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纯净的硅(高级)

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EDA软件元件模型各项参数讲解! [复制链接]

大家都知道学习EDA软件

首先要了解元器件的各项参数,要理解各项参数的含义

现在我把现有的元件的各项参数一一写出来,为大家注释含义,希望对大家有帮助

电阻模型参数

R       电阻倍率因子

TC1   线性温度系数

TC2   二次温度系数

电容模型参数

C        电容倍率因子

VC1    线性电压系数

VC2    二次电压系数

TC1   线性温度系数

TC2   二次温度系数

电感模型参数

L        电感倍率因子

IL1    线性电流系数

IL2    二次电流系数

TC1  线性温度系数

TC2  二次温度系数

二极管模型参数

IS      饱和电流

RS     寄生串联电阻

N       发射系数

TT     渡越时间

CJO   零偏压PN结电容

VJ     PN结自建电势

M      PN结剃度因子

EG     禁带宽度

XT1   IS的温度指数

FC     正偏耗尽层电容系数

BV     反向击穿电压(漆点电压)

IBV    反向击穿电流(漆点电流)

KF      闪烁躁声系数

AF      闪烁躁声指数

双极晶体管(三极管)

IS 传输饱和电流

EG 禁带宽度

XTI(PT) IS的温度效应指数

BF 正向电流放大系数

NF 正向电流发射系数

VAF(VA) 正向欧拉电压

IKF (IK) 正向漆点电流

ISE(C2) B-E漏饱和电流

NE  B-E漏饱和电流

BR 反向电流放大系数

NR 反向电流发射系数

VAR(VB) 正想欧拉电压

IKR  反向漆点电流

ISC C4   B-C 漏饱和电流

NC  B-C漏发射系数

RB   零偏压基极电阻

IRB   基极电阻降致RBM/2时的电流

RE   发射区串联电阻

RC   集电极电阻

CJE   零偏发射结PN结电容

VJE PE  发射结内建电势

MJE ME   集电结剃度因子

CJC     零偏衬底结PN结电容

VJC PC   集电结内建电势

MJC MC   集电结剃度因子

XCJC Cbe   接至内部Rb的内部

CJS CCS    零偏衬底结PN结电容

VJS PS   衬底结构PN结电容

MJS MS   衬底结剃度因子

FC   正偏势垒电容系数

TF   正向渡越时间

XTF   TF随偏置变化的系数

VTF   TF随VBC变化的电压参数

ITF   影响TF的大电流参数

PTF   在 F=1/(2派TF)Hz时超前相移

TR   反向渡越时间

XTB  BF和BR的温度系数

KF  I/F躁声系数

AF I/F躁声指数
此帖出自FPGA/CPLD论坛

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了解了了这些参数有什么用啊  详情 回复 发表于 2011-12-18 21:28
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一粒金砂(中级)

沙发
 
了解了了这些参数有什么用啊
此帖出自FPGA/CPLD论坛
 
 

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