总结BQ78350-R1 FCC使用问题

qwqwqw2088

总结BQ78350-R1 FCC使用问题 [复制链接]

问题描述：BQ78350-R1 FCC不更新，MAX error始终是100%

制作的是10S铁电池， 满充-满放-满充，电量RSOC差不多准确了，但是FCC一直不更新。看资料更新条件还是没看懂，谁知道怎么回事。


9.1.6 Capacity Learning (FCC Update)
The bq78350-R1 updates FCC with an amount based on the value in DCR if a qualified discharge occurs.
The new value for FCC equals the DCR value plus the value of nearly full and low battery levels, as
shown in the following equation:
FCC (new) = DCR (final) = DCR (initial) + Measured Discharge to EDV2 + (FCC × Battery_Low%)
Where Battery_Low% = (Battery Low%) ÷ 2.56

又放空了一下，快结束时，RSOC跳到7%（EDV2），FCC更新了，变成2944mAh。


MAX error变成了8%，我更纳闷了。什么时候才变成2%正常值


2944mAh这个值刚好是我的Design capacity(3200mAh)-FCC Learn Down(256mAh)得到值吻合。  这个我更奇怪了，容量怎么会降这么多。要不是FCC Learn Down拦着，实际值会更低。

TI专家回答：可以手动计算一下大概电池放电容量是多少， 写入FCC learned ， 再更新，这样防止被Up 和down 限制


问题：由于我没有高低温箱所以得到那六条不同温度不同放电速率时的放电曲线数据时比较吃力，温度各种不好控制，好不容易得到的数据提交到TI还报错，重新测的数据在bqStudio这边GPCPackager -> Load Files时居然也报错（http://www.deyisupport.com/quest ... /f/35/t/146501.aspx）实在要崩溃的节奏。然后我直接更改了影响CEDV的某个参数（EMF\R0\T0\R1\TC\C1）,即根据充进去的满电量放电时对这个参数做调整使Pending EDV的数值接近我想要的值，因为我拿容量测试仪单独放过18650的容量数据，所以根据这个以及对EDV2\EDV1\EDV0的理解，使max error达到了2%。


1. 是不是要容量准确的话只要MAX Error达到2%就OK了？

2. Data Memory->Fual auging->CEDV cfg ->  这里的字面意思是要求的学习循环数，默认20，一般我们是不是只需要循环学习一次就够了？即设置为1.因为我是晚上做的容量学习，做完后充满电就shutdown了，结果第二天来唤醒后max error直接又是100%。所以是否是这个参数设置不对，应该设置为1呢？




TI专家回复：改成0.2C，小电流放电，learn capacity 成功了。前面MAX error出现8%应该是库仑计计算出的容量小于FCC learned学习设定的值，属于FCC learn down，又被限制成2944mAh，所以出现MAX error是8%。

也就是说，第一次老化循环学习，必须要类似阻抗跟踪法的方式一样，以最小的电流放电，电量计更新出最大的FCC，保证MAX error正常。后面再怎么充电放电学习都无所谓了。

FCC learned 相当于阻抗跟踪法的Qmax，手动填写的时候，需要略低于电池老化学习实际的实际值，确保更新状态是在 设计值跟FCC learn up之间，这样MAX error更能更新最佳。




问题：请教下，我用的是bq40z50R1，SOC大概是准了，但是max error始终是100%，FCC也总是比实际电量低，用0.1C放电放空后MAX ERROR仍然是100%，FCC也是比实际的低，是chem_ID有问题吗？


回答：max error是指学习成功了，容量跟补偿点ok。至于你手动改那7个点肯定是不对的，那7个点我也不知道是什么，咨询过FAE，他也明说自己不知道，没有公开的描述的参数，总之就是你电芯匹配的一些值。可以肯定是跟电压，温度，电流，容量，有关系，所以必须按照TI计算流程来。至于你为什么计算不出来，把你数据包发给我看看。


那个requested learning cycle count我也看懂，BQ78350r1这个数据手册没写清楚，属于排版跟描述最烂的一个，找个寄存器描述跟功能设置都要跳跃好几个地方。这个我没有改，当时循环学习成功了，我就没有研究了。


你放电都shutdown了，等于断电重新激活，max error肯定是100%了。跟那个20没有关系。怎么没有设置欠压保护，还有shutdown一般默认是1.75v难不成你放电都比这个电压还低？
回答：
那是因为你的Qmax没有更新，只是物抗表更新了。你把Qmax手动改一下，略微接近电芯最大容量值，再循环学习就可以了。


>>更多问答

管管管安安

前辈你好， 最近在论坛上看到你发表的关于芯片BQ78350-R1的一些问题。 我最近也在学习这块芯片。想请教一下，我每次老化学习(尝试过将FCC Learn UP/Down放宽)，MAX Error都是8%。这个该如何去进行？ 是否需要先将CEDV的7个参数解决才能学习成功？

qwqwqw2088

管管管安安 发表于 2021-4-19 08:34 前辈你好， 最近在论坛上看到你发表的关于芯片BQ78350-R1的一些问题。 我最近也在学习这块芯片。想请教一下 ...

这些参数是ＣＥＤＶ的必须的，EMF\R0\T0\R1\TC\C1

一定要按照TI提供 的手册有关CEDV 的要求做　

qwqwqw2088

首次老化循环学习要先小电流放电，让learn capacity 成功

具体参数要看手册

BQ78350-R1.pdf (1.03 MB, 下载次数: 11)

2021-4-19 09:24 上传

点击文件名下载附件

bq78350-R1 CEDV.pdf (1.36 MB, 下载次数: 19)

2021-4-19 09:28 上传

点击文件名下载附件

 

管管管安安

qwqwqw2088 发表于 2021-4-19 09:33 首次老化循环学习要先小电流放电，让learn capacity 成功 具体参数要看手册  

因为我现在FCC学习一直受到FCC Learn Down的影响，Max Error一直为8%。 容量学习成功的标志是在2%吧。 那我需要先测试设定了CEDV的参数，才能学习成功吗？

qwqwqw2088

CEDV是补偿末端放电电压

需要设置