/FT

 

而英飞凌最新推出的X3 Enhanced 驱动芯片， 1ED38X1MX12M，不需要外接电容电阻，只通过数字化的配置，即可设置两电平关断的电平及持续时间， 可简化电路设计及BOM。

 

1ED38X1MX12M

 

1ED38X1MX12M 两电平关断时序图

 

1ED38X1MX12M两电平判断参数设置档位

 

2

软关断

 

 

 

软关断能够保证短路状态下的安全关断。如果驱动检测到短路，软关断功能不是用标准的关断电阻将IGBT的栅极电压拉低至0V或者负电压，而是使用一个相对高的阻抗来释放门极电流，该阻抗能够延迟栅极电容的放电，使IGBT关断速度变慢。一旦栅极电压降低到某个值（例如2V），高阻抗就会被一个低阻抗 短路，这样可以确保快速而完全地给栅-射极电容放电。软关断的原理如下图所示。

 

 

具有软关断功能的IGBT驱动有英飞凌1ED34X1MX12M、1ED38X1MX12M，这两款芯片分别通过模拟和数字的方式来配置软关断电流，均有多达16档的软关断电流档位可选择。

 

1ED34X1MX12M

1ED38X1MX12M

 

1ED3431的软关断电流调节档位

 

3

有源钳位

 

 

 

又称为集射极钳位，下面是有源钳位的典型实现方式：

 

 

有源钳位的原理是：在关断的过程中，IGBT  CE间因为di/dt产生电压尖峰。只要集电极处的电位超过了二极管VD1的雪崩电压， 单向的TVS二极管VD1就会导通且通过电流。电流I1流过VD1,VD2,RG和VT2，如果在栅极电阻Rg上产生的压降高于IGBT的阈值电压Vth，则IGBT再次开通，从而降低了关断过程中的di/dt。因此，为了增加栅极电压，必须产生足够的电流。

 

如果IGBT外部栅极电压为1ohm，栅极电压为-15V， 而阈值电压为6V，为了再次开通IGBT，必须使有源钳位的电流大于21A，因此TVS二极管VD1和阻断二极管VD2必须满足21A脉冲电流的需求。此外，TVS管必须是高压二极管，常用的系列型号为1.5KExxx

 

但此种电路也有缺点，如击穿电压与温度密切相关，而且阻断二极管结电容较大，IGBT开关时，位移电流会被du/dt额外加大。

 

另一个更简洁的方法是把信号反馈到驱动推挽电路之前，如下图:

 

 

电流I2通过阻断二极管VD5、电阻R2和MOSFET VT8。电阻R2比RG的阻值 要高很多，所以只要电流I1有一部分流出就能产生足够的电压来打开VT5和关闭VT6。一旦VT5导通，I1不再通过栅极电阻RG，而是对输入电容CGE充电。所有这些对电路有如下好处:

 

1	因为通过二极管的电流很低，可以用更便宜的TVS SMD二极管。
2	所需要的空间仅由爬电距离和电气间隙来决定。
3	电路反应非常快。

 

 

以上是几种普遍使用的集电极电压尖峰抑制的方法。其中有源钳位需要高压二极管，附加成本较高；两电平关断可集成在驱动芯片中，传统方案仅需在驱动芯片外加二极管和电容，而最新的英飞凌1ED X3 digital版本芯片，不需外接器件即可实现两电平关断的参数调节。并且，1ED X3 analog/digital芯片还集成了软关断功能，无需外围器件，即可实现16档软关断电流的调节。

 

 赵佳 英飞凌工业半导体

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为了抑制IGBT集电极过压尖峰，可以采取以下措施：

1. 添加反并联二极管：在IGBT的集电极和发射极之间添加一个反并联二极管，可以有效地抑制集电极过压尖峰。
2. 加装峰值电压限制电路：在IGBT的集电极和发射极之间加装峰值电压限制电路，可以限制集电极过压，从而减小集电极过压尖峰的幅值。
3. 加强散热：通过改善散热条件，提高IGBT的温度耐受能力，减少集电极过压尖峰的产生。
4. 降低电源电压：如果IGBT集电极过压尖峰是由于电源电压过高引起的，可以通过降低电源电压来解决此问题。
5. 采用软开关技术：软开关技术可以有效地控制IGBT的开关速度，从而减少集电极过压尖峰的产生。