仙猫

　问题在于，FET的漏极电流跟门-源电压（或LZ说的G端电阻）之间的关系没有定量的制约式可用，那些图表都只是些定性的东西。

xiaoxif

楼主说可以终止这个讨论了（见在15楼的回复），可我觉得没有真正完结这个讨论，想法如下：

1、如果这是个电池放电器的设计，可能会存在一个设计基本思路的问题；
2、此前并没有得到一些关键性的参数，例如电池的恒流放电的电流和终止放电的参考电压（虽然在这里不重要）；电路图上很重要的一个电阻（实际上是放电回路的DUMMY--假负载）的阻值，等等；如此终止，岂非让大家成了摸象的盲人？
3、图纸不全，好多关键的被省略掉了，例如，按现在的电路图，那只三极管形同虚设（因为它始终是饱和导通的，）这也是电阻（33k，图上是30k）焊错了导致偏压变化的原因，等等。

   笔者以为，这里有许多值得探索的内容，包括设计基本考虑的和具体电路的，等等。就此终止，实在有点遗憾和扫兴？
因此如果可能，希望给出准确的图纸，继续讨论。

两个具体问题：

  1、楼主问：“又想了想，一件事情不是很明白，我错把8.3k焊成33k，为什么会引起分流不均呢！换句话说，g端的电阻对分流有多大影响？“
    你给的电路图中，没有出现这个阻值，按上下文的关系，估计是和电容并联的那个30k电阻。如上，那只三极管的E通过100k电阻接到-12V，而B连接的电压最低为0，因此这个管子始终是导通，而且是饱和导通的，这就形成了有33(8.3)K电阻和100k电阻分压的FET-G的偏压电路，改成8.3k以后，达到加强FET-G的偏置，通过控制电流，达到降低FET-DS间的等效电阻，可能会得到Pd下降的结果。（因为电路不全这里是趋势性的判断）。g 端的电阻对分流有多大的影响？本质而言不是电阻，而是电阻变化对偏压的影响。对管子的控制全指着这个电压的。

  2、望能修改图纸中的负载、电源画法，这样的示意图画法完全可理解为电池+-->电池-  -->负载-->地（当然不是这么连接的）
。
  我非常理解仙猫先生几次希望见到图的要求，原因很简单：”图纸是工程师的语言“。

[ 本帖最后由 xiaoxif 于 2009-11-12 14:44 编辑 ]

simonprince

通过三位的讨论我学到很多，谢谢

sjl2001

有道理，我觉得如果每一路都加上一个限流电阻，可能会有所帮助

sjl2001

确实是这样的。

sjl2001

1、我做这个东西的初衷就是做一个恒流放电装置，实验室自己用。没打算投产，主要是为了测定电池参数。
2、我今天又做了一些实验，其实就是mosfet和负载在进行分压，如果mosfet上分压大，mosfet就会发热大，正确调节负载电阻（我用一个30A可变电阻器）可以缓解发热的问题。

对于两个具体问题
1、很感谢你的耐心解答，我能理解你的意思。谢谢。确实是我的疏忽，造成了不该有的问题，30k那是图上的标记，手头只有33k就用了。
2、对于图的画法，确实有待改进。由于要采样，所以控制地和负载的地不共地。


至于图纸，我能理解两位的苦衷。能为我解决到这个程度已经感到万分感激了！

图纸实在不方便公开敬请谅解，但是大概思路可以分享。
将采集到的电流通过一次放大，另外还有电流的给定，有电位器调节，然后进行pi调节，最终将信号控制EA，完成整个过程。

[ 本帖最后由 sjl2001 于 2009-11-12 19:04 编辑 ]

sjl2001

斑竹谦虚了

yulzhu

前面没注意是恒流的线性区，如果饱和考虑的就是Rdson，如果线性区就是等效电阻
就是电子元器件的分散性，这个问题普遍存在
每个MOS的热阻严格意义上并不完全相等
随着温度的上升，器件参数是变化的，特别是等效的电阻

[ 本帖最后由 yulzhu 于 2009-11-13 15:37 编辑 ]

ydcman

是因为你的MOS管控制和管子本身特性差异的问题，因为在MOS放大区很窄，控制电压相同而D脚电压不同，要是做得是 横流建议用三极管控制比较好些，否则就是驱动电压不够导致MOS管道通不充分