享ARM7学习过程中HEx烧写问题！！

shangwo808

享ARM7学习过程中HEx烧写问题！！ [复制链接]

有些买了SuperARM2100开发板的用户反映：在按照我们资料的开发步骤编译出HEX文件后，不能烧录进ARM芯片，会出现问题，见下图：


提示说地址超出范围。

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就这一问题下边做个详细回答。希望对初学者有用。
我们知道，ARM7的片内SARM地址是从0X40000000单元开始的，片内FLASH地址是从0X00000000单元开始的。HEX文件本身是包含地址的，他的地址到底从什么开始，这和具体的编译环境有关。见下图:


我们的每个编程模板提供3种变异模式，第一个DebugInRAM是在内部SRAM里调试的，编译出来的HEX文件是以地址0X40000000单元开始的。第二个DebugInFLASH才是在FLASH里调试，编译出来的程序可烧写。第三个也是在FLASH里调试，但一般不要用，会加密的，一旦用了，必须通过串口重新察除才能从新调试。
到现在我们应该明白有的用户为什么会出

shangwo808

很简单，他选择了DebugInRAM调试模式，却把编译得到的HEX文件,往FLASH里烧录。这样肯定会发生地址不匹配的情况。
题外话：引申一下，如果用户在DebugInRAM调试模式下选择生成BIN文件，则烧录不会出问题，但程序却不能正常运行。为什么，大家考虑一下！
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