|
EM78P458 和EM78P459 是采用高速CMOS 工艺制造的8 位单片机。其内部有4K*13 位一次
性ROM(OTPROM)。因此,用户可以方便地改进完善程序。程序代码可用EMC 编程器写入芯片。
工作电压范围:2.2V~6.0V
工作温度范围:0℃~80℃
工作频率范围:DC~16MHz
低功耗
♦ 5V/4M 工作条件下电流小于1.5mA
♦ 3V/32K 条件下电流典型值为15μA
♦ 休眠模式下电流典型值为1μA
4K×13 位片内ROM,96×8 位片内寄存器(SDRAM)
2 个双向I/O 端口
8 级堆栈
8 位实时定时/计数器(TCC),其信号源、触发沿可编程选择,溢出产生中断
8 位多路AD 转换器,精度达13 位
2 个脉冲宽度调制器(PWM),精度达10 位
2 个比较器
掉电模式(SLEEP 模式)
六个中断源
♦ TCC 溢出中断
♦ 输入引脚状态变化中断(从休眠模式中唤醒)
♦ 外部中断
♦ ADC 转换结束中断
♦ PWM 周期匹配结束中断
♦ 比较器输出高电平中断
可编程自由运行看门狗定时器(WDT)
有8 个I/O 引脚可编程设置为上拉
有8 个I/O 引脚可编程设置为下拉
有8 个I/O 引脚可编程设置为漏极开路
每个指令周期为两个时钟周期,99.9%的指令为单周期指令
EM78P458 为20 脚封装,EM78P459 为24 脚封装,封装形式:SOP 和DIP
具有电压检测器,检测范围2.0V 0.15V
表1 EM78P458 引脚说明
符号类型功能描述
Vdd - 电源
OSCI I *XTAL 模式:晶体或外部时钟输入
*RC 模式:RC 振荡器输入
OSCO O *XTAL 模式:晶振输出或外时钟输入
*RC 模式:周期为1 个指令周期的时钟输出
P50-P57 I/O 通用I/O 引脚
P60-P67 I/O 通用I/O 引脚
/INT I 下降沿触发的外部中断引脚
ADC1-ADC8 I AD 转换器
PWM1,PWM2 O 脉宽调制输出
Vref I ADC 外部参考电压
C-,C+ I 比较器输入
CO O 比较器输出
TCC I 斯密特触发的时钟/计数器输入,若不用必须与VDD 或VSS
相连
操作寄存器
1) R0 寄存器器(间址寄存器)
(R0 并非实际存在的寄存器。它的主要功能是做为间接寻址指针。任何以R0 为指针
的指令实际上是对RAM 选择寄存器R4 所指的数据进行操作。
2) R1(定时器(器/计数器)
♦ 由TCC 引脚上的信号边沿或指令周期时钟触发加1 操作
♦ 由CONT 寄存器第4、5 位决定触发信号源
♦ 可读写
3) R2 (程序计数器PC)和堆栈
)♦ R2 与硬件堆栈为12 位宽,结构如图4 所示。
♦ 产生4K×13 位片内OTP ROM 地址以获取对应程序指令代码。一个程序页为1K
字长。
♦ 复位后R2 所有位均清0。
♦ JMP 指令直接装载R2 低10 位值,因此JMP 指令跳转范围为一个程序页面内。
♦ CALL 指令先将PC+1 入栈,而后装载R2 低10 位值,因此子程序入口地址限在
同一页面内。
♦ RET、RETI、RETL 指令将栈顶数据装入PC。
♦ “ADD R2,A”允许将一有关地址加到当前PC 上,但同时PC 第9、10 位将
被清0。
♦ “MOV R2,A”将A 寄存器中的8 位地址装入PC 低8 位,PC 第9、10 位被
清0。
♦ 对PC(R2)进行直接操作指令如“MOV R2、A”、“ADD R2、A”、“BC R2,0”
都将导致PC 之第9 及第10 位(A9、A8)被清零,因此此类情况产生的任何跳
转都限定在同一页面的前256 个地址
♦ 执行CALL、RET、JMP 等间接修改R2 内容的指令时,R2 的最高两位由状态寄
存器R3 的PS0、PS1 装入。
♦ 除改变R2 内容的指令需要2 个指令周期外,所有指令都是单周期(fclk/2)。
4) R3(状态寄存器)
(
$ %
♦ 第7 位(CMPOUT 比较器结果
♦ 第6 位(PS1)、第5 位(PS0) 程序页面选择位,用于选择一个程序寄存器
页面。当执行CALL、JMP 等间接修改R2 内容的指令时,这两位被装入R2 最
高两位以选择所需页面。要注意的是,执行RET、RETL、RETI 指令并不需要
对PS0、PS1 操作,因为STACK 与PC 位数相同,出栈则栈顶单元直接移入PC。
故执行这些指令后,不管PS0、PS1 内容是什么,程序都返回至原调用处。
程序页面
第 页&'(()
第 页&'(()
第 页&'*(()
第 页&'((()
♦ 第4 位(T)溢出位,执行SLEEP 或WDTC 指令或上电后置1,WDT 溢出时清0。
♦ 第3 位(P)低功耗位,执行WDTC 指令或上电后置1,执行SLEEP 指令后清0。
♦ 第2 位(Z)零标志位,当算术运算或逻辑运算结果位0 时该位置1。第1 位(DC)
辅助进位标志。
♦ 第0 位(C)进位标志。
5) R4((((RAM 选择寄存器)
♦ 第0~5 位在间接寻址方式中用于选择RAM 寄存器(00~3F)。
♦ 第6 位用于选择RAM 页面0 或RAM 页面1。
♦ 第7 位为通用读写位。
♦ 参见图4 所示数据存储器结构。
6) R5~R6 (端口5、6)))) I/O 寄存器
7) R7~R8 8 位通用寄存器
|
|